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[发明专利]一种精准定位的高压互锁装置及判断方法-CN202211004921.6在审
发明人：余凯;方宇光;胡任远;陆建山;刘志洋 -专利权人：浙江氢途科技有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B60L3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种精准定位的高压互锁装置及判断方法，包括控制器供电电源、控制器内部电阻、高压设备连接区和电压采集模块；所述控制器内部电阻与高压设备连接区串联连接；所述电压采集模块安装于高压设备连接区的正负两端，用于采集高压设备连接区的电压；所述高压设备连接区内设有若干个高压连接器互锁端子以及与各个高压连接器互锁端子相对应的接线电阻；所述高压连接器互锁端子之间串联连接，所述高压连接器与其相对应的接线电阻并联连接，所述接线电阻的阻值互不相同；与现有技术相比，本发明可以精准定位到详细的故障连接点，不需要针对所有高压连接点进行检测，极大的减少了售后的工作量，避免了因为检修导致二次故障的发生。
一种精准定位高压互锁装置判断方法

[发明专利]用于热轧钢胚除锈与挡水的装置及其方法-CN201510248877.7在审
发明人：林芳州;张家豪;李宗翰;郭承宗;魏嘉民;黄金川 -专利权人：财团法人金属工业研究发展中心
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： B21B45/04 文献下载
摘要：本发明提供一种用于热轧钢胚除锈与挡水的装置，主要包括一个除锈模块、一个高压除锈区、一个低压挡水区，其一个除锈模块，设有一个机械钢轮及一个驱动组件，该机械钢轮相对该驱动组件旋转；高压除锈区形成于该除锈模块之后，该高压除锈区设有至少一个高压喷嘴，该高压喷嘴提供高压流体并喷射形成布幕状；低压挡水区形成于该除锈模块与该高压除锈区之间，该低压挡水区设有至少一个低压喷嘴，该低压喷嘴供低压流体并喷射形成布幕状。当钢胚经过斜钢板后将使机械钢轮加压于钢胚上进行机械除锈，随后高压喷嘴喷洒除锈水将锈皮从钢胚上打落，低压喷嘴朝钢胚前进方向喷洒流体，阻绝残留高压除锈水往加热炉方向流动。
用于轧钢除锈装置及其方法

[发明专利]用于监控燃料配量系统的方法和装置-CN200680033822.3有效
发明人： H·G·博塞迈耶;M·哈克纳 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2006-09-11 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： F02D41/22 文献下载
摘要：本发明描述一种用于监控燃料配量系统的方法和装置，在这种燃料配量系统中，燃料从低压区输送到高压区。检测出高压区中的压力。由高压区中的压力曲线识别出故障。由压力降曲线的形状识别出故障形式。
用于监控燃料系统方法装置

[发明专利]一种医疗废物高温灭菌真空包装装置-CN202010364219.5在审
发明人：李金惠;赵娜娜;吕溥;任慧清 -专利权人：清华苏州环境创新研究院;清华大学
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： B65D81/20 文献下载
摘要：本发明提供一种医疗废物高温灭菌真空包装装置，涉及一种医疗废物处置装置，包括医疗废物吸入区、高温水蒸气灭菌区和真空密封包装区，所述的医疗废物吸入区包括吸取医疗废物的吸气装置，所述的高温水蒸气灭菌区包括高温高压控制室和高温高压箱，对医疗废物进行灭菌，所述的真空密封包装区包括二次包装箱和密封装置，对经过高压灭菌的医疗废物进行二次真空密封包装。
一种医疗废物高温灭菌真空包装装置

[发明专利]LDMOS器件及其制作方法-CN202010892470.9在审
发明人：许昭昭 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：其中，方法包括以下步骤：提供半导体基底，在器件半导体基底的周围形成浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构从半导体基底的正面向下延伸；在被浅沟槽隔离结构包围的半导体基底中形成漂移区；在器件源端区域的漂移区中形成体区；形成跨接在体区和漏端区域之间的栅极结构；在器件漏端区域的漂移区中形成高压LDD区；在连接体区和高压LDD区的栅极结构侧边处分别形成侧墙；在体区和高压LDD区中分别形成源区和漏区，源区和漏区与对应的侧墙形成交叠区域
ldmos 器件及其制作方法

