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[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质-CN201910555332.9在审
发明人：高畑觉;布村一朗;饭田宰;关原仁;筒口和典;柴田仁 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质，其目的在于根据工艺的类别和/或要形成的膜种类变更移载室的气体环境。基板处理装置具备：进气阻尼器及进气扇，它们与向连接于进行基板处理的处理室的移载室吸入空气的进气口连通；非活性气体导入管的阀，该非活性气体导入管向移载室供给非活性气体；排气扇及排气阀，它们设于移载室；切换机构，其从将移载室的气体环境设为空气环境的空气模式和将移载室的气体环境设为非活性气体环境的吹扫模式中选择某一模式；和控制机构，其通过对进气阻尼器及进气扇、非活性气体导入管的阀、和排气扇及排气阀分别进行控制来执行空气模式和吹扫模式中的某一模式
移载非活性气体气体环境导入管基板处理装置进气阻尼器空气模式进气扇排气阀排气扇吹扫进气口非活性气体环境半导体器件基板处理空气环境吸入空气种类变更连通制造

[发明专利]气体置换用干燥房-CN202010268559.8在审
发明人：田中亘;西国原仁美;河口和彦;岩崎麻由;江岛宽明 -专利权人：株式会社西部技研
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： B01D53/02 文献下载
摘要：本发明提供一种气体置换系统，其在容纳了制造装置的非活性气体浓度的干燥室中，能够在较短时间内进行大气环境或者低露点、非活性气体环境的切换。一种需要以低露点、非活性气体浓度保持室的内部清洁的气体置换用系统，在该气体置换用系统中，通过在进行维修或保养等期间，设成以单向的方式向室内引入干燥空气而将湿气向装置外排出，并且非活性气体循环管线均被阀等封闭而独立地进行循环运转通过连接低露点气体供给装置与非活性气体精制装置而形成一体型，变得省空间并且低成本。
气体置换干燥

[发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN201880025411.2有效
发明人：岩﨑晃久;高桥弘明 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种基板处理方法，包含有：基板保持步骤，保持具有露出了金属的表面的基板；非活性气体置换步骤，对所述基板的表面附近供给非活性气体，由此以非活性气体置换所述基板的表面的周围的环境气体；调整步骤，以形成所述金属不会与冲洗液反应的惰性态的方式或者以所述金属与所述冲洗液反应并形成钝态的方式调整该冲洗液的pH；以及冲洗液供给步骤，在所述基板的表面的周围的环境气体被非活性气体置换后，将调整过pH的所述冲洗液供给至所述基板的表面。
处理方法装置

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、程序、记录介质以及废气处理系统-CN202080060372.7在审
发明人：境正宪;加藤努;足谷笃彦 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：即使在除害装置停止的情况下，也使处理气体无害化。具有：反应管，其收纳基板；处理气体供给部，其向反应管内供给处理气体；排气部，其将反应管内的处理气体排出；废气处理室，其与排气部连接，对排出的处理气体进行处理；第一非活性气体供给部，其与向反应管内供给第一非活性气体的非活性气体供给源连接，向废气处理室供给第一非活性气体；第二非活性气体供给部，其向废气处理室供给第二非活性气体；排气管，其将废气处理室内的气体排出；以及控制部，其构成为能够控制第一非活性气体供给部和第二非活性气体供给部。使得在废气处理室中对处理气体进行处理的期间，从第一非活性气体供给部向废气处理室供给第一非活性气体，在废气处理室的处理停止时从第二非活性气体供给部向废气处理室供给第二非活性气体。
处理装置半导体制造方法程序记录介质以及废气系统

[发明专利]基板处理装置-CN201710165807.4有效
发明人：吉田武司 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：挡板与基板、具有与基板的上表面相向的相向面的相向构件一起形成从周围的环境气体隔离的空间。通过非活性气体供给单元向空间供给非活性气体，从而将空间内的环境气体置换为非活性气体。
处理装置

