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[发明专利]一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法和制备系统-CN202210130623.5在审
发明人：韩根全;胡浩东 -专利权人：西安电子科技大学杭州研究院
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/477 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法和制备系统，具体包括：对待处理的氧化镓材料进行氧气退火处理，在所述氧化镓材料的正面形成热氧化区；通过预设的处理流程，在所述氧化镓材料的背面或者所述热氧化区的表面形成欧姆电极，然后在所述热氧化区的表面形成肖特基电极图形，并根据所述肖特基电极图形，在所述热氧化区上形成所述肖特基电极图形对应的肖特基电极，完成氧化镓肖特基二极管的制备。通过氧气退火处理，在待处理的氧化镓材料的正面形成热氧化区域，降低氧化镓材料的表面处氧空位密度，进而改善氧化镓肖特基二极管的反向漏电，提升氧化镓肖特基二极管器件的性能。
一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法系统

[发明专利]氮化镓肖特基二极管的制备方法-CN201610099349.4有效
发明人：刘美华;孙辉;林信南;陈建国 -专利权人：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供的一种氮化镓肖特基二极管的制备方法，通过在氮化镓外延片的表面沉积钝化层；制备氮化镓肖特基二极管的阴极；在该钝化层的中心进行干法刻蚀，形成肖特基接触孔；在该肖特基接触孔内，该钝化层的表面和该阴极的表面沉积金属钛，形成欧姆金属层；对该欧姆金属层进行光刻，刻蚀和退火处理，形成呈栅状结构的欧姆金属结构；制备氮化镓肖特基二极管的阳极；其中，欧姆金属结构呈栅状结构，且被阳极包裹。从而实现在不影响氮化镓肖特基二极管输出性能的情况下，减小肖特基结面积，从而减小肖特基接触电阻，提高氮化镓肖特基二极管的器件性能和寿命。
氮化镓肖特基二极管制备方法

[发明专利]氮化镓肖特基二极管及其制作方法-CN201710073039.X有效
发明人：张葶葶;朱廷刚;李亦衡;王东盛;苗操;魏鸿源;严文胜 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓肖特基二极管，包括衬底、N+氮化镓层、N‑氮化镓层台面、蚀刻有凹槽的P型氮化镓层，P型氮化镓层上形成有作为阳极的肖特基金属层，N+氮化镓层上形成有作为阴极的欧姆金属层。其制作方法包括在衬底上表面依次生长N+氮化镓层、N‑氮化镓层、P型氮化镓层；形成具有P型氮化镓层和N‑氮化镓层的台面，部分蚀刻每个台面上的P型氮化镓层形成一系列凹槽；P型氮化镓层上沉淀肖特基金属层作为阳极，N+氮化镓层上沉淀欧姆金属层作为阴极。本发明可以耗尽肖特基电极下的载流子，提升肖特基势垒高度，降低漏电流，增高击穿电压，肖特基电极下的凹槽可以降低正向导通电压，使得器件的正向和反向特性同时得到提升。
氮化镓肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]一种肖特基型中子探测器及其制作方法-CN201310513767.X有效
发明人：张明兰 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2013-10-26 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： G01T3/08 文献下载
摘要：本发明一种肖特基型中子探测器及其制作方法，涉及中子辐射的测量，是氮化镓中子探测器，自下至上包括欧姆接触、n+掺杂氮化镓层、氮化镓厚膜基底、肖特基接触、保护环和6LiF中子转换层，其中，n+掺杂氮化镓层形成在氮化镓厚膜基底的氮极性面，欧姆接触被制作在n+掺杂氮化镓层上面，肖特基接触被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上的中间部分，保护环被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上肖特基接触四周的环形部分，6LiF中子转换层被制作在肖特基接触的上面，位于肖特基接触的中央部位。
一种肖特基型中子探测器及其制作方法

[发明专利]一种多级沟槽自保护肖特基二极管器件及制作方法-CN202310313542.3在审
发明人：袁俊;徐东;彭若诗;郭飞;王宽;魏强民;黄俊;杨冰;吴畅 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-03-26 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种多级沟槽自保护肖特基二极管器件，包括：氧化镓衬底，位于所述氧化镓衬底上侧的氧化镓外延层，所述氧化镓外延层上部设有多级沟槽，所述多级沟槽包括M≥2级子沟槽，第一级子沟槽至第M级子沟槽的开口距离依次缩小，所述氧化镓外延层表面与所述多级沟槽底部设有高阻区，所述多级沟槽表面沉积有肖特基金属，所述肖特基金属与所述氧化镓外延层形成肖特基接触，所述肖特基金属与所述高阻区形成欧姆接触。本发明的肖特基二极管器件具有低表面电场，电导调制效应快，能够制作高耐压、大电流、高可靠性的氧化镓SBD器件。
一种多级沟槽保护肖特基二极管器件制作方法

