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[发明专利]包含层压间隔件结构的设备、存储器装置、电子系统及方法-CN202010311532.2在审
发明人： S·博尔萨里;S·E·伍德;李皓玉;王宜平 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本专利申请案涉及包含层压间隔件结构的设备、存储器装置、电子系统及方法。一种设备包括导电结构、另一导电结构及在第一方向上插入于所述导电结构与所述另一导电结构之间的层压间隔件结构。所述层压间隔件结构包括电介质间隔件结构、另一电介质间隔件结构及插入于所述电介质间隔件结构与所述另一电介质间隔件结构之间的额外电介质间隔件结构。所述额外电介质间隔件结构包括至少一个电介质材料及分散于所述至少一个电介质材料内的气窝。
包含层压间隔结构设备存储器装置电子系统方法

[发明专利]一种矿用不耦合连续装药间隔装置及使用方法-CN202211612435.2在审
发明人：戴永刚;徐洪艳;贾世杰;李方伟;张锋;郭卫东;彭英伟;刘晴晴 -专利权人：新疆雪峰爆破工程有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： F42D3/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种矿用不耦合连续装药间隔装置及其使用方法，包括刻度牵拉绳、普通介质间隔器、聚能穴介质间隔器、拉绳挂钩、防偏横轴和固定横轴，普通介质间隔器和聚能穴介质间隔器的顶部和底部均固定有拉绳挂钩，上部拉绳挂钩一端连接有固定横轴，普通介质间隔器和聚能穴介质间隔器部分拉绳挂钩一段与刻度牵拉绳连接、一段粘结在普通介质间隔器和聚能穴介质间隔器顶部和底部表面。本发明能够精确针对不同硬度及完整性的岩石选择合适的间隔器及间隔介质，根据不同地质条件岩层进行合理炸药匹配，最大程度利用炸药能量，降低炸药单耗，提高爆破效果，多样的间隔条件选择使得该装置无论在任何地质条件的露天爆破中均可使用
一种矿用不耦合连续间隔装置使用方法

[发明专利]具有多个硅化物层的晶体管-CN202310073341.0在审
发明人：谷曼;余鸿;彭建伟;王海艇 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该结构包括第一电介质间隔物、第二电介质间隔物以及横向位于第一电介质间隔物和第二电介质间隔物之间的栅极。栅极包括从第一电介质间隔物延伸到第二电介质间隔物的第一硅化物层。
具有多个硅化物层晶体管

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN202110517428.3在审
发明人：辛基东;朴东久;金进勇 -专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：间隔件衬底，包括：间隔件电介质；间隔件顶部端子，在间隔件衬底的顶侧上；间隔件底部端子，在间隔件衬底的底侧上；及间隔件通孔，在间隔件电介质中且与间隔件顶部端子和间隔件底部端子耦合；第一透镜衬底，在第一间隔件衬底上方，第一透镜衬底包括：第一透镜电介质；第一透镜；第一透镜顶部端子，在第一透镜电介质的顶侧上；第一透镜底部端子，在第一透镜电介质的底侧上；及第一透镜通孔，在第一透镜电介质中且与第一透镜顶部端子和第一透镜底部端子耦合；透镜保护器，在第一透镜电介质上方邻近于第一透镜；及第一互连件，与间隔件顶部端子和第一透镜底部端子耦合。
半导体装置制造方法

[发明专利]用于金属互连的电介质间隔体及其形成方法-CN200780031072.0有效
发明人： J·D·比勒费尔德;B·博亚诺夫 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2007-09-21 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：描述了用于多个金属互连的电介质间隔体和用于形成这种电介质间隔体的方法。在一个实施例中，使所述电介质间隔体邻近具有扩口轮廓的相邻金属互连，且所述电介质间隔体彼此不连续。在另一实施例中，所述电介质间隔体提供了无着落点的通孔可以有效地着落于其上的区域。
用于金属互连电介质间隔及其形成方法

[发明专利]一种复合材料真空灌注成型工艺的导流方法-CN201010595147.1有效
发明人：林明;黎华;史俊虎 -专利权人：洛阳双瑞风电叶片有限公司
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： B29C70/34 文献下载
摘要：在干纤维铺层上表面铺设导流介质(5)，所述位于干纤维铺层上表面的导流介质之间具有的间隔构成导流介质隔断区域(8)；在具有间隔的相邻的导流介质(5)之间，搭接导流桥(9)，所述的导流桥将具有间隔的相邻的导流介质(5)之间连通；具有间隔的相邻的导流介质(5)之间搭接的导流桥(9)，与导流介质之间的间隔构成的导流介质隔断区域(8)配合，控制液态树脂在铺层上层分散速度、保证液态树脂在垂直铺层方向即底层渗透分散的速度；所述的具有间隔的相邻的导流介质之间搭接的导流桥，由导流介质(5)构成。
一种复合材料真空灌注成型工艺导流方法

