“非晶碳层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3305452个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种耐蚀导电涂层及其制备方法和应用-CN202310031476.0在审
发明人：吴勇;陶冠羽;陈辉;夏春怀;杨甫;孙清云;夏思瑶;杜建融;曾路 -专利权人：武汉材料保护研究所有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：该耐蚀导电涂层由内向外依次设置为金属打底层、转化层和掺杂非晶碳层；其中，掺杂非晶碳层包括掺杂耐蚀非晶碳层和掺杂导电非晶碳层，且掺杂耐蚀非晶碳层为致密层和疏松层交替设置的分层单元结构；所述金属打底层和转化层通过高功率脉冲磁控溅射制备，所述掺杂非晶碳层通过高功率脉冲和直流脉冲磁控共溅射制备。本发明通过设置非晶碳功能分区掺杂耐蚀非晶碳层与掺杂导电非晶碳层，并构筑分层单元的掺杂耐蚀非晶碳层，结合高功率脉冲和直流脉冲共溅射制备掺杂耐蚀非晶碳层，强化了掺杂耐蚀涂层的整体结构，最终实现了不牺牲涂层导电性能又显著增强涂层的耐蚀能力的目标
一种导电涂层及其制备方法应用

[发明专利]一种燃料电池金属双极板用非晶碳涂层及制备方法-CN202111230638.0有效
发明人：徐晓明;洪吉超;赤骋;陈东方;胡松;王越;李跃华;胡桐;李仁政;赵磊;唐伟;孙旭东;袁秋奇 -专利权人：北京格睿能源科技有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01M8/0232 文献下载
摘要：本发明涉及染料电池极板涂层技术领域，具体涉及一种燃料电池金属双极板用非晶碳涂层及制备方法。所述涂层包括过渡层和非晶碳复合层；过渡层包括金属层和Me/C梯度层，Me为金属层元素，C为碳；非晶碳复合层包括非晶碳耐腐蚀层和非晶碳导电层；非晶碳耐腐蚀层有n个单元，每个单元由高偏置电压层和低偏置电压层组成所述涂层的制备方法为采用物理气相沉积的方法在金属双极板表面依次制备金属层、Me/C梯度层、非晶碳耐腐蚀层、非晶碳导电层。本发明采用闭合场非平衡磁控溅射技术制备非晶碳耐腐蚀层提高涂层耐腐蚀性，在非晶碳耐腐蚀层表面制备非晶碳导电层提高涂层的界面导电性，实现燃料电池金属双极板耐腐蚀性和高导电性的同步提升。
一种燃料电池金属极板用非晶碳涂层制备方法

[发明专利]一种光伏电池的制造方法-CN201510139206.7在审
发明人：克新文 -专利权人：昆明豫云通信技术有限公司
申请日： 2015-03-28 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏电池的制造方法，在硅基板上形成第一透明导电层和非晶硅薄膜层，对非晶硅薄膜层进行光刻后刻蚀形成凹槽，在凹槽中沉积并充满非晶碳，对填充有非晶碳的非晶硅进行平坦化，从而分别形成非晶硅薄膜层、非晶硅材料层、非晶碳材料层和第一非晶碳薄膜层，非晶硅材料层与非晶碳材料层在水平方向上相互间隔从而形成超晶格P型半导体层，在第一非晶碳薄膜层上依次形成本征非晶硅半导体层、N型非晶硅半导体层、第二非晶碳薄膜层、第二透明导电层以及电极。本发明提出的光伏电池制造方法能够增加光能带，并扩展对太阳光谱波长范围的吸收与降低P型半导体层电阻，从而增加光伏电池的光电转换效率。
一种电池制造方法

[发明专利]含非晶碳被膜-CN201410482607.8在审
发明人：诹访浩司;广濑景太;佐藤彰;渡边裕二 -专利权人：佑能工具株式会社
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种含非晶碳被膜，其是高硬度且具有与基材的高密合力、能够大幅提升加工用工具和机械部件的寿命且实用性极为优秀的含非晶碳被膜。本发明涉及一种含非晶碳被膜，其是在基材上形成的含非晶碳被膜，其中，膜厚分别为0.05μm以上的非晶碳被膜层[A]和非晶碳被膜层[B]按照所述非晶碳被膜层[A]配置在基材侧、所述非晶碳被膜层[B]配置在表层侧的方式层积构成，该含非晶碳被膜整体的膜厚设定为0.1μm以上且1.5μm以下，所述非晶碳被膜层[A]和所述非晶碳被膜层[B]具有规定的膜质。
含非晶碳被膜

