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[发明专利]一种单层多晶硅栅MTP器件及其制造方法-CN200610119037.1有效
发明人：龚顺强;徐向明 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-12-04 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种提供一种单层多晶硅栅MTP器件及其制造方法，该器件也包括高压编程区域、存储器晶体管和晶体管电容区，但其高压编程区是与原高压编程区的预埋注入区电特性相同的隧道效应发生区。该方法即省却常规的埋层注入工艺而利用多晶硅栅形成后的沟道注入在高压编程区形成与预埋注入区电特性相同的隧道效应发生区；上述隧道效应发生区部分形成沟道反形层，以提高隧道效应发生区的电容、提高有源区结击穿电压
一种单层多晶 mtp 器件及其制造方法

[实用新型]一种高压直流金属封闭开关配电柜-CN202222564988.7有效
发明人：胡秋生;任海亮;华晓松;白振宇;刘俊 -专利权人：无锡市锡山湖光电器有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H02B1/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高压直流金属封闭开关配电柜，包括配电柜柜体，以及设置在配电柜柜体内并呈逆时针分布的机构区、电缆区、断路器区、高压电容区、低压电容区，以及仪表区；所述断路器区与机构区之间设置封板隔板，封板隔板上设置观察窗以便观察高压室电器元件状态；所述高压电容区、低压电容区和断路器区之间均通过隔板形成封闭隔室。
一种高压直流金属封闭开关配电柜

[发明专利]改善金属栅高压器件集成工艺中低压器件漏电的方法-CN202310333920.4在审
发明人：田志;陈昊瑜;邵华 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请提供一种改善金属栅高压器件集成工艺中低压器件漏电的方法，包括：步骤S1，提供一衬底，衬底包括低压器件区、中压器件区和高压器件区；步骤S2，回刻蚀中压器件区和低压器件区的有源区；步骤S3，在中压器件区和低压器件区形成第一栅氧化层；步骤S4，去除低压器件区的第一栅氧化层；步骤S5，在低压器件区形成第二栅氧化层。本申请同时对中压器件区和低压器件区的有源区进行回刻蚀，避免单独回刻蚀高压器件区和中压器件区对低压器件区的隔离部件的消耗，确保低压器件区的隔离部件高于有源区，不增加低压器件的漏电。
改善金属高压器件集成工艺低压漏电方法

[发明专利]一种城市规划新片区的电网规划方法-CN202010802179.8在审
发明人：蒋粤群;温剑基;邹杰平;张央;景琪文;杜广明;欧阳敏红;江国华;丁宜;刘举祥;谢丽平;王强;姜树伟;刘鹤峰;钟策 -专利权人：广东顺德电力设计院有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明涉及配电技术领域，公开了一种城市规划新片区的电网规划方法，所述新片区围绕旧片区扩张成带，具有若干沿带的长度方向分布的功能区，每一功能区具有若干已开发/正在开发/未开发地块，所述电网规划方法包括如下步骤：S1.分析所述新片区或及其周边原有各高压变电站的容量、负载率、主变N‑1校核情况；S2.预测所述新片区的远景负荷；S3.根据步骤S1的分析和步骤S2的预测规划高压变电站新建、或和改造项目，将新建高压变电站设置在所述新片区中沿带的宽度方向的中间本发明对新建高压变电站的选址，除了满足基本原则外，特别将其设置在新片区中沿带的宽度方向的中间，有利于靠近负荷中心与跟原有高压变电站保持合适距离之间的平衡，以便站间联络。
一种城市规划新片电网规划方法

[实用新型]一种电缆故障测试仪-CN201720052698.0有效
发明人：谢东;韩荣涛;蔡进 -专利权人：广州朗誉特电子科技有限公司
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： G01R31/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电缆故障测试仪，包括箱体，所述箱体上设置有兆欧表操作区、故障相高压检测区、分析判别区和低压脉冲区；所述兆欧表操作区上设置有与连接箱体内部兆欧表连接的兆欧表插孔；所述故障相高压检测区包括与高压发生器连接的输入接口，所述输入接口连接到箱体内部的十次脉冲产生器；所述十次脉冲产生器连接到故障相高压检测区的输出接口；所述十次脉冲产生器控制端连接有十次脉冲自动触发装置；本实用新型的电缆故障测试仪，采用模块化布局，更加清晰明了，通过欧表操作区先判别哪种故障，接着选择故障相高压检测区或低压脉冲区进行检测，检测结果通过分析判别区进行分析和显示。
一种电缆故障测试仪

