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[发明专利]涡旋式压缩机主机-CN201410052717.0有效
发明人：杨齐;杨明;苟义昌;严智谋 -专利权人：四川省宜宾普什模具有限公司;四川巨伦科技开发有限公司
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： F04C18/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有良好散热性能的涡旋式压缩机主机，包括静盘和动盘，所述静盘和动盘相互配合安装，还包括水冷结构和高压区水冷腔，所述水冷结构设置在静盘的背面，所述高压区水冷腔位于静盘的压缩腔中并在高压区涡旋型线内侧在静盘上分别设置水冷结构和高压区水冷腔，当涡旋式压缩机主机工作时，就可以向水冷结构和高压区水冷腔中注入冷却水，利用冷却水带走主机摩擦产生的热量，有效的控制主机的温度。高压区水冷腔与压缩空气是隔离的，因此不必在最后分离介质，使得冷却的效率提高而且不会污染压缩区。整个压缩机主机可以采用对称结构，以获得较好的平衡能力。
涡旋式压缩机主机

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN201710611685.7有效
发明人：韩广涛;白浪;何颖彦;陆阳;周逊伟 -专利权人：杰华特微电子(杭州)有限公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，包括多晶硅高压电阻和结型场效应晶体管，所述的多晶硅高压电阻集成于所述结型场效应晶体管上，所述多晶硅高压电阻的两端分别连接所述结型场效应晶体管的N+注入区和顶层P型注入区；所述多晶硅高压电阻为螺旋结构，螺旋设置于N+注入区和顶层P型注入区之间。本发明将多晶硅高压电阻集成于结型场效应晶体管(JFET)上，结型场效应晶体管的N+注入区与顶层P型注入区之间的漂移区具有电压梯度差，避免了氧化层被击穿。同时，本发明将多晶硅高压电阻制作成螺旋结构，节约了硅材料的尺寸。
一种半导体结构及其制造方法

[实用新型]一种风力发电机组变桨系统的电气柜布局结构-CN202221106411.5有效
发明人：陈晓东;呼木吉乐图;曹经鹏;柴华;马雪姣;王芳;李瑞娟;刘学军;袁文杰;张鹏;张恒;王忠渊 -专利权人：内蒙古京能乌兰伊力更风力发电有限责任公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： F03D80/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种风力发电机组变桨系统的电气柜布局结构，包括电气柜体，电气柜体的内部分别设有呈分隔分布的超级电容安装区、高压器件安装区、低压器件安装区以及电气操作区；其中，超级电容安装区位于电气柜体的一侧且从其下端延伸至其上端，电气操作区位于其上端部/和其下端部，高压器件安装区设有用于接地的接地排，且包括位于中间的第一高压器件安装区以及位于另一侧上方的第二高压器件安装区；低压器件安装区位于另一侧的下方；本实用新型确保对需要有效接地的高压器件进行有效的接地连接，有效地防止了高压线和低压线可能发生的互相干扰，而且结构紧凑、便于后续进行维护操作，有效利用了风力发电机轮毂内的有限安装空间。
一种风力发电机组系统电气布局结构

[发明专利]一种智能配电台区-CN201510983213.5在审
发明人：王福润;关世龙;石岩;王合建;苏金亮;杜会娟;朱清龙 -专利权人：国家电网公司;国网北京市电力公司;南京南瑞集团公司;北京电研华源电力技术有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H02J3/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种智能配电台区，所述配电台区包含主变模块、高压开关模块及二次配电箱模块；所述主变模块、所述高压开关模块和所述二次配电箱模块设置于输电线路与配电区之间；其中所述高压开关模块与所述输电线路相连，用于当配电区出现故障时，开断所述配电区与所述输电线路的连接；所述主变模块与所述高压开关模块相连，用于调节所述输电电路输出的电压；所述二次配电箱模块与所述主变模块相连，用于监测所述配电区的实时状态，并根据所述实时状态调整配电区多相电路的负荷
一种智能配电

[发明专利]泵体结构及设有其的压缩机-CN201811416093.0在审
发明人：李自好;樊峰刚;张洪玮 -专利权人：珠海格力节能环保制冷技术研究中心有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： F04C18/356 文献下载
摘要：泵体结构包括：气缸，开设气缸腔；滚子，可转动地设置于气缸腔内，滚子的外侧壁与气缸腔壁之间形成压缩空间；滑片，活动装配于气缸上，且滑片一端抵持于滚子；其中，当泵体结构处于压缩气体状态时，压缩空间被滑片分隔成低压区与高压区，滑片在高压区中的高压气体的作用下呈抵持于滚子的自锁状态。上述泵体结构，无论高压区中的高压气体及发生液击现象时施加于滑片的压力有多大，由于滑片处于抵持于滚子的自锁状态，因此滚子始终与滚子紧密接触，从而避免了滑片与滚子分离而使高压区与低压区串气，进而避免滑片在复位撞击滚子产生噪音
滚子滑片泵体结构高压区抵持高压气体压缩空间自锁状态低压区气缸腔压缩机气缸活动装配气缸腔壁压缩气体液击现象可转动外侧壁状态时串气分隔复位噪音施加

