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[发明专利]一种低频率微带功分器和耦合桥的小型化设计方法-CN201410177581.6有效
发明人：李斌;赵慧敏;张波;徐辉;王毅 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：本发明一种低频率微带功分器和耦合桥的小型化设计方法，步骤如下：1、将低频率微带功分器和耦合桥中的高阻或低阻微带线的参数提取出来；2、利用由插指电容、高阻微带线以及端口匹配微带线构成的特殊微带结构替代低频率微带功分器和耦合桥中的高阻或低阻微带线；3、利用所提取的相位参数除以特殊微带结构的相位特性，确定使用几级所述特殊微带结构；4、将确定好的一级或几级所述特殊微带结构级联，替换原高阻或者低阻微带线，得到新的小型化微带功分器、耦合桥。本发明低频率微带功分器、耦合桥的小型化设计。
一种频率微带功分器耦合小型化设计方法

[发明专利]亚稳相稀土镍基氧化物电子相变半导体非贵金属接触电极-CN202211384987.2在审
发明人：陈吉堃;李子昂;高景鑫 -专利权人：北京科技大学;北京低碳清洁能源研究院
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种使用铂、金、钯以外金属作为稀土镍基氧化物电极，通过控制金属电极与稀土镍基氧化物的功函数匹配特性，实现对稀土镍基氧化物的低阻欧姆接触并调控氢致电子相变速率的技术方法。针对稀土镍基氧化物的电子、空穴混合载流子电输运机制，本发明可通过高功函数金属或合金接触实现空穴主导输运下的低阻欧姆接触，亦可通过低功函数金属或合金接触实现电子主导输运下的低阻欧姆接触。此外，通过调控金属与稀土镍基氧化物的功函数匹配关系，控制氢气或混合氢气气氛下稀土镍基氧化物的氢致电子相变速率及电阻率突变程度。本发明所提供技术可应用于突变式热敏电阻的低阻欧姆接触、场效应晶体管、逻辑器件、可重构电子器件等领域。
亚稳相稀土氧化物电子相变半导体贵金属接触电极

[发明专利]有机阻变型存储单元、存储器及其制备方法-CN201110076731.0无效
发明人：刘明;王宏;姬濯宇;商立伟;陈映平;王艳花;韩买兴;刘欣 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机阻变型存储单元、存储器及其制备方法。本发明的有机阻变型存储单元，采用高功函数的金属或导电聚合物为阳极，低功函数的金属为阴极。阳极和有机半导体层之间形成欧姆接触，而阴极和有机半导体层之间形成肖特基接触，从而使该有机阻变型存储单元具有自整流性能。本发明在不明显提高成本和工艺复杂度的前提下，消除了有机阻变型存储单元的误读现象。
有机变型存储单元存储器及其制备方法

[发明专利]基于变压器结构的宽带功分器及应用系统-CN202310055087.1在审
发明人：王旭东;肖知明;胡伟波;马伟 -专利权人：南开大学
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于变压器结构的宽带功分器及应用系统，宽带功分器包括在输入端设置的多个初级线圈、输出端设置的多个次级线圈以及多个隔离电阻，每个隔离电阻与任意两个次级线圈连接，多个初级线圈依次串联连接，初级线圈与对应的次级线圈形成一个耦合变压器；每个次级线圈的一端连接隔离电阻，另一端接地，宽带功分器应用系统中，功分器将高输入阻抗转换为低输出阻抗，使电路功能模块能工作在低输入和输出阻抗下，提高电路功能模块的非线性性能。低阻功率合成器将合成后的低阻功率信号进行阻抗变换，形成常用阻抗再输出。本发明结构简单，并且输出的信号相位与输入信号保持相同，具有宽带工作特性，减小了整体电路的占用空间。
基于变压器结构宽带功分器应用系统

[发明专利]抽油机功图法产液量计量技术-CN201410594739.X在审
发明人：谢前进;杨喜柱;王玉臣;毛骏;逄仁龙 -专利权人：北京伯仲佳和石油技术开发有限公司
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： E21B47/00 文献下载
摘要：本发明公开了抽油机功图法产液量计量技术，包括：分析诊断模块，用于采用诊断模型，计算地面示功图的各级杆功图和泵功图；示功图转泵功图模块，用于采用波动方程，将地面示功图转化为泵功图；液量计算模块，用于基于分析诊断模块计算所得地面示功图和生产数据来，以及分析诊断模块计算所得地面示功图的各级杆功图和泵功图，进行液量计算；数据管理模块，用于基于分析诊断模块和示功图转泵功图模块的处理结果，控制液量计算模块，完成液量计算。本发明所述抽油机功图法产液量计量技术，可以克服现有技术中成本高、操作难度大和计量精确度低等缺陷，以实现成本低、操作难度小和计量精确度高的优点。
抽油机功图法产液量计量技术