[发明专利]基板处理装置以及吹扫方法-CN202110052278.3在审
发明人：马场则夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供能够缩短将基板搬送室内置换为非活性气体的时间的技术。本公开的一个方式的基板处理装置具有：基板搬送室，其能够在大气环境与非活性气体环境之间进行切换；以及袋体，其设置在所述基板搬送室内，通过导入气体而膨胀，通过排出气体而收缩。
处理装置以及方法

[发明专利]玻璃光学元件的制造装置和玻璃光学元件的制造方法-CN201380004828.8有效
发明人：山田清美;渡边隆志;中滨正人 -专利权人：奥林巴斯株式会社
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： C03B11/00 文献下载
摘要：玻璃光学元件的制造装置具有：加热部，其对玻璃材料进行加热；加压部，其对玻璃材料进行加压；冷却部，其对玻璃材料进行冷却；以及成型室，其配置有加热部、加压部、冷却部，在该玻璃光学元件的制造装置中，具有：非活性气体提供部，其通过朝彼此交叉的多个方向喷出非活性气体，在成型室中形成非活性气体的多个气流；以及非活性气体排出部，其使由非活性气体提供部向成型室提供的非活性气体从成型室排出。
玻璃光学元件制造装置方法

[发明专利]湿法清洗中的非活性氛围装置-CN200710187552.8无效
发明人：许义全 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2007-11-26 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种湿法清洗工艺中的非活性氛围装置，包括：至少一个非活性气体容器，每个容器中容纳一种非活性气体；清洗单元，该清洗单元包括：位于清洗单元上部的风机过滤单元，通过管道与上述至少一个非活性气体容器或空气相连通，用于吸入并过滤非活性气体或空气；位于清洗单元中部的清洗槽；位于清洗单元下侧的排气管，用于将清洗单元内部的气体排出；位于气体管道中的气泵，用于循环利用非活性气体；用于控制非活性氛围装置的控制板。本发明可以使清洗单元内部层流气体为非活性气体，从而防止活性较强的金属与空气中的氧气发生氧化反应，同时，保持了清洗单元内的纯气体氛围，从而避免空气中的不纯杂质污染晶片，以及其它非预期反应。
湿法清洗中的活性氛围装置

[实用新型]湿法清洗中的非活性氛围装置-CN200720181473.1无效
发明人：许义全 -专利权人：和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2007-11-26 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种湿法清洗工艺中的非活性氛围装置，包括：至少一个非活性气体容器，每个容器中容纳一种非活性气体；清洗单元，该清洗单元包括：位于清洗单元上部的风机过滤单元，通过管道与上述至少一个非活性气体容器或空气相连通，用于吸入并过滤非活性气体或空气；位于清洗单元中部的清洗槽；位于清洗单元下侧的排气管，用于将清洗单元内部的气体排出；位于气体管道中的气泵，用于循环利用非活性气体；用于控制非活性氛围装置的控制板。本实用新型可以使清洗单元内部层流气体为非活性气体，从而防止活性较强的金属与空气中的氧气发生氧化反应，同时，保持了清洗单元内的纯气体氛围，从而避免空气中的不纯杂质污染晶片，以及其它非预期反应。
湿法清洗中的活性氛围装置

[发明专利]基板清洗装置-CN201310185238.1无效
发明人：今井正芳 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种基板清洗装置，具有：处理室（40），在内部具有将基板表面向上地水平保持、向一个方向输送的基板输送部（30）；清洗部（50、52），向在处理室（40）内移动的基板的表面供给清洗液、非接触地清洗该表面；以及非活性气体吹送部（64、66），分别向由清洗部（50、52）清洗的基板的表面以及背面吹送非活性气体、一边用非活性气体干燥基板一边使处理室（40）内成为非活性气体环境。
清洗装置