[发明专利]基于超级电容端电压预先控制的能量管理优化方法-CN201410538347.1无效
发明人：赵璐璐;张效宇;何岩;韩建;操丰梅;张涛;刘树;刘志超;陈建卫;刘坤;杜金陵;刘智全;王立超 -专利权人：北京四方继保自动化股份有限公司
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：一种基于超级电容端电压预先控制的能量管理优化方法，首先设定超级电容端电压预先控制的定值，包括高压越限定值U_max、高压限制定值U_UpSet、低压越限定值U_min、低压限制定值U_LowSet，4个定值将超级电容划分为5个工作区域，包括高压越限区、高压限值区、正常工作区、低压限值区、低压越限区。在高压越限区限制超级电容充电允许放电，在高压限制区减少充电增加放电，以减缓超级电容端电压上升的速度，在正常工作区不调整超级电容的功率期望，在低压限制区减少放电增加充电，以减缓超级电容端电压下降的速度，在低压越限区限制超级电容放电允许充电
基于超级电容端电压预先控制能量管理优化方法

[发明专利]流体泵实现负载区压力高于一值空转低时渐增输出的设置-CN201310529422.3无效
发明人：不公告发明人 -专利权人：黄汉文
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： F04B53/10 文献下载
摘要：于工作负载区与泵高压区设一单向压感阀A，该阀从泵高压腔向负载区开通。于泵的高、低压腔开一通道，通道上设置一单向可调压感阀B，该阀由泵高压腔向低压腔开放，并按设定的值调整该阀的临界点。工作原理：当工作负载区压力大大的大于阀B设定的临界值时，阀A关闭，阀B全开，高压腔里高压液体全部经阀B回流低压腔，形成泵体空转状态。当负载压力降到某一值时，可调压感阀B开始进入感应工作区，阀A进入开闭的临界点，压力继续下降，阀B开始关闭，阀A开始开通而起分流作用，压力继续下降到B阀的临界点，B阀全关闭，开始全部高压液流向工作负载区。
流体实现负载压力高于空转低时渐增输出设置

[发明专利]非易失性存储器件及其形成方法-CN200710181862.9无效
发明人：崔正达;薛钟善;姜昌锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-10-19 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种存储器件包括具有单元区、低压区以及高压区的衬底。接地选择晶体管、串选择晶体管以及单元晶体管位于单元区中，低压晶体管位于低压区中，以及高压晶体管位于高压区中。位线接触件位于串选择晶体管上，高压接触件位于高压晶体管上，以及位线位于位线接触件上。第一绝缘层位于衬底上，以及第二绝缘层位于第一绝缘层上。公共源极接触件和第一低压接触件延伸到第一绝缘层的高度，以及位线接触件和第一高压接触件延伸到第二绝缘层的高度。
非易失性存储器及其形成方法

[实用新型]泵体结构及设有其的压缩机-CN201821959973.8有效
发明人：李自好;樊峰刚;张洪玮 -专利权人：珠海格力节能环保制冷技术研究中心有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： F04C18/356 文献下载
摘要：泵体结构包括：气缸，开设气缸腔；滚子，可转动地设置于气缸腔内，滚子的外侧壁与气缸腔壁之间形成压缩空间；滑片，活动装配于气缸上，且滑片一端抵持于滚子；其中，当泵体结构处于压缩气体状态时，压缩空间被滑片分隔成低压区与高压区，滑片在高压区中的高压气体的作用下呈抵持于滚子的自锁状态。上述泵体结构，无论高压区中的高压气体及发生液击现象时施加于滑片的压力有多大，由于滑片处于抵持于滚子的自锁状态，因此滚子始终与滚子紧密接触，从而避免了滑片与滚子分离而使高压区与低压区串气，进而避免滑片在复位撞击滚子产生噪音
滚子滑片泵体结构高压区抵持高压气体压缩空间自锁状态低压区气缸腔压缩机气缸本实用新型活动装配气缸腔壁压缩气体液击现象可转动外侧壁状态时串气分隔复位噪音施加