[发明专利]一种基于IPD技术的小型化宽带功分器-CN202111305927.2有效
发明人：王高峰;周歆杰;袁博;曹芽子 -专利权人：杭州泛利科技有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明公开一种基于IPD技术的小型化宽带功分器，包括介质层、金属层、以及在金属层上形成的电路结构；电路结构包括输入端口、功分组件、输出端口、阻性隔离组件、接地端口。阻性隔离组件包括n个隔离电阻R，功分组件包括n个功分单元和m个谐振单元，每个功分单元包括功分模块A、功分模块B；其中功分模块包括一个电容、一个电感。通过利用集成无源器件工艺(IPD)将功分组件、输入端口、第一输出端口、第二输出端口以及阻性隔离组件和谐振单元集成于同一芯片，在实现功分器小型化的同时，能得到较好的回波损耗且提高了功分器的带宽，并通过设置阻性隔离组件提高了功分器的隔离度
一种基于 ipd 技术小型化宽带功分器

[发明专利]一种光激励的神经突触仿生忆阻器及其制备方法-CN201811292353.8有效
发明人：高双;李润伟;刘钢 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种光激励的神经突触仿生忆阻器及其制备方法。该忆阻器包括顶电极、底电极，以及位于顶电极与底电极之间的铌掺杂钛酸锶单晶片；顶电极为透明导电的高功函数材料，底电极为低功函数金属材料；铌掺杂钛酸锶单晶片与底电极形成欧姆接触。在光激励下，该忆阻器的电导值呈现“学习、记忆”、“短时遗忘”以及基于过往记忆的“快速回忆”功能，因此能够很好地模拟神经突触的经验式学习行为。
一种激励神经突触仿生忆阻器及其制备方法

[实用新型]一分四宽带功分器-CN201220011016.9有效
发明人：贾华;程敏;刘甫坤;单家方 -专利权人：中国科学院等离子体物理研究所
申请日： 2012-01-12 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01P5/19 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种一分四宽带功分器，包括四组传输线变压器绕组，分别为一个4：1阻抗变换器、一个低阻抗一分二功分器、两个高阻抗一分二功分器，所述低阻抗一分二功分器、高阻抗一分二功分器的两个信号分离端分别跨接一个平衡电阻，4：1阻抗变换器的信号输出端并联连接一个高频补偿电容元件，4：1阻抗变换器的信号输出端同时作为低阻抗二功分电路的信号输入端，低阻一分二功分器的两个信号分离端也分别连接一个电容元件，电容的另一端接地，低阻抗一分二功分器的两个信号分离端同时分别作为两个高阻抗二功分电路的信号输入端本实用新型在1MHz-500MHz范围内具有电压驻波比低，插入损耗小，输出端隔离度高的优点，同时结构紧凑，相对体积小，并降低了成本。
一分宽带功分器

[发明专利]基于薄膜IPD技术的功分电路、功分器以及电子设备-CN202110466680.6在审
发明人：钟伦威;李秀山;肖倩;刘季超;徐鹏飞;李凯红;张玲玲 -专利权人：深圳振华富电子有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H03H7/42 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于薄膜IPD技术的功分电路、功分器以及电子设备，通过采用集成无源器件工艺将第一功分组件、第二功分组件、输入端子、第一输出端子、第二输出端子、容性隔离组件以及阻性隔离组件集成于同一芯片上，第一功分组件的输入端和第二功分组件的输入端分别与输入端子连接，第一功分组件的输出端分别与第一输出端子、容性隔离组件的第一端以及阻性隔离组件的第一端连接，第二功分组件的输出端分别与第二输出端子、容性隔离组件的第二端以及阻性隔离组件的第二端连接连接，第一功分组件、第二功分组件、容性隔离组件和阻性隔离组件分别关于输入端子的中线对称，使功分电路的体积变小以及隔离效果提高。
基于薄膜 ipd 技术电路功分器以及电子设备

[实用新型]基于薄膜IPD技术的功分电路、功分器以及电子设备-CN202120908458.2有效
发明人：钟伦威;李秀山;肖倩;刘季超;徐鹏飞;李凯红;张玲玲 -专利权人：深圳振华富电子有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H03H7/42 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于薄膜IPD技术的功分电路、功分器以及电子设备，通过采用集成无源器件工艺将第一功分组件、第二功分组件、输入端子、第一输出端子、第二输出端子、容性隔离组件以及阻性隔离组件集成于同一芯片上，第一功分组件的输入端和第二功分组件的输入端分别与输入端子连接，第一功分组件的输出端分别与第一输出端子、容性隔离组件的第一端以及阻性隔离组件的第一端连接，第二功分组件的输出端分别与第二输出端子、容性隔离组件的第二端以及阻性隔离组件的第二端连接连接，第一功分组件、第二功分组件、容性隔离组件和阻性隔离组件分别关于输入端子的中线对称，使功分电路的体积变小以及隔离效果提高。
基于薄膜 ipd 技术电路功分器以及电子设备