[发明专利]用于原子层沉积的系统和方法-CN201811181548.5有效
发明人： E·J·C·刘 -专利权人： ASM IP 控股有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：向第一反应物气体管线供应所述第一反应物蒸气。以第一流动速率向第一非活性气体管线供应非活性气体。借助于第一进料管线将所述第一反应物蒸气和所述非活性气体馈送到所述反应器组件。通过以高于所述第一流动速率的第二流动速率向所述第一非活性气体管线供应所述非活性气体来吹扫所述反应器组件。可以将所述非活性气体的第一部分沿着所述第一反应物气体管线的扩散屏障部分反向馈送以提供在所述第一非活性气体管线上游的惰性气体阀(IGV)。可以借助于所述第一进料管线将所述非活性气体的第二部分馈送到所述反应器组件。
用于原子沉积系统方法

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和程序-CN201980020201.9在审
发明人：吉田怜亮;加我友纪直 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：具有：对于处理室内的基板供给原料气体和非活性气体的第一工序，在停止供给原料气体的状态下对基板供给非活性气体，将处理室内残留的原料气体除去的第二工序，对基板供给反应气体和非活性气体的第三工序，在停止供给反应气体的状态下对基板供给非活性气体，将处理室内残留的反应气体除去的第四工序；并且，在第四工序中具有非活性气体的流量比在第三工序中供给的非活性气体的流量少的时刻点。
半导体装置制造方法处理程序

[发明专利]用金属钠被覆的电极的制造方法-CN201280046266.9有效
发明人：伊藤英明;小林仁;山下利秋;丸山慎一 -专利权人：日本曹达株式会社
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01M4/1395 文献下载
摘要：经过如下工序用金属钠被覆集电体，所述工序为（1）在非活性气体环境下（氧浓度为0.01%以下、露点为-10℃以下），在集电体上涂布钠分散体并加热干燥的工序，该钠分散体含有选自亚胺盐和粘结剂中的至少一个和金属钠；（2）在上述非活性气体环境下，将表面显示金属光泽的固体金属钠片压接在集电体上的工序；（3）在减压环境下使金属钠蒸镀在集电体上的工序；或者（4）在上述非活性气体环境下，将在150～300℃对表面进行烧制的集电体浸渍于除去了在表面产生的由杂质形成的被膜后的熔融金属钠中
金属钠被覆电极制造方法

[发明专利]一种环境大气活性气体光化学生成速率测量装置-CN202310499636.4在审
发明人：胡仁志;蔡浩天;童金钊;谢品华 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种环境大气活性气体光化学生成速率测量装置，涉及大气环境监测领域及自动化控制领域。装置由进气模块、光化学反应装置、宽带高精密腔测量系统及控制系统组成。进气模块将纯环境大气或添加了反应气的大气混合气注入到光化学反应装置中；光化学反应装置是环境大气或大气混合气进行光化学反应产生活性气体的场所；宽带高精密腔测量系统将含有活性气体的大气混合气进行采样并测量得到吸收光电信号，控制系统接收吸收光电信号并进行计算处理得到活性气体的生成速率。本发明具有自动快速切换测量光化学与非光化学条件下的活性气体生成速率的优势，并可在室外或实验室内开展活性气体生成速率的准确测量。
一种环境大气活性气体光化学生成速率测量装置

[发明专利]用于原子层沉积的系统和方法-CN202310722452.X在审
发明人： E·J·C·刘 -专利权人： ASM IP 控股有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：向第一反应物气体管线供应所述第一反应物蒸气。以第一流动速率向第一非活性气体管线供应非活性气体。借助于第一进料管线将所述第一反应物蒸气和所述非活性气体馈送到所述反应器组件。通过以高于所述第一流动速率的第二流动速率向所述第一非活性气体管线供应所述非活性气体来吹扫所述反应器组件。可以将所述非活性气体的第一部分沿着所述第一反应物气体管线的扩散屏障部分反向馈送以提供在所述第一非活性气体管线上游的惰性气体阀(IGV)。可以借助于所述第一进料管线将所述非活性气体的第二部分馈送到所述反应器组件。
用于原子沉积系统方法

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