[实用新型]一种电池系统控制箱-CN201620157360.7有效
发明人：胡淼龙 -专利权人：浙江安美科技有限公司
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H02B1/28 文献下载
摘要：一种电池系统控制箱，具有插箱内胆和插箱外壳，插箱内胆分隔为高压区和低压区，高压元器件设置于高压区，信号接收与管理线路板安装于低压区，插箱内胆正面设置有面板，面板上设置有高压接口区和低压接口区，高压接口区设置有总正接口、总负接口、正极输出接口、负极输出接口、充电正极接口、充电负极接口，低压接口区设置有检测接口、通讯接口和充电机接口，总正接口与电流传感器连接，电流传感器再与总正熔断器连接，总正熔断器与放电继电器连接，又与直流降压模块的正极输入端连接，放电继电器与正极输出接口连接；低压接口区上的检测接口、通讯接口和充电机接口分别通过通讯线缆与BMU线路板相连。
一种电池系统控制箱

[实用新型]一种废气净化脱白除味一体机-CN201921780271.8有效
发明人：李玮峰 -专利权人：山东艾派仕环境科技有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： B01D53/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种废气净化脱白除味一体机，包括塔体、进风管、填料布风区、高压电离区、风冷脱白区、平台、爬梯、出风管和喷淋反冲洗区，所述塔体底部一侧安装有进风管，在塔体内由下往上依次安装有填料布风区、高压电离区和喷淋反冲洗区，在塔体顶端安装有平台，在平台中央位置安装有与高压电离区顶部相接的出风管，在平台周围安装有护栏，所述风冷脱白区安装在塔体的侧壁上，刚好与高压电离区相邻，在塔体前端面底部设有排污管。由于采用上述技术方案，本实用新型的有益效果为：本实用新型通过高压电离区和风冷脱白区同时作用，可同时解决脱白和除味的问题，而且采用开放式结构，便于维修保养。
一种废气净化一体机

[实用新型]一种稳定的高低压配电柜监控设备-CN202222226574.3有效
发明人：冯曙东;施凯;胡作伟 -专利权人：常州市兰翔电器有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H02B1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种稳定的高低压配电柜监控设备，包括配电柜柜体、隔板、围板、高压区散热盒、高压区散热风扇、低压区散热盒、高压区温度计和低压区温度计，所述配电柜柜体内部设置有隔板，所述配电柜柜体内部设置有第一不锈钢层本实用新型通过，配电柜柜体、高压区散热盒和低压区温度计；优点在于，实现了通过不锈钢提供整体支撑的稳定，不锈钢内部设置气凝胶，用于提高外部和内部之间隔热，以及高压区和低压区之间的隔热能力，稳定性较好，散热能力强
一种稳定低压配电柜监控设备

[发明专利]一种手机安全充电器-CN201610667517.5在审
发明人：毛向阳 -专利权人：深圳市湖渊电气技术有限公司
申请日： 2016-08-15 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01R13/502 文献下载
摘要：本发明公开一种手机安全充电器，包括设有220伏电源插头的内部高压区侧壳体及设有低压直流输出USB插口的内部低压区侧壳体，所述高压区侧壳体内部设有开关电源高压侧PCBA组件、高压原边绕组组件及原边侧锰锌铁氧体磁芯，所述低压区侧壳体内部设有开关电源低压侧PCBA组件、低压副边绕组组件及开关电源副边侧锰锌铁氧体磁芯，鲜明特征：高压区侧壳体与低压区侧壳体在内部空间交界横断面上是分离设计并电气上完全绝缘隔离的。本发明提供了一种当高压侧绕组发生烧融、短路及电气绝缘击穿等恶性事故时，低压侧仍然能够保持对原边高压侧的良好电气绝缘隔离。从此彻底杜绝手机充电器对人体及生命安全的严重伤害事件发生。
一种手机安全充电器

[实用新型]一种变压器骨架-CN202120593438.0有效
发明人：王柱军 -专利权人：天长市兴龙电子有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01F27/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种变压器骨架，包括方形骨架主体和两个底条，两个所述底条分别相对设置在方形骨架主体两侧上；所述方形骨架主体中间设有圆形通孔；所述方形骨架主体包括靠近其中一个底条的高压区和靠近另一底条的低压区；所述高压区和所述低压区相邻并列设置；所述高压区包括两个间隔设置的高压隔离片，两个高压隔离片间形成高压线圈槽；所述低压区包括至少两个间隔设置的低压隔离片，相邻所述低压隔离片间形成低压线圈槽；所述高压隔离片和所述低压隔离片均为方形
一种变压器骨架