[发明专利]半导体集成器件的制造方法-CN202310471064.9在审
发明人：曹子贵;梁肖;姜波;于涛 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/8258 文献下载
摘要：具体的，其在衬底的高压器件区中利用沉积、刻蚀以及离子注入工艺，形成P型高压阱N型高压阱，再在整个衬底的表面上形成厚度较厚的高压氧化层和硬掩膜层，再利用光刻、刻蚀以及离子注入工艺，在已形成的所述P型高压阱和所述N型高压阱的情况下，在低压器件区中形成P型低压阱和/或N型低压阱，进而避免了在形成BCD器件的低压器件区的薄栅氧时，需要采用时长大约在200s左右的湿刻工艺，先去除低压器件区中的厚栅氧化层所造成的遮蔽高压器件区的光刻胶层发生卷边、翘起甚至完全剥离，进而导致高压器件的厚栅氧暴露在该刻蚀溶液中所造成的高压器件的厚栅氧被减薄甚至完全被刻掉。
半导体集成器件制造方法

[发明专利]高压功率LDMOS器件及其制造方法-CN201110078650.4有效
发明人：吴孝嘉;张森;朱坤峰 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种高压功率LDMOS器件及其制造方法。所述高压功率LDMOS器件包括：基底；位于基底内的渐变漂移区，所述渐变漂移区包括掺杂类型相同的漏端阱区和源端阱区，所述漏端阱区和源端阱区相连通，且所述漏端阱区的深度大于源端阱区的深度；位于所述渐变漂移区上的场氧化层本发明所提供的高压功率LDMOS器件及其制造方法，具有工艺简单、成本较低的优点；且工艺过程容易控制，可使器件的击穿电压和导通电阻等关键参数保持较好的稳定性。
高压功率 ldmos 器件及其制造方法

[发明专利]无水箱高压喷洗马桶-CN201710189847.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：刘鹏
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： E03D11/02 文献下载
摘要：一种无水箱高压喷洗马桶，在对应马桶排污口主污染区，从水圈向下延伸的高压喷洗管，接近排污口的高压喷射管上的喷射孔近距离高压直喷主污染区，冲洗效果显著提高。
水箱高压马桶

[发明专利]具有可扩展性漂移区电阻的高压晶体管模型方法-CN201110312430.3无效
发明人：武洁 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-14 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有可扩展性漂移区电阻的高压晶体管模型方法，包括以下步骤：第一步，按照器件结构，将漏侧漂移区分为三部分：沟道有源区下的漂移区Loverld、场氧下的漂移区Ldrift1和漏极有源区下的漂移区Ldrift2；将源侧漂移区也分为三部分：沟道有源区下的漂移区Lovers、场氧下漂移区Ldrifts1和源极有源区下的漂移区Ldrifts2；第二步，精确模拟每部分漂移区的电阻特性；采用下述公式模拟器件的栅源电压Vgs、漏源电压Vds和体源电压Vbs对漂移区电阻特性的影响；本发明能够有效提高高压MOS或高压LDMOS模型精度，以提高高压集成电路仿真精度，节约电路设计周期。
具有扩展性漂移电阻高压晶体管模型方法

[发明专利]一种超高压零泄漏机械密封端面结构-CN202010492904.6在审
发明人：马学忠;张伟政;丁雪兴 -专利权人：兰州理工大学
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： F16J15/447 文献下载
摘要：一种超高压零泄漏机械密封端面结构，包括机械密封的动环、静环，所述动环或静环端面的一侧为高压侧即上游，所述动环或静环端面的另一侧为低压侧即下游，所述动环或静环其中之一的端面被分为五个功能结构区域，该系列区域在密封端面环带状区域内分布且从下游侧到上游侧依次为密封坝区、导向功能结构区、低压控漏功能结构区、隔离功能结构区和高压承载功能结构区。导向、低压控漏和隔离功能结构区由周向台阶、微织构和环槽组合构成，其中导向功能结构区另有径向直线槽联通低压控漏、隔离、高压承载功能结构区和上游侧，高压承载功能结构区为锥面构型，在导向、低压控漏和隔离功能结构区之间是密封堰本发明的有益效果是可在导向结构和隔离结构功能影响下在低压控漏功能结构区产生包围密封端面的低压区形成强节流作用从而克服超高压差阻力，同时上游侧锥面构型产生强流体静压效应，使密封运行在非接触状态。该发明可使用于液体、气体或气液混相介质，在超高压条件下易实现零泄漏和非接触运行，服役寿命长。
一种超高压泄漏机械密封端面结构

