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- [其他]ESD保护装置-CN201490000538.6有效
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足立淳;安中雄海;鹫见高弘
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株式会社村田制作所
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2014-04-08
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2016-04-06
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H01T4/12
- 上隔着间隔相对地设置第一、第二放电电极(3、4)，设置促进第一、第二放电电极(3、4)之间的放电的放电辅助电极(5)，使得连接第一放电电极(3)和第二放电电极(4)，放电辅助电极(5)由(i)包含金属以及相对介电常数高于所述基板的高介电常数材料的第一混合材料；(ii)包含被不具有导电性的材料覆盖的金属、以及相对介电常数高于所述基板的高介电常数材料的第二混合材料；(iii)包含被不具有导电性的材料覆盖的金属、半导体粒子以及相对介电常数高于所述基板的所述高介电常数材料的第三混合材料；以及(iv)包含被不具有导电性的材料覆盖的金属、具有所述基板的相对介电常数以下的相对介电常数的低介电常数材料以及相对介电常数高于所述基板的所述高介电常数材料的第四混合材料构成的组中选择的至少一种混合材料构成
- esd保护装置
- [发明专利]合成多层陶瓷电子部件及其制造方法-CN01143780.4无效
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杉本安隆;近川修;森直哉
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株式会社村田制作所
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2001-12-19
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2002-07-24
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H01G4/12
- 一种合成多层陶瓷电子部件,它包括相互层迭的高介电常数层和至少一个低介电常数层。高介电常数层包括一种高介电常数材料,相对介电常数εγ的为20或更大,低介电常数层包括一种低介电常数材料,相对介电常数εγ约为10或更小。高介电常数材料主要包含BaO－TiO3－ReO3/2介质,与第一玻璃成分,BaO－TiO3－ReO3/2介质表示为xBaO－yTiO3－zReO3/2介质,x、y与z为%克分子并满足8x18,52.5y65,20z40,且x+y+z=100,Re为稀土元素,低介电常数材料包含由陶瓷与第二玻璃成分组成的合成物。该合成多层陶瓷电子部件在不同类材料界面处防脱层或变形,能以低温烧制,适合高频应用。
- 合成多层陶瓷电子部件及其制造方法
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200510132207.5有效
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王志豪;蔡庆威;陈尚志
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2005-12-22
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2006-08-09
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H01L29/78
- 本发明涉及一种具有高介电常数材料的半导体装置，包括一基底，以及形成于基底上的高介电常数材料，此高介电常数材料最好是非结晶形的HfSiON。在一较佳的实施例中，此高介电常数材料含有氮成分。在一较佳的实施例中，氮化硅层是使用喷射气相沉积法形成于高介电常数材料上的。在此JVD氮化层沉积之后，此层具有较低的电荷陷阱密度，并且具有与氧化物或氮氧化物相当的载流子迁移率以及更佳的等效氧化层厚度。本发明还可包含第二含氮层，形成于高介电常数材料以及栅电极之间，作为扩散阻障层之用。本发明可减少形成于高介电常数材料中的氧空缺所造成的问题，因此而减少费米能级钉扎效应。
- 半导体装置及其制造方法
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