[发明专利]一种表面改性非晶碳膜的消融针和非晶碳膜的制备方法-CN202211262732.9有效
发明人：曹旭丹;宓娅娜;杨辉 -专利权人：浙江融仕医疗科技有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面改性非晶碳膜的消融针和非晶碳膜的制备方法,包括子电极，子电极表面沉积过渡层，过渡层表面沉积非晶碳膜，非晶碳膜包括多层交替层叠的掺杂非晶碳膜，本发明在消融针的子电极沉积过渡层和非晶碳膜，非晶碳膜设置为掺Cr非晶碳膜一、掺Ti非晶碳膜和掺Cr非晶碳膜二交错层叠的结构对多极射频消融针子电极进行表面改性，保证了非晶碳膜的导电性，提高了非晶碳膜的附着力，降低了非晶碳膜的内应力，通过掺Cr非晶碳膜二控制非晶碳膜硬度，使具备该硬度的非晶碳膜在子电极针伸展和收拢过程中不会发生涂层开裂、脱落的现象，同时提高了消融过程中子电极的抗粘连性能。
一种表面改性非晶碳膜消融制备方法

[发明专利]用于提高硬掩模的选择性的惰性气体注入-CN202180033452.8在审
发明人：丹妮拉·安乔斯·里格斯比;拉格什·普顿科维拉卡姆;爱丽丝·G·霍利斯特;赵烈 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：形成具有低氢含量和低sp3碳键合但高模量和硬度的非晶碳硬掩模。非晶碳硬掩模通过在等离子体沉积室中在低温下沉积非晶碳层并将非晶碳层进行双重等离子体‑热处理来形成。双重等离子体‑热处理包括将非晶碳层暴露于惰性气体等离子体以在非晶碳层中注入惰性气体物质并将非晶碳层暴露于高温。非晶碳硬掩模相对于底层材料具有高蚀刻选择性。
用于提高硬掩模选择性惰性气体注入

[发明专利]半导体器件中的透明非晶碳结构-CN200480032967.2有效
发明人： Z·殷;W·李 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2004-09-08 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：形成透明非晶碳层。该透明非晶碳层具有低吸收系数以致非晶碳在可见光中是透明的。该透明非晶碳层可以使用于半导体器件中用于不同的目的。该透明非晶碳层可以包括在半导体器件的最终结构中。该透明非晶碳层还可在半导体器件的制造期间的蚀刻处理中用作掩模。
半导体器件中的透明非晶碳结构

[发明专利]一种光伏电池-CN201310500099.7有效
发明人：丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏电池，自下而上依次包括：基板、第一透明导电层、非晶硅薄膜层、超晶格P型半导体层、第一非晶碳薄膜层、本征非晶硅半导体层；N型非晶硅半导体层；第二非晶碳薄膜层、第二透明导电层以及电极。其中超晶格P型半导体层由非晶硅材料层与非晶碳材料层在水平方向上相互间隔形成，所述非晶硅材料层与非晶碳材料层的宽度相等，厚度相同；非晶硅薄膜层、超晶格P型半导体层、第一非晶碳薄膜层所组成的三明治结构用于提高光伏电池的电特性与产生空穴
一种电池

[发明专利]一种过渡金属掺杂非晶碳薄膜及其制备方法-CN202111520125.3有效
发明人：李洁;吴胜利;胡文波;易兴康;李永东 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种过渡金属掺杂非晶碳薄膜及其制备方法，属于空间微波器件制造领域，过渡金属掺杂非晶碳薄膜包括在金属基底的表面上按照由下至上的顺序依次设置的过渡金属缓冲层、过渡金属间断性掺杂的非晶碳层以及过渡金属连续掺杂的非晶碳层；过渡金属间断性掺杂的非晶碳层由若干层过渡金属掺杂的非晶碳子层和若干层未掺杂的非晶碳子层交替叠加组成。本发明通过在非晶碳薄膜中掺杂过渡金属，过渡金属原子能与碳原子结合形成相应的碳化物，促进无定型碳网络中的sp3杂化碳碳键向sp2杂化碳碳键转变，提高非晶碳薄膜中sp2杂化碳碳键含量，增强了对电子的散射作用，从而降低非晶碳薄膜二次电子发射系数。
一种过渡金属掺杂非晶碳薄膜及其制备方法