[发明专利]一种制造P型轻掺杂漏区的方法-CN201210401337.4有效
发明人：潘光燃;石金成;高振杰 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造P型轻掺杂漏区的方法，应用于高压集成电路的制造过程中，所述方法包括：在第一高压集成电路半成品表面形成第一光刻胶层；将所述第一高压集成电路半成品表面的第一区域和第二区域上的所述第一光刻胶层去除；向所述第一高压集成电路半成品表面注入第一离子，获得第二高压集成电路半成品，所述第一离子用于形成所述P型轻掺杂漏区，及对所述低压PMOS和所述非对称型高压PMOS的阈值电压进行调节。
一种制造掺杂方法

[实用新型]一种低温甲醇洗能量回收利用的装置-CN201920933513.6有效
发明人：李乃杰;范莹莹;张圣程 -专利权人：山东晋煤明升达化工有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C10K1/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及回收装置技术领域，具体为一种低温甲醇洗能量回收利用的装置，包括高压区输入管道、液力透平进口控制系统、出口联锁切断系统、能量回收结构、减压调节系统和联锁装置，高压区输入管道前端连通高压液体箱，高压输入管道后端连通至液力透平，高压输入管道中间设有液力透平进口控制系统，液力透平另一侧连通低压区输出管道，低压区输入管道前端连接出口止回阀，低压输入管道中间设置有出口联锁切断系统，低压输入管道末端连通低压液体箱，有益效果为：可以有效回收高压液体的是能，还可以降低电能效果，达到节能降耗的作用。
一种低温甲醇能量回收利用装置

[实用新型]配流盘、轴向柱塞泵及轴向柱塞马达-CN201721696316.4有效
发明人：赵燕;赵斌;杜璇 -专利权人：徐工集团工程机械有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： F04B7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种配流盘、轴向柱塞泵及轴向柱塞马达，其中，配流盘，其包括低压区、高压区和预调压区，预调压区设于低压区与高压区之间，预调压区设有缓冲结构。本实用新型通过在预调压区设置缓冲结构，能够缓冲压力，延长油压的提升或降低时间，减少压力冲击和流量脉动，降低噪声。
压区预调配流盘轴向柱塞马达本实用新型轴向柱塞泵缓冲结构低压区高压区油压缓冲压力降低噪声流量脉动压力冲击

[实用新型]一种反吹清洁功能的过滤网系统-CN202120887152.3有效
发明人：李丙前;李连宏;张金乾;李阳;程桂军;李凯悦 -专利权人：科瑞特空调集团有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： B01D46/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种反吹清洁功能的过滤网系统，其在框架结构内部设置有一个可环形转动的过滤网，在过滤网上设置有一个高压送风区，高压送风区外端连接外部的高压风机，通过高压送风区朝向过滤网送风，将过滤网上的杂质向外吹送，高压送风区的外部设置有一个积尘腔室，其将过滤网上吹下的杂质定向输送。
一种反吹清洁功能过滤网系统

[发明专利]中高压CMOS器件及其制作方法-CN202010277804.1有效
发明人：许昭昭 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种中高压CMOS器件及其制作方法。其中器件包括：第一导电类型阱区形成于基底层中；栅极结构设于第一导电类型阱区位置处的基底层上；源区结构设于栅极结构一侧的第一导电类型阱区中；源区结构包括预先掺杂结构，和形成于预先掺杂结构中的第二导电类型重掺杂源极；预先掺杂结构包括低压LDD结构和晕环结构；漏区结构设于栅极结构另一侧的第一导电类型阱区中；漏区结构包括中高压LDD结构，和形成于中高压LDD结构中的第二导电类型重掺杂漏极。方法中的晕环注入可以增加中高压器件的有效沟道注入，延缓器件的短沟效应。漏端的中高压LDD注入可以改善N型重掺杂区与P型阱区之间的掺杂梯度，保证器件的击穿电压。
高压 cmos 器件及其制作方法