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[发明专利]记录介质以及该记录介质的形成、记录和再现装置和方法-CN200710101052.8无效
发明人：徐相运;金进镛 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2004-01-20 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： G11B7/007 文献下载
摘要：一种记录介质，例如高密度和/或只读记录介质(诸如BD－ROM)，该记录介质包含以间隔或交替的抖动凹坑编码的复制保护信息，以及在该记录介质上形成、记录及再现数据的方法和装置。
记录介质以及形成再现装置方法

[发明专利]带有以间隔或交替抖动凹坑形成的复制保护信息的记录介质以及该记录介质的形成、记录和再现装置和方法-CN200480000401.1有效
发明人：徐相运;金进镛 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2004-01-20 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： G11B7/007 文献下载
摘要：一种记录介质，例如高密度和/或只读记录介质(诸如BD－ROM)，该记录介质包含以间隔或交替的抖动凹坑编码的复制保护信息，以及在该记录介质上形成、记录及再现数据的方法和装置。
带有间隔交替抖动形成复制保护信息记录介质以及再现装置方法

[发明专利]蓄电模块-CN201780049466.2有效
发明人：久保木秀幸;平井宏树;东小园诚;细江晃久;广濑义幸;永渊昭弘;竹山知阳;小林英一 -专利权人：株式会社自动网络技术研究所;住友电装株式会社;住友电气工业株式会社
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01M10/6557 文献下载
摘要：冷却部件(20)具备：冷却介质(21)；封入体(25)，使第一片部(26A)与第二片部(26B)相向配置，在密闭状态下封入有冷却介质(21)；吸收部件(22A～22C)，配设于封入体(25)内，吸收冷却介质(21)；及间隔件(30A～30D)，配设于封入体(25)的内侧，保持第一片部(26A)与第二片部(26B)之间的间隔。
模块

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210034861.2无效
发明人：玄灿顺 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2012-02-16 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，包括：第一层间电介质层，所述第一层间电介质层形成在半导体衬底之上；接触孔，所述接触孔形成为贯穿所述第一层间电介质层；接触插塞，所述接触插塞分别形成在所述接触孔内；以及间隔件，所述间隔件形成为部分地覆盖所述接触孔内的所述接触插塞的上部侧壁
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种具有磁屏蔽结构的叠层片式共模电感器-CN202310118708.6在审
发明人：詹卓锐;魏云昊;肖倩;刘季超;徐鹏飞;王智会 -专利权人：深圳振华富电子有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01F27/36 文献下载
摘要：本申请提供了一种具有磁屏蔽结构的叠层片式共模电感器，包括磁屏蔽层，磁屏蔽层的内部形成有中空槽部；连接层，设于中空槽部中，连接层的外壁与中空槽部的内壁之间间隔形成环形槽部，连接层的顶面和底面分别与磁屏蔽层连接；介质层，填充于环形槽部中；两个相对间隔设置的电感，各电感设于介质层中并卷绕连接层设置，各电感的两端分别伸出介质层并伸入磁屏蔽层中。本申请通过将两个相对间隔设置的电感设于介质层中，并将各电感卷绕连接层设置，并且在介质层的外侧形成磁屏蔽层，该磁屏蔽层可将位于其内部的介质层、两个电感和连接层包围，从而可有效提高对电感的抑制辐射干扰能力，
一种具有屏蔽结构叠层片式共模电感器

[发明专利]扫描天线和扫描天线的制造方法-CN201980081997.9有效
发明人：原猛;田中义规;中野晋;R·A·史蒂文森;S·林恩;C·瓦雷尔;C·肖特;F·陈 -专利权人：夏普株式会社;集美塔公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：扫描天线具有：TFT基板(101Aa)；缝隙基板(201Aa)；液晶层(LC)，其设置在TFT基板与缝隙基板之间；密封部(73Aa)，其设置于非发送接收区域，包围液晶层；反射导电板，其配置为隔着电介质层与第2电介质基板的第2主面相对；第1间隔物结构体，其规定发送接收区域中的第1电介质基板与第2电介质基板的第1间隙；以及第2间隔物结构体，其规定比第1间隙宽的、非发送接收区域中的第1电介质基板与第2电介质基板的第第2间隔物结构体配置在密封部内或由密封部包围的区域内。
扫描天线制造方法

