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[发明专利]一种铌或铌镧掺杂钛酸锶纳米粉体及其制备方法及应用-CN201510329631.2有效
发明人：王俊;张柏宇;新巴雅尔;李艳;郭峰;马文 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌或铌镧掺杂钛酸锶纳米粉体及其制备方法及应用，其制备方法包括：如下步骤：(1)配制溶液A；(2)配制溶液B；(3)溶液A与溶液B混合制得溶液C；(4)溶液C中加碱制得前驱体溶液D；(5)前驱体溶液D反应干燥制得固体产物；(6)制得铌掺杂钛酸锶纳米粉体或铌镧掺杂钛酸锶纳米粉体。用铌或铌镧掺杂钛酸锶纳米粉体制备铌或铌镧掺杂钛酸锶热电陶瓷片的方法。本发明的优点：本发明采用水热法首次成功制备出纳米级铌掺杂钛酸锶粉体和铌镧掺杂钛酸锶粉体，掺杂浓度达到30％，并研究了其热电性能，得到目前在钛酸锶基热电陶瓷中最高的热电性能。
一种掺杂钛酸锶纳米及其制备方法应用

[发明专利]压电功能膜、致动器以及喷墨头-CN201780071648.X有效
发明人：水原健介;张替贵圣 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：压电体层包含添加铌的锆钛酸铅。基底层包含：添加铌的钛酸铅、或者添加(铌、镧)的钛酸铅、或者添加(铌、镧、镁)的钛酸铅的任意一种。
压电功能致动器以及喷墨

[发明专利]钛铌镁酸铅铁电薄膜氮化镓基外延集成及其制备方法-CN201810019438.2有效
发明人：李效民;黎冠杰;徐小科;高相东;毕志杰;陈永博 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明涉及钛铌镁酸铅铁电薄膜氮化镓基外延集成及其制备方法，所述钛铌镁酸铅铁电薄膜是由通过脉冲激光沉积技术依次形成在氮化镓半导体衬底上的TiO₂缓冲层、钴酸锶镧缓冲层以及钛铌镁酸铅铁电薄膜构成；所述氮化镓半导体衬底的取向包括（0002）面，所述钛铌镁酸铅铁电薄膜的外延取向为（111）面，所述钴酸锶镧缓冲层的外延取向为（111）面，所述TiO₂缓冲层为金红石相、外延取向为
电薄膜钛铌缓冲层外延取向氮化镓半导体氮化镓基外延钴酸锶镧衬底制备脉冲激光沉积技术金红石相取向

[发明专利]利用氧化物异质结材料制作的快响应宽频段激光探测器-CN200410069100.6无效
发明人：吕惠宾;黄延红;何萌;刘立峰;周岳亮;金奎娟;陈正豪;程波林;杨国桢 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2004-07-20 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明涉及利用氧化物异质结材料制作的快响应宽频段激光探测器，包括：一掺铌钛酸锶衬底上，和在其上外延生长的掺杂锰酸镧薄膜层，形成掺铌钛酸锶—掺杂锰酸镧氧化物异质结；或者在掺铌钛酸锶单晶衬底上外延生长一绝缘层，掺杂锰酸镧薄膜外延生长在绝缘层上，形成掺铌钛酸锶—绝缘层—掺杂锰酸镧氧化物异质结；第一电极设在掺杂锰酸镧薄膜上，第二电极设在底上，两根电极引线的一端分别与第一电极和第二电极连接，电极引线的另一端是信号输出端
利用氧化物异质结材料制作响应宽频激光探测器

[发明专利]一种基于层状镧铌酸钛为催化剂降解多环芳烃废水的方法-CN201910678761.5有效
发明人：黎演明;吴光;严少敏;龙思宇;师德强 -专利权人：广西科学院
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： B01J23/63 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于层状镧铌酸钛为催化剂降解多环芳烃废水的方法，具体是将镧盐、氢氧化铌以及钛酸酯等前躯体经均匀分散、高温焙烧后，得到层状镧铌酸钛催化剂。
一种基于层状镧铌酸钛催化剂降解芳烃废水方法

[发明专利]负温度系数热敏电阻锰钛酸镧-铌镍酸铅的制备方法-CN202110988660.5有效
发明人：王中旭 -专利权人：陕西君普新航科技有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种负温度系数热敏电阻锰钛酸镧‑铌镍酸铅的制备方法，将镧源、锰源和钛源球磨混合，经预烧后，获得第一粉体；将铌源和镍源球磨混合，经预烧后，获得第二粉体；将所述第一粉体和第二粉体混合并且加入氧化铅，经球磨混合后造粒过筛、压片烧结，即可获得负温度系数热敏电阻锰钛酸镧‑铌镍酸铅。
温度系数热敏电阻锰钛酸镧铌镍酸铅制备方法

