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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]图像定影装置、成像装置和有效控制定影温度的定影方法-CN200610137577.2有效
发明人：进士晃;瀬尾洋 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2006-09-12 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： G03G15/20 文献下载
摘要：一种成像装置、图像定影装置和图像定影方法，所述图像定影方法采用电子照像工艺将调色剂图像定影在记录介质上，能够有效地控制图像定影温度。在一个例子中，当与最大允许尺寸相比较窄的记录介质连续地在图像定影温度供给时，为了保持允许的温度限值，被传输的记录介质之间的间隔被控制为长于默认间隔，该默认间隔与在供给方向上较长的记录介质相对应，以避免在轴向上定影元件端部的温度升高
图像定影装置成像有效控制温度方法

[发明专利]一种抑制放大自发辐射的片状激光放大器-CN201510886026.5在审
发明人：肖凯博;郑万国;郑建刚;蒋新颖;严雄伟;王振国;李敏;张君;田晓琳;张雄军;李明中;袁晓东;粟敬钦;胡东霞;朱启华 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01S3/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制放大自发辐射的片状激光放大器，包括增益介质，所述增益介质至少为2片，所述增益介质位于同一平面内，所述增益介质之间固定有间隔层，所述间隔层材质与增益介质材质不同，该激光放大器有效地抑制高增益、大尺寸片状增益介质中放大自发辐射和寄生振荡对效率的影响，使介质中的增益能力达到理论水平，满足高能高功率激光器定标放大和运行的需求。
一种抑制放大自发辐射片状激光放大器

[实用新型]一种抑制放大自发辐射的片状激光放大器-CN201521007876.5有效
发明人：肖凯博;郑万国;郑建刚;蒋新颖;严雄伟;王振国;李敏;张君;田晓琳;张雄军;李明中;袁晓东;粟敬钦;胡东霞;朱启华 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01S3/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抑制放大自发辐射的片状激光放大器，包括增益介质，所述增益介质至少为2片，所述增益介质位于同一平面内，所述增益介质之间固定有间隔层，所述间隔层材质与增益介质材质不同，该激光放大器有效地抑制高增益、大尺寸片状增益介质中放大自发辐射和寄生振荡对效率的影响，使介质中的增益能力达到理论水平，满足高能高功率激光器定标放大和运行的需求。
一种抑制放大自发辐射片状激光放大器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201711306991.6有效
发明人：唐粕人 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：该方法包括：提供半导体结构，包括：衬底、在衬底上的栅极结构、在栅极结构两侧面上的初始间隔物层和覆盖栅极结构和初始间隔物层的第一层间电介质层；衬底包括分别在栅极结构两侧的源极和漏极；刻蚀第一层间电介质层以形成源极接触孔和漏极接触孔，露出初始间隔物层的部分；去除初始间隔物层的被露出部分以露出栅极结构的侧面；在栅极结构的被露出侧面上形成间隔物结构层；在接触孔中形成源极接触件和漏极接触件；选择性地去除间隔物结构层的至少一部分以形成空气间隙；以及形成第二层间电介质层，该第二层间电介质层覆盖在空气间隙之上。本发明能够形成空气间隙间隔物结构，减小寄生电容。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]FinFET上拉伸应变的调整-CN201310373818.3有效
发明人：江国诚;林志昌;陈冠霖;徐廷鋐;黄俊嘉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：方法包括在鳍中的栅极区的对侧上形成源极/漏极区，在鳍上方形成间隔件，间隔件邻近源极/漏极区，在间隔件之间沉积电介质；以及实施退火工艺以使电介质收缩，电解质的收缩使间隔件变形，间隔件的变形扩大了鳍中的栅极区
finfet 拉伸应变调整