[发明专利]介质供给装置-CN202110193668.2有效
发明人：增田直哉;堀荣治 -专利权人：理想科学工业株式会社
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B65H3/12 文献下载
摘要：本发明涉及介质供给装置，在介质供给装置中，准确地供给浮起的介质。作为介质供给装置(1)的限制部的一个例子的1对侧挡板(12、12)具有：作为1对第1限制部分的一个例子的1对凸部(12b、12b)，其在与输送方向(D)正交的宽度方向(W)上相对地配置，并在宽度方向(W)上对装载于装载台(11)的介质(M)进行限制；以及作为1对第2限制部分的一个例子的1对限制面(12a、12a)，其以比该1对凸部(12b、12b)之间的间隔(间隔(S11))大的间隔(S12)在宽度方向(W)上相对地配置，并在宽度方向(W)上对浮起的介质(M)进行限制。
介质供给装置

[发明专利]四银低辐射镀膜玻璃及其制造工艺-CN201110381649.9无效
发明人：林嘉宏 -专利权人：林嘉宏
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种四银低辐射镀膜玻璃及其制造工艺，所述四银低辐射镀膜玻璃在玻璃基板上设有镀膜，其特征在于，所述镀膜的膜层结构自玻璃基板向外依次为：第一电介质组合层、第一银层、第一间隔层电介质组合层、第二银层、第二间隔层电介质组合层、第三银层、第三间隔层电介质组合层、第四银层、第二电介质组合层。本发明采用了独特的膜层结构和制造工艺，并且进一步使用了新型材料的电介质层代替传统的金属阻挡层，使玻璃可见光透过率大幅提升、减少了干扰色，并且增加了颜色选择范围，使改良后的产品具很高的可见光透过率、极低的辐射率
四银低辐射镀膜玻璃及其制造工艺

[实用新型]一种显示模组及显示器-CN202120938186.0有效
发明人：贺建文 -专利权人：江西联创（万年）电子有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本实用新型提供一种显示模组及显示器，包括CF基板、TFT基板以及连接两者的导电结构，导电结构包括导电连接部与导电介质，导电连接部设置在TFT基板上、且相对IC模块对称且彼此间隔；导电介质包括设于导电连接部上的第一竖直部、且由第一竖直部延伸出第一水平部，导电介质相对IC模块及柔性电路板彼此间隔，CF基板通过导电介质粘接在TFT基板上。通过导电介质的第一竖直部与第一水平部增大了TFT基板与CF基板的粘接面积，从而提高银浆的导电效果，进一步地，导电介质相对IC模块彼此间隔，避免银浆与IC模块靠的太近，影响显示效果，解决了现有技术中显示器体验效果差以及现象画异的问题
一种显示模组显示器

[实用新型]电池组液冷降温结构、电池包及集装箱式电池系统-CN202223038876.4有效
发明人：张金铭;何秋亮;张毅鸿;庞益伟;王安沛;梁金山;周颖 -专利权人：重庆三峡时代能源科技有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01M10/613 文献下载
摘要：本实用新型公开一种电池组液冷降温结构、电池包及集装箱式电池系统，该电池组液冷降温结构包括多个液冷板块、进液管路以及出液管路，多个液冷板块间隔设置，每相邻的两个液冷板块之间用以供电芯安设，各液冷板块上均设有冷媒通道，用以供液冷介质流动降温，各冷媒通道均设有供液冷介质流入的通道入口和供液冷介质流出的通道出口，进液管路设有进液口以及多个进液连接口，进液口用以向进液管路内输入液冷介质，各进液连接口间隔设置并分别与一个通道入口相连，以为各冷媒通道内输入液冷介质，出液管路设有出液口以及多个出液连接口，各出液连接口间隔设置并分别与一个通道出口相连，以使各冷媒通道内的液冷介质从出液口排出，以提高液冷散热效果。
电池组降温结构电池集装箱式系统