[发明专利]一种逆阻型氮化镓器件-CN201711119005.6有效
发明人：陈万军;崔兴涛;施宜军;李茂林;刘杰;刘超;周琦;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种逆阻型氮化镓器件。本发明提供了一种无欧姆接触的逆阻型氮化镓器件，避免了高温欧姆退火工艺带来的一系列负面影响。通过绝缘栅控制栅极下方沟道二维电子气的耗尽实现器件的开启和关断，以及基于低功函数金属与InAlN/GaN之间无需通过高温退火即可直接形成类似欧姆接触的原理，采用具有低功函数金属的肖特基源极接触，并通过高功函数金属形成肖特基漏极来实现器件的反向阻断能力
一种逆阻型氮化器件

[实用新型]功分板组件及功分板组件工装系统-CN202020957881.7有效
发明人：龚奎;马红智 -专利权人：京信射频技术（广州）有限公司;京信通信技术（广州）有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： B23K3/08 文献下载
摘要：本公开涉及PCB板焊接技术领域，尤其涉及一种功分板组件及功分板组件工装系统，该功分板组件包括功分板和隔离条，功分板包括第一焊盘组件，第一焊盘组件包括第一焊盘和第一阻焊部，第一焊盘和第一阻焊部间隔设置；隔离条包括第二焊盘组件，第二焊盘组件包括第二焊盘和第二阻焊部，第二焊盘和第二阻焊部间隔设置；第一焊盘和第二焊盘相对设置且焊接连接。本申请所提供的功分板组件中，通过将第一焊盘和第二焊盘对应设置并焊接，同时将第一焊盘和第一阻焊部间隔设置，实现了焊点的均匀分布，且保证了每个第一焊盘处焊接材料用量相同，使隔离条和功分板之间每个焊点的大小相同，保证了功分板组件良好的电性能指标，从而提高了功分板组件的合格率。
功分板组件工装系统

[发明专利]一种水溶性减阻剂及其制备和应用-CN201310552770.2有效
发明人：范华波;李安琪;慕立俊;赵振峰;李宪文;张矿生;薛小佳;吴江;刘锦;吕海燕;周晓群 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C09K8/68 文献下载
摘要：溶剂油加入到反应器中形成油相，在油相中加入亲油性丙烯基单体，将亲水性丙烯基单体溶解于水中，pH值调至8-9形成水相，将水相慢慢滴入油相中，在搅拌下乳化，通入氮气分次加入引发剂，30℃，反应48h，冷却降温，加入阻聚剂，即得到反相微乳液体系，将制备的反相微乳液体系和表面活性剂混合，即得到水溶性减阻剂，用于滑溜水压裂液中降低管路摩阻，减小泵功和提高施工液体的携砂能力，适用于非常规低渗储层的油气开采；本减阻剂的溶解性能好、使用方便、减阻效果明显，与清水相比，减阻效果可达到50%-70%。
一种水溶性减阻剂及其制备应用

[发明专利]一种高效减阻强化微通道换热器装置-CN201910284972.0在审
发明人：周伟;袁丁;褚旭阳;刘成忠 -专利权人：厦门大学
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： F28F21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种高效减阻强化换热微通道换热器装置；其包括一基板和盖板，基板阵列有多个曲面减阻单元，减阻单元由扩张腔和收缩腔组成。通过优化微通道内流体的速度矢量方向与速度梯度夹角，降低了系统压降，在消耗相同泵功相同换热量的情况下，减少了流动阻力，达到高效减阻强化换热效果。本发明通过优化微通道内部几何拓扑曲面实现微通道减阻，应用本技术方案可实现以较小的流动阻力为代价强化微通道换热性能。
减阻微通道微通道换热器流动阻力强化换热换热性能基板阵列几何拓扑速度矢量速度梯度换热量扩张腔收缩腔盖板泵功基板流体压降优化消耗应用

[发明专利]一种自整流忆阻器及其制备方法-CN202211393196.6在审
发明人：李祎;任升广;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供一种自整流忆阻器及其制备方法，包括：衬底、第一电极、阻态切换层、势垒阻挡层以及第二电极；阻态切换层包括一层金属化合物层或者多层金属化合物层；势垒阻挡层包括一层金属化合物层或者多层金属化合物层，且阻态切换层和势垒阻挡层不同时只包括一层金属化合物层；第二电极功函数大于第一电极功函数；当阻态切换层或势垒阻挡层包括多层金属化合物层，沿着第一电极到第二电极的方向各层金属化合物层的空位浓度由高到低梯度变化；阻态切换层中金属化合物层的空位浓度最低值大于势垒阻挡层中金属化合物层的空位浓度最高值。本发明使得自整流忆阻器可以在低阻值区域或者高阻值区域均能具有多个中间状态，即多重电导值。
一种整流忆阻器及其制备方法

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