[发明专利]基于掺铌钛酸锶阻变薄膜的形变应力传感器-CN201810315148.2有效
发明人：陆小力;王贺;史泽堃;王涛;姚会娟;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于掺铌钛酸锶阻变薄膜的形变应力传感器的制作方法，主要解决现有形变应力传感器功耗大且不能弯曲的问题。其技术方案是：1.使用脉冲激光沉积技术，在镧锶锰氧做牺牲层的钛酸锶衬底上生长掺铌钛酸锶薄膜；2.在掺铌钛酸锶薄膜表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，用碘化钾溶液除去镧锶锰氧薄膜；3.将掺铌钛酸锶薄膜转移到后续所需的柔性导电衬底上，在丙酮中浸泡除去聚甲基丙烯酸甲酯；4.在掺铌钛酸锶薄膜表面加电极，完成形变应力传感器的制作。本发明采用掺铌钛酸锶阻变薄膜作为传感材料，耗能小，且提高了应力传感器的灵敏度，实现了传感器的弯曲，满足柔性电子设备的要求，可用于半导体器件的制备。
基于掺铌钛酸锶阻变薄膜形变应力传感器

[发明专利]一种掺镧铌酸银无铅反铁电储能陶瓷材料及其制备方法-CN201811510902.4有效
发明人：毛朝梁;马江雷;王根水;闫世光;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺镧铌酸银无铅反铁电储能陶瓷材料及其制备方法，所述掺镧铌酸银无铅反铁电储能陶瓷材料为单一钙钛矿结构，其组成通式为Ag1‑3xLa
一种掺镧铌酸银无铅反铁电储能陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]基于镍酸镧过渡层制取高度择优取向的铌酸钾钠薄膜的制备方法-CN201910602363.5在审
发明人：张伟;朱海勇;吴浩;鲍建秋;张雪花;胡芳仁 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： C04B41/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于镍酸镧过渡层制取高度择优取向的铌酸钾钠薄膜的制备方法，包括铌酸钾钠溶胶的制取，镍酸镧前驱体液的配置，在硅片上旋涂镍酸镧薄膜作为过渡层，最后在镀过镍酸镧的底电极的硅片上旋涂铌酸钾钠薄膜镍酸镧是一种导电性能良好的金属氧化物，可以作为铌酸钾钠薄膜的底电极。相对于Pt等贵重金属底电极，镍酸镧底电极制备成本低，制备工艺简单，并且晶格常数与铌酸钾钠薄膜相接近。通过引入镍酸镧过渡金属氧化物层，制备了(100)高度择优取向的铌酸钾钠薄膜，提高了KNN薄膜的可调协性能。
铌酸钾钠薄膜镍酸镧底电极制备择优取向制取镍酸镧过渡层硅片上旋过渡金属氧化物层铌酸钾钠溶胶金属氧化物镍酸镧薄膜导电性能贵重金属晶格常数前驱体液制备工艺过渡层引入配置

[发明专利]通过掺杂得到的高度可烧结的钛酸锶镧互连物-CN200980155540.4无效
发明人： A·莫安拉姆;Y·纳伦达;G·林 -专利权人：圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01M6/00 文献下载
摘要：如下形成了一种互连材料：是通过将一种镧掺杂的钛酸锶与一种异价的过渡金属结合以形成一种前体组合物并且将该前体组合物烧结而形成该互连材料。这种异价的过渡金属可以是一种电子受体掺杂剂，例如锰、钴、镍或铁，或者该异价的过渡金属可以是电子供体掺杂剂，例如铌或钨。一种固体氧化物燃料电池、或一种钛酸锶变阻器、或一种钛酸锶电容器可以包括含一种镧掺杂的钛酸锶的互连材料，该镧掺杂的钛酸锶进一步掺杂有一种异价的过渡金属。
通过掺杂得到高度烧结钛酸锶镧互连

[发明专利]光学元件和光接收装置-CN200510009455.0无效
发明人：太田达男;野崎隆;江黑弥生;小岛健 -专利权人：柯尼卡美能达精密光学株式会社
申请日： 2005-02-08 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：涂布在基材上并且具有低折射率层和高折射率层的防反射层，其中，上述树脂包括具有脂环式结构的聚合物，上述低折射率层由从氧化硅、氟化铝、氟化钇、氟化镁、氧化硅和氧化铝的混合物、或这些的混合物中选取的材料形成，上述高折射率层由从氧化钪、氧化铌、氧化镧、钛酸镨、钛酸镧、铝酸镧、氧化钇、氧化铪、氧化锆、氧化钽、氧化钽和钛的混合物、氮化硅、或这些的混合物中选取的材料形成。
光学元件接收装置