[实用新型]一种耐高压喷头座及其多工位喷头-CN202220898284.0有效
发明人：费柏军 -专利权人：费柏军
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B05B15/62 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种耐高压喷头座及其多工位喷头，属于高压清洗机技术领域，其中耐高压喷头座包括塑料座体，塑料座体包括设有高压喷嘴的喷嘴设置区，高压喷嘴包括小直径出水端和大直径进水端，喷嘴设置区上嵌装有能够卡住小直径出水端的金属嵌件，大直径进水端周围设有能够防止金属嵌件脱离喷嘴设置区的防脱承托部，既解决了纯塑料座体存在的高压喷嘴射出的风险，又解决了纯金属座体存在的后续工艺处理繁琐的问题。其中多工位喷头包括接头底座、快速接头和耐高压喷头座；接头底座包括喷头座安装区和接头安装区，喷头座安装区上凸起供有塑料座体转动连接的喷头座承托部，快速接头包括接头进水端和接头出水端，接头出水端能与旋转至此的喷嘴对接
一种高压喷头及其多工位

[发明专利]设有阻尼孔的齿轮油泵侧板-CN201510260282.3有效
发明人：周亚东;陈文辉;郑金朝;孙小平 -专利权人：合肥长源液压股份有限公司
申请日： 2015-05-20 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： F04C15/00 文献下载
摘要：设有阻尼孔的齿轮油泵侧板，侧板呈8字形，所述侧板的背面设有ω形的密封圈槽，所述密封圈槽将所述侧板的背面分割成高压区和低压区，其中高压区位于所述密封圈槽的凸边侧，低压区位于所述密封圈槽的凹边侧，所述侧板的背面沿Y轴方向的两端分别在以相应圆孔的圆心为顶点、圆心角为β的扇形区间形成次高压区，所述密封圈槽的两端分别穿出所述两次高压区，所述侧板上还设有两个贯通所述侧板的阻尼孔，所述阻尼孔位于所述次高压区和所述密封圈槽的穿出所述次高压区的部分所围成区间本发明具有可使侧板两端面的液压油推力稳定、减轻侧板磨损、提高高压齿轮油泵性能、可靠性和使用寿命、降低高压齿轮油泵的启动扭矩等优点。
设有阻尼齿轮油泵

[实用新型]设有阻尼孔的齿轮油泵侧板-CN201520329151.1有效
发明人：周亚东;陈文辉;郑金朝;孙小平 -专利权人：合肥长源液压股份有限公司
申请日： 2015-05-20 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： F04C15/00 文献下载
摘要：设有阻尼孔的齿轮油泵侧板，侧板呈8字形，所述侧板的背面设有ω形的密封圈槽，所述密封圈槽将所述侧板的背面分割成高压区和低压区，其中高压区位于所述密封圈槽的凸边侧，低压区位于所述密封圈槽的凹边侧，所述侧板的背面沿Y轴方向的两端分别在以相应圆孔的圆心为顶点、圆心角为β的扇形区间形成次高压区，所述密封圈槽的两端分别穿出所述两次高压区，所述侧板上还设有两个贯通所述侧板的阻尼孔，所述阻尼孔位于所述次高压区和所述密封圈槽的穿出所述次高压区的部分所围成区间本实用新型具有可使侧板两端面的液压油推力稳定、减轻侧板磨损、提高高压齿轮油泵性能、可靠性和使用寿命、降低高压齿轮油泵的启动扭矩等优点。
设有阻尼齿轮油泵

[发明专利]一种半导体结构的制造方法-CN202011283775.6在审
发明人：蔡君正;周儒领;许宗能;吴佳特;许玉媛 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述制造方法包括：提供一衬底，其包括高压区和低压区；形成牺牲氧化层和牺牲氮化层于所述衬底上；形成图案化的光阻层于所述氮化层，并暴露出位于所述高压区上的所述牺牲氮化层；以所述图案化的光阻层为掩模，对所述高压区进行刻蚀，以于所述高压区内形成凹部；形成高压氧化层于所述凹部内，其与所述牺牲氧化层平齐，且厚度大于所述牺牲氧化层的厚度；移除所述低压区上的所述牺牲氮化层；形成介质层于所述高压区和所述低压区上；形成先进图案化层于所述介质层上
一种半导体结构制造方法

[发明专利]高压区浅沟槽顶角端圆化的方法-CN200710094366.X有效
发明人：迟玉山;吕煜坤 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压区浅沟槽顶角端圆化的方法，在利用普通的方法形成浅沟槽结构后，保留硬质掩膜层，还包括以下步骤：1.利用光刻胶填充在所有的浅沟槽区域，并在有源区上方形成一定的厚度；2.去除高压区内有源区上方的全部光刻胶，浅沟槽内光刻胶保留一定的厚度，而低压区被光刻胶覆盖；3.对高压区内的浅沟槽顶角进行圆化处理；4.去除残余的光刻胶和其它残余物。本发明利用二次区域处理的方法，实现高压电路中高压区与低压区内浅沟槽隔离结构对顶角圆化的不同要求。在高压区可以获得所需要的更高程度的圆化顶角；同时，在低压区获得相对较小的圆化顶角，避免了大圆化顶角工艺可能带来的不利影响。
高压沟槽顶角端圆化方法