[发明专利]一种双层非晶碳膜及其制备方法-CN202111549122.2在审
发明人：吴春春;杨挺;王涛;张云飞 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种双层非晶碳膜及其制备方法，涉及金属涂层材料制备技术。所述所述双层非晶碳膜包括第一层非晶碳膜和第二层非晶碳膜，且所述第一层非晶碳膜为采用类石墨结构为主的GLC非晶碳膜层，所述第二层非晶碳膜为采用类金刚石为主的DLC膜层。本发明克服了现有技术的不足，通过不同结构的非晶碳的组合，避免了单一结构非晶碳膜硬度高、内应力大、摩擦系数高或者硬度低、内应力小、摩擦系数小的极端问题，有效满足精密器件的保护与装配配合度性能要求。
一种双层非晶碳膜及其制备方法

[发明专利]一种非晶碳基空间抗菌耐磨固体润滑复合膜层-CN202210637894.X在审
发明人：鞠鹏飞;刘京周;翟运飞;臧旭升;徐州;肖金涛;周宏 -专利权人：上海航天设备制造总厂有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶碳基空间抗菌耐磨固体润滑复合膜层，由打底层、金属掺杂非晶碳过渡层、非晶碳层、Cu/Ag共掺杂非晶碳过渡层、Cu/Ag共掺杂非晶碳层以及表层无掺杂非晶碳层构成。本发明提供的非晶碳基空间抗菌耐磨固体润滑复合膜层能够很好的提高空间站运动部件的抗菌特性及润滑特性。
一种非晶碳基空间抗菌耐磨固体润滑复合

[发明专利]一种多晶硅层形成方法、多晶硅层以及半导体结构-CN202010838556.3有效
发明人：吴家伟;王喜勤;吕佐文 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅层形成方法、多晶硅层以及半导体结构，通过在第一非晶硅层上沉积含碳介电层，在含碳介电层上沉积第二非晶硅层，对沉积有含碳介电层的第一非晶硅层和第二非晶硅层进行退火，使第一非晶硅层和第二非晶硅层转换为第一多晶硅层和第二多晶硅层含碳介电层中的碳或碳、氮原子向已形成的第一非晶硅层中扩散，在将非晶硅转换为多晶硅的过程中，碳或碳、氮原子可以阻碍晶粒生长，从而能够调节晶粒的尺寸生成较小晶粒尺寸的多晶硅层，改善多晶硅层性能。
一种多晶形成方法以及半导体结构

[发明专利]MEMS器件的形成方法-CN201110303975.8有效
发明人：毛剑宏;唐德明 -专利权人：上海丽恒光微电子科技有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种MEMS器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底具有固定部件；在所述基底上形成图形化的非晶碳层；在所述图形化的非晶碳层上形成第一膜层，所述第一膜层的材料为锗硅、锗或者硅；图形化所述第一膜层形成可动部件；去除所述图形化的非晶碳层。非晶碳层容易去除而且不会污染腔室；另外，用非晶碳层作为牺牲层，工艺兼容性好；并且，材料为锗硅、锗或硅的第一膜层与非晶碳层的粘附性很好，不会出现第一膜层与非晶碳层之间滑动的现象。
mems 器件形成方法

[发明专利]一种双层多孔结构非晶碳材料的阻变存储器及其制备方法-CN201710317742.0有效
发明人：徐海阳;王中强;陶冶;黎旭红;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种双层多孔结构非晶碳材料的阻变存储器及其制备方法，包括惰性金属，第一层多孔非晶碳，第二层多孔非晶碳，活性金属，所述惰性金属为底电极，第一层多孔非晶碳设在所述底电极上，所述第二层多孔非晶碳设在第一层多孔非晶碳上，在所述第二层多孔非晶碳上设有活性金属，所述活性金属为顶电极，所述第二层多孔非晶碳上的多孔的孔径尺寸大于第一层非晶碳上的多孔的孔径尺寸。本发明免去了初始化的过程，很大程度的提高了器件的产出率；通过控制氮气含量，精确控制介质层中的孔洞尺寸，有效控制导电细丝的形成与断裂，提升了器件的循环中的均一性。
一种双层多孔结构非晶碳材料存储器及其制备方法

[发明专利]非晶质硬质碳被膜-CN200680048148.6有效
发明人：诸贯正树;松井崇;内海庆春;大原久典 -专利权人：株式会社理研;日本I·T·F株式会社
申请日： 2006-11-28 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供一种几乎不含有氢、实际上只包含碳的、与基质材料密合性优良的，高硬度且耐磨损性也优良的非晶质硬质碳被膜。所述非晶质硬质碳被膜由以下构成，即，在基质材料表面上形成的实际上只包含碳的第1非晶质硬碳层，和在第1非晶质硬质碳层表面上形成的实际上只包含碳的第2非晶质硬质碳层；从断面观看时，第1非晶质硬质碳层的透射型电子显微镜像比第2非晶质硬质碳层的透射型电子显微镜像明亮。
非晶质硬质碳被膜

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条