[发明专利]记录介质运送装置及图像形成装置-CN201310342188.3有效
发明人：松本康孝 -专利权人：京瓷办公信息系统株式会社
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： B65H7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种记录介质运送装置。其具备运送路径、运送部、记录介质检测传感器、介质间隔算出部、控制部、差异算出部。差异算出部将基于作为基准传感器的记录介质检测传感器的输出的纸间隔作为基准值，在预先确定的期间算出该基准值减去通过所述介质间隔算出部基于其他的记录介质检测传感器的输出算出的介质间隔所得的差异。控制部在记录介质的连续运送过程中，基于所述基准传感器的输出的介质间隔减去通过所述差异算出部算出的所述差异所得的值在零以下的情况下，使运送部扩大各记录介质的介质间隔。由此，在不降低检测连续运送的各记录纸间的纸间隔的精度的情况下，消除无益控制，可更高速地连续运送记录纸的速度。
记录介质运送装置图像形成

[发明专利]滤波器组件、检测器和滤波器组件的制造方法-CN201980049116.5在审
发明人：格哈德·艾尔姆施泰纳;德西斯拉娃·奥佩尔;黛博拉·莫尔克罗夫特;延斯·霍弗里希特 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G01J1/04 文献下载
摘要：一种滤波器组件，包括入射介质(10)、间隔件(30)、至少一个电介质滤波器(50)和出射介质(70)。间隔件(30)被设置在入射介质(10)与至少一个电介质滤波器(50)之间，使得入射介质(10)和至少一个电介质滤波器(50)被间隔开工作距离(32)，并由此包围折射率低于入射介质(10)的介质。至少一个电介质滤波器(50)设置在出射介质(70)上。
滤波器组件检测器制造方法

[实用新型]一种立式盘管换热器-CN201920177502.X有效
发明人：张秦峰 -专利权人：冀东水泥凤翔有限责任公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： F28D7/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及换热技术领域，具体涉及一种立式盘管换热器，包括外壳和设置在外壳内的换热芯；所述外壳包括上管板和筒体，所述上管板上具有筒状的间隔板；所述换热芯包括中空盘管，所述中空盘管盘设在间隔板与筒体内侧壁之间和间隔板内；所述上管板上开设有热介质进口、热介质出口和冷介质出口，所述筒体的侧壁上开设有冷介质进口；所述热介质进口、热介质出口分别与中空盘管的两端相接；本实用新型通过所述中空盘管螺旋盘设在间隔板与筒体内侧壁之间和间隔板内，配合设置在筒体侧壁上的冷介质进口和上管板上的冷介质出口，能够提升冷热介质的热交换面积，通过间隔板的设置，能够提升冷介质的行程，从而提升换热效率。
间隔板上管板中空盘本实用新型冷介质出口冷介质进口热介质出口热介质进口筒体内侧壁换热芯筒体热交换冷热介质立式盘管配合设置筒体侧壁热效率换热器冷介质螺旋盘侧壁管盘换热筒状

[实用新型]毛发护理器具-CN202223411831.7有效
发明人：尹青山;姜雄男 -专利权人：深圳素士科技股份有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： A45D2/36 文献下载
摘要：该毛发护理器具包括：热风腔，具有第一预设轴线，热风腔被构造为用于容纳热流体并且供热流体流动；护理介质存储腔，与热风腔沿与第一预设轴线垂直的第二预设轴线方向间隔布置，护理介质存储腔被构造为用于容留护理介质；间隔空间，热风腔、间隔空间和护理介质存储腔沿第二预设轴线依次排布，且三者分别为独立腔室，互不连通，间隔空间被构造为将热风腔和护理介质存储腔间隔开，以隔断热风腔至护理介质存储腔的传热路径。本实用新型的毛发护理器具，能够避免热风在吹出过程中影响护理介质，避免破坏护理介质的营养成分，从而保证护理介质对头发的护理效果。
毛发护理器具