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202110746050.4在审
发明人：韩清华 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：基底；位线，位于基底上，且位线的材料包括金属半导体化合物；半导体通道，包括依次排列的第一掺杂区、沟道区以及第二掺杂区，第一掺杂区与位线相接触；第一介质层，覆盖第一掺杂区侧壁表面，且同一位线上相邻第一掺杂区侧壁的第一介质层之间具有第一间隔；绝缘层，覆盖沟道区侧壁表面；字线，覆盖绝缘层远离沟道区的侧壁表面，且相邻字线之间具有第二间隔；第二介质层，覆盖第二掺杂区侧壁表面，且位于相邻第二掺杂区侧壁的第二介质层之间具有第三间隔；第三介质层，位于第一间隔、第二间隔和第三间隔中。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]一种动态随机存储器结构及其形成方法-CN201810911361.X有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：本发明涉及半导体生产领域，公开了一种动态随机存储器结构，包括具有位元线和字元线的半导体衬底、位于所述位元线的两侧以及所述字元线间隔的区域的上方的插塞孔以及设置于所述插塞孔的两侧的复合电介质层，所述复合电介质层包括第一位线间隔层、第二位线间隔层以及位于所述第一位线间隔层和所述第二位线间隔层的空气间隔。该动态随机存储器结构中采用具有极低介电常数的空气作为电介质材料，从而减少电容连接线间的寄生电容，提高了该动态随机存储器的性能。
一种动态随机存储器结构及其形成方法

[实用新型]一种动态随机存储器结构-CN201821293772.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体生产领域，公开了一种动态随机存储器结构，包括具有位元线和字元线的半导体衬底、位于所述位元线的两侧以及所述字元线间隔的区域的上方的插塞孔以及设置于所述插塞孔的两侧的复合电介质层，所述复合电介质层包括第一位线间隔层、第二位线间隔层以及位于所述第一位线间隔层和所述第二位线间隔层的空气间隔。该动态随机存储器结构中采用具有极低介电常数的空气作为电介质材料，从而减少电容连接线间的寄生电容，提高了该动态随机存储器的性能。
动态随机存储器位线间隔层复合电介质层插塞孔位元线字元线半导体本实用新型低介电常数电介质材料电容连接线寄生电容空气间隔衬底

[发明专利]一种毫米波介质谐振器天线模组及通信设备-CN202110838703.1在审
发明人：赵伟 -专利权人：深圳市信维通信股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01Q9/04 文献下载
摘要：本发明公开一种毫米波介质谐振器天线模组，包括介质谐振器和天线地；所述介质谐振器设置于所述天线地的一侧，且所述介质谐振器在所述天线地的天线近场区范围内，所述介质谐振器与所述天线地之间存在间隔；所述天线地与所述介质谐振器对应的位置设有馈电结构，设置介质谐振器在天线地的天线近场区范围内，且在介质谐振器与天线地之间设置间隔，使天线地能够利用天线近场区对介质谐振器进行馈电，实现了空间馈电，且该馈电方式简单，间隔只要保证介质谐振器在天线地的天线近场区范围内即可
一种毫米波介质谐振器天线模组通信设备

[实用新型]一种毫米波介质谐振器天线模组及通信设备-CN202121700647.7有效
发明人：赵伟 -专利权人：深圳市信维通信股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01Q9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种毫米波介质谐振器天线模组，包括介质谐振器和天线地；所述介质谐振器设置于所述天线地的一侧，且所述介质谐振器在所述天线地的天线近场区范围内，所述介质谐振器与所述天线地之间存在间隔；所述天线地与所述介质谐振器对应的位置设有馈电结构，设置介质谐振器在天线地的天线近场区范围内，且在介质谐振器与天线地之间设置间隔，使天线地能够利用天线近场区对介质谐振器进行馈电，实现了空间馈电，且该馈电方式简单，间隔只要保证介质谐振器在天线地的天线近场区范围内即可
一种毫米波介质谐振器天线模组通信设备