[发明专利]一种铌酸镧纳米粉体的制备方法-CN201810773759.1在审
发明人：肖谧;张鹏;宿玉鹏 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-07-15 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸镧微波介质陶瓷纳米粉体的制备方法，以草酸铌为原料，水浴加热至完全溶解，调节溶液pH至8‑10，对出现的乳白色沉淀抽滤清洗，并水浴加热溶于柠檬酸中得到柠檬酸铌溶胶；另将硝酸镧溶于柠檬酸溶液，得到柠檬酸镧溶胶(柠檬酸摩尔量为金属离子总和的3‑5倍)；再按化学式LaNbO₄将柠檬酸铌溶胶与柠檬酸镧溶胶充分搅拌混合，加入乙二醇甲醚(乙二醇甲醚为溶液中柠檬酸摩尔量的2‑4倍本发明成功获得了颗粒度为40‑80nm的铌酸镧微波介质陶瓷粉体原料，制备过程简单，无污染，未来可在低温下获得性能较高的铌酸镧微波介质陶瓷。
铌酸微波介质陶瓷柠檬酸纳米粉体乙二醇甲醚柠檬酸铌柠檬酸镧水浴加热制备调节溶液pH 柠檬酸溶液前驱体粉末乳白色沉淀粉体原料混合溶胶金属离子水分蒸发完全溶解制备过程草酸铌颗粒度稳定剂硝酸镧抽滤煅烧清洗燃烧成功

[发明专利]抛光组合物和抛光方法-CN01121960.2无效
发明人： F·阿巴斯;P·欧;J·K·克纳普;L·刘 -专利权人：普莱克斯S.T.技术有限公司
申请日： 2001-06-20 - 公布日： 2002-01-02 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：抛光浆包括(按重量百分数计)0.1－50金属羟基酸促进剂,0.5－50氧化铈磨蚀颗粒,其余为水。金属羟基酸促进剂中的金属选自铬、镧、原子序数为59－71的稀土金属、锰、钼、铌、锇、铼、钌、钛、钨、钒、钇和锆。
抛光组合方法

[发明专利]氮化钛包覆的铌酸钛材料及其制备方法和负极、电池-CN201910467293.7有效
发明人：许晓雄;崔言明;黄园桥 -专利权人：浙江锋锂新能源科技有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01M4/136 文献下载
摘要：本发明涉及铌酸钛负极材料，公开了氮化钛包覆的铌酸钛材料及其制备方法和负极、电池，解决目前铌酸钛材料电子电导率低、Li+扩散系数低、所制得负极倍率性能差，使铌酸钛在锂负极中应用受到限制的问题，其技术方案是在高温且氮气气氛下，纳米铌酸钛颗粒为内核，以金属氢化物中氢为还原剂对内核表面还原形成氮化钛的壳层，再由处理后的纳米铌酸钛颗粒烧结得到氮化钛包覆的铌酸钛材料，提高改性纳米铌酸钛颗粒和铌酸钛负极材料电导率，减缓铌酸钛负极材料在循环过程中的锂损耗，提高铌酸钛负极材料制得负极容量，并限制负极受温度影响下的膨胀收缩，并提高了使用本申请铌酸钛负极材料的锂离子电池的能量密度和循环性，降低锂离子电池的内阻。
氮化钛包覆铌酸钛材料及其制备方法负极电池

[发明专利]一种钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器及其制备方法-CN202211359763.6在审
发明人：岳建岭;杨泽欧;胡海龙;黄小忠 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：以掺铌钛酸锶单晶衬底作为底电极；在掺铌钛酸锶单晶衬底表面交替沉积钛酸锶层和另一类氧化物膜层，制备得到钛酸锶基氧化物超晶格薄膜作为存储介质层，其中，另一类氧化物膜层选用掺钇氧化锆、钴酸镧、或铁酸铋中的一种；在步骤S2得到的镀有存储介质层的基片表面再沉积金属薄膜作为顶电极，得到含有底电极∥STO基氧化物超晶格薄膜存储介质层∥顶电极的忆阻器。由该制备方法制备得到的钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器可形成单晶或晶体完整性较高的超晶格薄膜，忆阻器具备低的操作电压和高的组态稳定性。
一种钛酸锶基氧化物晶格薄膜忆阻器及其制备方法

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