[发明专利]用于防止无用放电的电极结构的大气压等离子体发生装置-CN200610121350.9有效
发明人：表宰确;张凤哲;金允焕;金在元;李相老 -专利权人： SE等离子体公司
申请日： 2006-08-22 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01T23/00 文献下载
摘要：提供一种用于防止无用放电的电极结构的大气压等离子体发生装置，更详细地说，是提供一种在电极与电介质之间隔着间隔、并在第1电极与电介质之间填充液体电介质，从而防止无用放电的发生的大气压等离子体电极结构。该大气压等离子体发生装置包括：第1电极，从电源供给单元被施加放电电压；电介质，与所述第1电极隔着规定间隔，并包围所述第1电极；液体电介质，被填充在所述第1电极与所述电介质之间的空间中；第2电极，被设置成与所述电介质隔着规定间隔另外，还包括：第2电介质，与所述第2电极隔着规定间隔，并包围第2电介质；第2液体电介质，被填充在所述第2电极与所述第2电介质之间的空间中。
用于防止无用放电电极结构大气压等离子体发生装置

[发明专利]兼容型记录或重放装置及其方法-CN97110362.3无效
发明人：克里斯琴·比克勒;邓辽金;海因茨－乔尔格·施罗德 -专利权人：德国汤姆逊－布朗特公司
申请日： 1997-04-15 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： G11B7/09 文献下载
摘要：一种对有不同轨道间隔的记录介质进行三点扫描的兼容型记录或重放装置。本发明目的是使得能够在不改变三点扫描系统设置的条件下在这种装置中使用具有不同轨道间隔的记录介质。三点扫描系统的设定方式要使得扫描中心点之间的横向间隔大约为轨道间隔的四分之一的整数倍和不同轨道间隔的公倍数。SD和CD的兼容型记录和重放装置的扫描中心点间隔要选择得使它大约为较小轨道间隔记录介质的轨道间隔的7/4和较大轨道间隔记录介质的轨道间隔的3/4。
兼容记录重放装置及其方法

[发明专利]一种介质表面间隔处理装置-CN202011029951.3有效
发明人：顾峰玮;吴峰;胡志超;谢焕雄;徐弘博;张冲 -专利权人：农业农村部南京农业机械化研究所
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： B02C18/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种介质表面间隔处理装置，其包括间隔板与表面处理组件；多个所述间隔板直线阵列排布，且每相邻两个所述间隔板之间均具备间隙，所有间隙构成间隙阵列；所述间隙阵列包含的所述间隙内间隔安装有所述表面处理组件本发明的介质表面间隔处理装置通过设置多个间隔板可将各表面处理组件分别隔在不同的间隙中，表面处理组件对介质表面进行处理时，不会影响到介质表面上处于表面处理组件所处间隙两侧间隔板以外的部分，如此可达到间隔表面处理的目的，多组表面处理组件可同时对介质表面进行处理，大大提升了处理效率，且处理质量较好。
一种介质表面间隔处理装置

[发明专利]长尺寸介质-CN201510146553.2有效
发明人：江原孝幸;冈崎润;须藤博昭;宇佐美博久;福本纮之 -专利权人：美克司株式会社
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： B41M5/00 文献下载
摘要：本发明提供长尺寸介质及向该长尺寸介质进行输出的图像形成装置。该长尺寸介质在两侧缘部的直线上具备多个刻度。刻度彼此的间隔固定。介质在直线上具备多个第一指标孔。介质还在另外的直线上具备多个第二指标孔。第二指标彼此的间隔比第一指标彼此的间隔小。介质从前端开始依次消耗。介质被消耗时，第二指标接近第一指标。始端刻度与第二指标的间隔（H）表示介质的全长（L）中尚未消耗的长度。刻度是链轮孔。介质具备剥离纸及粘着片。在介质用打印机形成图像。
尺寸介质

[发明专利]一种栅间隔离介质厚度不受栅氧厚度影响的分裂栅MOSFET结构及其制备方法-CN202010367118.3在审
发明人：苏亚兵;赵志方;何鑫鑫;徐亚静 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅间隔离介质厚度不受栅氧厚度影响的分裂栅MOSFET结构及其制备方法，将栅间隔离介质的热氧化生长和栅氧化层的热生长分开进行，创新出一种新的热氧化栅间隔离介质生产方法，使得栅间隔离介质厚度不受栅氧厚度的影响，同时避免了常规热生长方法生产栅间隔离介质缺陷导致栅源漏电及栅源电容大等诸多问题。栅极氧化厚度不影响栅间隔离介质的厚度和质量，可根据器件参数要求自由选择栅氧化层厚度，解决了栅源漏电问题并且降低了栅源电容，增强了器件的开关速度，极大的提升了MOSFET高频开关电源领域的适用性。
一种间隔介质厚度不受影响分裂 mosfet 结构及其制备方法

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