[实用新型]一种消防工程用快速膨胀救生垫-CN201921295462.5有效
发明人：丁浩祥;丁浩权;丁癸夫 -专利权人：广东祥益建筑工程有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： A62B1/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及救生垫技术领域，更具体地说，它涉及一种消防工程用快速膨胀救生垫，包括由下至上一侧设置的高压区、中压区和低压区，所述高压区包括保护垫和设置于保护垫的多个高压气垫，多个所述高压子垫呈矩形阵列排布；所述中压区包括设置于多个高压气垫上的中压气垫；所述低压区包括设置于中压气垫上的低压气垫，所述高压气垫的压强大于中压气垫的压强，所述中压气垫的压强大于低压气垫的压强，所述中压气垫内设置有压强传感器，所述中压气垫还设置有进气门和排气门
一种消防工程快速膨胀救生

[实用新型]一种多电压分配工装-CN202120813675.3有效
发明人：舒云波;姚龙 -专利权人：厦门凯信博电子科技有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01R13/447 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多电压分配工装，涉及电压分配技术领域，其技术方案要点是：包括壳体以及设于壳体内的电源分配单元，所述壳体表面设有高压区与低压区，所述高压区与低压区上均设有用于控制对应电压启闭的电源开关，且所述高压区上设有高压接口，所述低压区上设有多个低压接口，且各个所述低压接口的电压大小不一致，所述高压接口与低压接口上均设有安装座，所述安装座上开设有与高压接口或低压接口连通的连通口，所述连通口上活动设有封片
一种电压分配工装

[发明专利]一种用于有浮动电压端的半导体器件的表面耐压层-CN98116187.1有效
发明人：陈星弼 -专利权人：电子科技大学
申请日： 1998-07-23 - 公布日： 2003-01-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种用于低端电压浮动的高压半导体器件的表面耐压层，它含有两个耐压区，第一个耐压区被第二个耐压区所包围。第一个耐压区与边缘的顶部的电压可以相对于衬底而浮动。利用本发明可在同一芯片上不用介质隔离或p-n结隔离技术而制作有浮动电压端的高端高压器件、与高端高压器件的浮动电压端等电位的盆以及串接的高端高压器件与低端高压器件。且与CMOS或BiCMOS工艺兼容。
一种用于浮动电压半导体器件表面耐压

[实用新型]高压电气设备绝缘故障模拟装置-CN201921079741.8有效
发明人：赵红雁 -专利权人：张家港水云新能源科技有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：一种高压电气设备绝缘故障模拟装置，可模拟高压电气设备中高压电力线对地的绝缘情况，实现对专用绝缘监测设备的各种技术性能的检测。包括高压直流模拟系统，电阻模拟系统(包括正极绝缘电阻区和负极绝缘电阻区)，电容模拟系统(包括正极电容区和负极电容区)，低压直流模拟系统和输入输出接口。该装置具有故障模拟范围广，在绝缘情况突然恶劣、高压电力线直接短地等极限情况的多功能模拟。
高压电气设备绝缘故障模拟装置

[发明专利]内嵌齐纳二极管结构的可控硅瞬态电压抑制器-CN201310292542.6无效
发明人：董树荣;钟雷;曾杰;郭维 -专利权人：江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种内嵌齐纳二极管结构的可控硅瞬态电压抑制器，包括P型衬底，P型衬底上设置有高压N阱，高压N阱上设置有P阱，第一N+注入区和第一P+注入区设置在高压N阱的区域内；第二N+注入区和P-body区的两端分别跨设在高压N阱和P阱的区域之间；第三N+注入区、第二P+注入区设置在P阱的区域内；跨设在高压N阱和P阱区域上的第二N+注入区和P-body区构成齐纳二极管结构。本发明的内嵌齐纳二极管结构的可控硅瞬态电压抑制器，通过常规堆叠用于高压ESD防护时，避免闩锁效应，有效的对集成电路的输入输出端MOS管的栅极氧化层起到良好的保护效果，结构简单，容易实现，具有良好的应用前景
齐纳二极管结构可控硅瞬态电压抑制器

[实用新型]内嵌齐纳二极管结构的可控硅瞬态电压抑制器-CN201320414333.X有效
发明人：董树荣;钟雷;曾杰;郭维 -专利权人：江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内嵌齐纳二极管结构的可控硅瞬态电压抑制器，包括P型衬底，P型衬底上设置有高压N阱，高压N阱上设置有P阱，第一N+注入区和第一P+注入区设置在高压N阱的区域内；第二N+注入区和P-body区的两端分别跨设在高压N阱和P阱的区域之间；第三N+注入区、第二P+注入区设置在P阱的区域内；跨设在高压N阱和P阱区域上的第二N+注入区和P-body区构成齐纳二极管结构。本实用新型的内嵌齐纳二极管结构的可控硅瞬态电压抑制器，通过常规堆叠用于高压ESD防护时，避免闩锁效应，有效的对集成电路的输入输出端MOS管的栅极氧化层起到良好的保护效果，结构简单，容易实现，具有良好的应用前景
齐纳二极管结构可控硅瞬态电压抑制器