[实用新型]一种具有磁屏蔽结构的叠层片式共模电感器-CN202320179517.6有效
发明人：詹卓锐;魏云昊;肖倩;刘季超;徐鹏飞;王智会 -专利权人：深圳振华富电子有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01F27/36 文献下载
摘要：本申请提供了一种具有磁屏蔽结构的叠层片式共模电感器，包括磁屏蔽层，磁屏蔽层的内部形成有中空槽部；连接层，设于中空槽部中，连接层的外壁与中空槽部的内壁之间间隔形成环形槽部，连接层的顶面和底面分别与磁屏蔽层连接；介质层，填充于环形槽部中；两个相对间隔设置的电感，各电感设于介质层中并卷绕连接层设置，各电感的两端分别伸出介质层并伸入磁屏蔽层中。本申请通过将两个相对间隔设置的电感设于介质层中，并将各电感卷绕连接层设置，并且在介质层的外侧形成磁屏蔽层，该磁屏蔽层可将位于其内部的介质层、两个电感和连接层包围，从而可有效提高对电感的抑制辐射干扰能力，
一种具有屏蔽结构叠层片式共模电感器

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202211375981.9在审
发明人：王文武;刘昊炎;李永亮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：所述半导体器件包括：半导体基底、第一隔离介质墙、第一晶体管和第二晶体管。第一隔离介质墙形成在半导体基底包括的第一介质层上。第一晶体管形成在第一介质层上、且位于第一隔离介质墙沿宽度方向的一侧。第一晶体管包括的第一沟道区与第一隔离介质墙间隔设置、且具有至少两个第一沟道部。沿平行于第一隔离介质墙的宽度方向，至少两个第一沟道部间隔分布。第二晶体管形成在第一介质层上、且位于第一隔离介质墙背离第一晶体管的一侧。第二晶体管包括的第二沟道区与第一隔离介质墙间隔设置。第二晶体管与第一晶体管的导电类型相反。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]天线结构及电子设备-CN202210194918.9在审
发明人：徐佳迪 -专利权人：歌尔股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01Q1/48 文献下载
摘要：本发明公开一种天线结构及电子设备，该天线结构包括：介质基板，介质基板上设置有接地部、分别与接地部连接的第一馈地点和第二馈地点；第一天线及第二天线，间隔设置于介质基板上，第一天线的天线接地点与第一馈地点连接，第二天线的天线接地点与第二馈地点连接；散热器，用于给电子设备中的发热器件进行散热，散热器与介质基板间隔设置，并与介质基板的接地部电连接；散热器上设置有窗口。本发明解决了天线结构中距离较近的第一天线与第二天线之间隔离度不够的问题，使得天线结构具有较高的的通信品质。
天线结构电子设备

[发明专利]金属氧化物半导体(MOS)晶体管及其制作方法-CN201310655295.1有效
发明人：权勇·林;斯坦利·升澈·松;阿米塔比·贾殷 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在结构的表面处形成上覆于虚拟栅极电介质材料上的虚拟栅极电极，所述结构具有自对准的源极/漏极区域及在虚拟栅极结构的侧壁上的电介质间隔件。所述虚拟栅极电介质下伏于所述侧壁间隔件下。在包含从所述间隔件下方移除所述虚拟栅极电极及所述下伏虚拟栅极电介质材料之后，执行硅蚀刻以在下伏衬底中形成凹部。相对于所述凹部的底部的蚀刻，此蚀刻由于晶体定向而在底切侧上为自限制的。接着，将所述栅极电介质及栅极电极材料沉积到其余空隙中，举例来说以形成高k金属栅极MOS晶体管。
金属氧化物半导体 mos 晶体管及其制作方法

[发明专利]便携式电子装置及显示内容更新方法-CN201310222881.7无效
发明人：李彬魁 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：一种便携式电子装置包括：投影单元，用于将显示屏上的内容投影于投影介质上；多个红外发射接收单元，用于发射红外信号到投影介质上并接收投影介质反射回的红外信号；实时时钟单元，用于计算红外发射接收单元发射红外信号到投影介质及接收投影介质反射回来的红外信号的时间间隔；存储单元，用于存储每个红外发射接收单元与显示屏上的像素点的对应关系；判断单元，用于判断各个红外发射接收单元的红外信号发射接收时间间隔是否变小；处理单元，用于在判断发射接收时间变小时，获取与发射接收时间间隔变小的红外发射接收单元对应的显示屏上的像素点
便携式电子装置显示内容更新方法