[发明专利]一种增大段差的显示面板及显示装置-CN201811338881.2在审
发明人：杨春辉 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：本发明适用于显示技术领域，提供了一种增大段差的显示面板及显示装置，包括相对设置的第一基板和第二基板；第一基板包括第一基层；主间隔物及辅隔垫物，第二基板包括第二基层，介质层，半导体增高层和金属增高层，设置于介质层内部与主间隔物对应；避让槽开设于介质层，与辅间隔物对应。本发明通过设置半导体增高层和金属增高层以及避让槽，主间隔物与半导体增高层和金属增高层相对，辅间隔物与避让槽相对且可伸入避让槽，使得面板的段差得以增大，增大量为增高部的厚度与避让槽的深度之和，最大可增加半导体增高层和金属增高层的厚度和介质层的厚度之和
一种增大显示面板显示装置

[发明专利]金属栅的制造方法-CN202110600329.1在审
发明人：魏程昶;苏炳熏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属栅的制造方法，包括：步骤一、提供形成有多晶硅伪栅的半导体衬底，在多晶硅伪栅之间具有间隔区。步骤二、形成第一介质层将间隔区的底部区域填充。步骤三、形成第二介质层将间隔区的顶部区域填充，第二介质层采用具有压应力的材料并使多晶硅伪栅的顶部产生拉伸作用。步骤四、去除多晶硅伪栅形成栅极沟槽，在第二介质层的压应力作用下栅极沟槽的顶部关键尺寸增加。本发明能对多晶硅伪栅的形貌进行自对准调整，能同时提高间隔区和栅极沟槽的填充工艺窗口，能同时避免在间隔区和栅极沟槽中产生孔洞，提高器件性能。
金属制造方法

[实用新型]一种基于石墨烯阵列与电介质的复合结构-CN202022910874.4有效
发明人：赵东 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于石墨烯阵列与电介质的复合结构，属于全光通信技术领域。包括靠近入射方向一侧的石墨烯阵列和靠近出射方向一侧的单层，所述石墨烯阵列由若干单层石墨烯和第一电介质层组成，所述第一电介质层和单层石墨烯相间设置，各第一电介质层的厚度相同，所述石墨烯阵列的两侧均为单层石墨烯，所述单层为厚度大于第一电介质层的第二电介质层；可以通过调节第二电介质层的厚度来调节双稳态的阈值和阈值间隔，也可以通过阈值和阈值间隔来检测第二电介质层的厚度。可以通过外界门电压来灵活调节光学双稳态和三稳态的上、下阈值和阈值间隔。
一种基于石墨阵列电介质复合结构

[实用新型]一种液体密封的气压式张力补偿装置-CN202122819316.1有效
发明人：赵永莉;马小英 -专利权人：西安克诺尔轨道交通科技有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： B60M1/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种液体密封的气压式张力补偿装置，包括由储能筒、单作用的液压缸筒、左右端盖焊接而成的缸筒合件，液压缸筒内设置有活塞、活塞杆、中间隔离座与右端盖，通过中间隔离座将储能筒、液压缸筒的内部分隔开来，在中间隔离座的右侧与右端盖、储能筒内壁之间形成独立的液压密封保护区，在中间隔离座的左侧与活塞之间形成工作区，在储能筒的内壁与液压缸筒的外壁之间形成储能区，在液压密封保护区内充入高压液体作为密封介质，在工作区、储能区内充入高压气体作为工作介质与储能介质。设计了独立的液压密封保护区，高压液体作为专门的密封介质，突破了以往起着工作介质和密封介质双层作用的惯例，可实现零泄漏。
一种液体密封气压张力补偿装置

[发明专利]喷墨装置、印刷装置以及喷墨装置的控制方法-CN201980028002.2在审
发明人：丸田正晃;臼井将人 -专利权人：京瓷办公信息系统株式会社
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： B41J2/01 文献下载
摘要：喷墨装置(1)的头(8)向输送的记录介质喷出墨水。移动部(12)使头(8)在将记录介质的印刷面作为正面时的高度方向(Z轴方向)上移动。控制部(10)根据印刷的图像或记录介质，设定喷墨中的喷嘴(81)与印刷面的间隔即喷出时间隔。控制部(10)使移动部(12)将头在Z轴方向上移动，以成为所设定的喷出时间隔。
喷墨装置印刷以及控制方法

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