[发明专利]一种肖特基二极管及制备方法-CN202010562600.2在审
发明人：郑军;成步文 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种肖特基二极管及制备方法，该肖特基二极管包括：氧化镓衬底、欧姆接触电极、氧化镓漂移层和肖特基接触电极；氧化镓漂移层包括重掺杂氧化镓和半绝缘氧化镓；氧化镓衬底上由左至右设置有欧姆接触电极、重掺杂氧化镓、半绝缘氧化镓和肖特基接触电极。本发明实施例由于欧姆接触电极和肖特基接触电极位于同一平面上，当将电压加载在两个接触电极之间时，将形成沿水平方向的电场，使得肖特基二极管的工作方式为水平工作，实现了无需采用复杂的外延工艺，便可获得高质量的氧化镓漂移层
一种肖特基二极管制备方法

[发明专利]一种基于肖特基二极管的氧化镓微米柱阵列及其制备方法-CN202210060232.0在审
发明人：叶建东;张贻俊;任芳芳;顾书林;张荣 -专利权人：南京大学;南京大学深圳研究院
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于肖特基二极管的氧化镓微米柱阵列及其制备方法，所述肖特基二极管由下往上依次包括衬底层，氧化镓层，氧化镓微米柱的肖特基阵列；所述氧化镓层材料为α相、κ相、γ相或β相氧化镓，所述氧化镓微米柱材料为α相、κ相、γ相或β相氧化镓。本发明将HVPE和Mist CVD结合，快速制备出氧化镓微米柱阵列，制备高质量的氧化镓阵列材料，以实现低开启电压、快开关速度和低能源损耗的氧化镓微米柱阵列的肖特基二极管。相对于其他氧化镓肖特基二极管的方法，本发明制备的氧化镓微米柱阵列形貌精准可控，重复性好，效率高，制造工艺简单，可以有效地集成和大规模生产。
一种基于肖特基二极管氧化微米阵列及其制备方法

[发明专利]一种自对准的氧化镓结势垒肖特基二极管及其制造方法-CN202210044122.5在审
发明人：卢星;徐童龄;王钢;陈梓敏 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准的氧化镓结势垒肖特基二极管及其制造方法，涉及氧化镓半导体及其制造技术，针对氧化镓结势垒肖特基二极管制造时光刻对准次数多等缺陷提出本方案。包括三维鳍式沟槽结构的制作步骤；PN结的制作步骤和电极的制作步骤；在N型氧化镓漂移层上表面铺设图形化的半牺牲肖特基金属层，利用所述半牺牲肖特基金属层作为掩膜对N型氧化镓漂移层进行刻蚀，制作出三维鳍式沟槽结构优点在于，先制备二极管中的半牺牲肖特基金属层，直接采用该半牺牲肖特基金属层做为刻蚀氧化镓的掩膜。使半牺牲肖特基金属层与氧化镓肋条形成自对准的肖特基接触，直接规避了在肋条顶部去除P型氧化物半导体层及铺设肖特基金属层时必要的光刻对准工作。
一种对准氧化镓结势垒肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法-CN202210640920.4在审
发明人：杨大宝;刘波;邢东;赵向阳;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法。该制备方法包括：在金刚石基片上生长砷化镓多晶薄膜层，其中，砷化镓多晶薄膜层为半绝缘砷化镓；在砷化镓多晶薄膜层上制备肖特基二极管的器件层。本发明能够通过在金刚石基片上直接生长砷化镓多晶薄膜层，在此基础上制备肖特基二极管，金刚石基片代替砷化镓衬底作为肖特基二极管的结构支撑，工艺流程简单，生产周期短，可靠性高，提升了砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管的散热性能
一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法

[实用新型]一种氮化镓基肖特基二极管-CN202020289473.9有效
发明人：范捷;万立宏;王绍荣 -专利权人：江苏丽隽功率半导体有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓基肖特基二极管，涉及半导体技术领域，该新型结构的氮化镓基肖特基二极管包括衬底及其上的N+氮化镓外延层，N+氮化镓外延层上制作有呈间隔结构的N‑GaN外延层，N‑GaN外延层上制作有P‑GaN外延层，P‑GaN外延层上制作有介质层；阴极金属电极与N+氮化镓外延层形成欧姆接触，阳极金属电极与P‑GaN外延层形成肖特基接触；该新型结构的氮化镓基肖特基二极管可以大幅降低漏电，提升器件耐压，同时在肖特基势垒引入了P‑GaN外延层，可以有效提升肖特基势垒高度。
一种氮化镓基肖特基二极管

[发明专利]一种金属衬底的氮化镓肖特基整流器及其制备方法-CN201010237851.X有效
发明人：陆海;石宏彪;张荣;郑有炓;张之野;朱廷刚 -专利权人：南京大学
申请日： 2010-07-27 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：一种金属衬底的氮化镓肖特基整流器及其制备方法，整流器包括金属衬底、金属键合层和氮化镓肖特基整流器晶片，金属衬底作为支撑衬底，氮化镓肖特基整流器晶片包括氮化镓外延层、氮化镓肖特基电极和欧姆电极，氮化镓外延层通过金属键合层与金属衬底键合，氮化镓肖特基电极与欧姆电极相对金属衬底在外延层的另一侧呈横向分布，制备时把欧姆电极与肖特基接触电极先后制备在外延片的正面，之后再在另一面通过激光将蓝宝石衬底剥离，再与金属衬底键合。本发明可解决GaN肖特基整流器的金属化方案与蓝宝石衬底剥离的工艺兼容性问题，以高导热性金属衬底作为支撑载体及热沉，解决了器件的散热问题，可有效提高器件的性能和可靠性。
一种金属衬底氮化镓肖特基整流器及其制备方法

[发明专利]氮化镓肖特基二极管的制造方法-CN201610099474.5在审
发明人：刘美华;孙辉;林信南;陈建国 -专利权人：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化镓肖特基二极管的制造方法，该方法包括在硅衬底上依次生长氮化镓缓冲层及铝镓氮势垒层；在铝镓氮势垒层上依次沉积氮化硅钝化层和PETEOS氧化层；制造氮化镓肖特基二极管的阴极；制造氮化镓肖特基二极管的阳极；对制造阳极后的氮化镓肖特基二极管进行退火处理。移除了阳极金属和铝镓氮界面附近的浅陷阱，减少了器件的阳极漏电现象，改善了器件的击穿电压，提高了器件的性能。
氮化镓肖特基二极管制造方法

[发明专利]一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法-CN202210846604.2在审
发明人：张少鹏;曹佳 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法，在一个具体示例中，所述氧化镓肖特基二极管自下而上包括：第一欧姆接触金属层、第二欧姆接触金属层、氧化镓基底层和氧化镓本征层，所述氧化镓本征层的上方设置有场板；在所述氧化镓本征层和场板上方设置有肖特基电极和浮动金属环；所述浮动金属环包括1‑3个等环间距设置的金属环，环间距为1‑7μm，环宽度为0.5‑15μm。所述氧化镓肖特基二极管，通过在氧化镓本征层上方布置场板和浮动金属环，将击穿电压分散，使氧化镓肖特基二极管的电场强度分布均匀化，提高了二极管的抗击穿能力。
一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓基肖特基二极管及其制备方法-CN202010542757.9在审
发明人：刘新科;罗江流;王磊;利健;贺威;林峰;黎晓华;朱德亮;吕有明 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基肖特基二极管及其制备方法，该氮化镓基肖特基二极管包括依次层叠设置的欧姆接触电极、衬底、n型氮化镓层和肖特基金属电极，还包括：氧化镓绝缘层，设置于所述n型氮化镓层背离所述衬底一侧的两端部边缘处，并至少部分地被所述肖特基金属电极覆盖。本发明提供的氮化镓基肖特基二极管器件结构简单，并且氧化镓具有良好的绝缘隔离作用，有效缓解了势垒边缘电场集中的问题，明显提高了防止击穿漏电的能力，显著提高了器件的实际击穿电压，避免因为局部电场过高引起的器件击穿问题
一种氮化镓基肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法-CN202211734448.7在审
发明人：徐光伟;韩照;菅光忠;赵晓龙;龙世兵 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法，涉及氧化镓技术领域，包括：欧姆电极；肖特基电极；氧化镓衬底层，连接阴极；氧化镓外延层，连接阳极；其中，肖特基电极在外延层上表面，氧化镓外延层的中间部凸起，中间部周围凹陷，所述肖特基电极在氧化镓外延层中间部凸起的上表面。其在正向导通时，所有的电流只流经一个氧化镓圆台，即这个氧化镓圆台作为唯一的电流通路，不需要现有技术中的鳍型结构中的多个氧化镓高台并联，从而避免了单一高台对于整体器件性能的制约，极大提升了器件制备的成品率
一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法

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