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[发明专利]一种基于氮化镓的宽摆幅双向限幅电路及其制备方法-CN201810811324.1有效
发明人：杨凌;马晓华;芦浩;宓珉翰;侯斌;周小伟;祝杰杰;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/8252 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于氮化镓的宽摆幅双向限幅电路的制备方法，包括制作PIN二极管、肖特基二极管以及GaN基器件，并将PIN二极管和肖特基二极管并联后通过金属互联工艺与GaN基器件连接，从而完成基于氮化镓的宽摆幅双向限幅电路的制备本发明实施例，通过采用将PIN二极管和肖特基二极管并联再与GaN基器件的栅极连接的电路，可以实现电路的自我保护，同时满足器件能够承受正反向大功率信号的冲击，实现器件的双向保护。
一种基于氮化宽摆幅双向限幅电路及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓基宽摆幅线性化器件及制作方法-CN201810811364.6有效
发明人：马晓华;杨凌;王瑞泽;郝跃;周小伟;祝杰杰;侯斌;宓珉翰 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L21/8252 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓基宽摆幅线性化器件的制作方法，包括步骤：刻蚀AlGaN势垒层，在GaN缓冲层上形成PIN二极管制作区域；在刻蚀后的AlGaN势垒层上制作AlGaN/GaN HEMT器件，测试得到AlGaN/GaN HEMT器件的输入阻抗；在PIN二极管制作区域制作PIN二极管，使得PIN二极管的输出阻抗与输入阻抗共轭匹配；在PIN二极管和AlGaN/GaN HEMT器件上制作互联层，得到宽摆幅线性化器件本发明实施例在功率放大器前加入PIN二极管，既可以实现电路宽摆幅，又可以提高功率放大器的线性度。
一种氮化镓基宽摆幅线性化器件制作方法

[发明专利]一种适用于宽摆幅全差分运算放大器的共模反馈电路-CN202010332805.1有效
发明人：宁宁;孟昊;田明;邓恒;张启辉;李靖;于奇 -专利权人：电子科技大学;上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：一种适用于宽摆幅全差分运算放大器的共模反馈电路，通过共模信号采集模块中两组并联的电阻电容对宽摆幅全差分运放的共模输出进行采集并注入到共模放大模块中与共模参考电压进行比较，在共模反馈模块中生成反馈调节信号反馈至宽摆幅全差分电路中第一级负载电流源管栅端，实现通过反馈使宽摆幅全差分电路的输出共模稳定；同时在共模前馈模块中生成前馈调节信号连接至宽摆幅全差分电路中源随器的电流源管栅端，使宽摆幅全差分电路的输出共模稳定。本发明通过引入新的前馈通路为整体共模响应电路提供额外的零点，使宽摆幅全差分运算放大器整体相位裕度性能提升且不影响共模响应增益，在不影响输出摆幅的情况下提升了宽摆幅全差分运算放大器的稳定性。
一种适用于宽摆幅全差分运算放大器反馈电路

[发明专利]混合栅p-GaN增强型氮化镓基晶体管结构及制作方法-CN202010198618.9在审
发明人：王晓亮;李巍;牛迪;王权;肖红领;姜丽娟;冯春;王茜;刘宏新 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开提供了一种混合栅p‑GaN增强型氮化镓基晶体管结构及制作方法，其混合栅p‑GaN增强型氮化镓基晶体管结构自下而上顺次包括：衬底、成核层、高阻层、高迁移率层和势垒层；还包括：p型GaN帽层、源极和漏极本公开能够减小器件栅极漏电，改善器件栅极击穿特性，增加器件栅压摆幅，提高器件的阈值电压，提高器件的可靠性。
混合 gan 增强氮化晶体管结构制作方法

[发明专利]一种单双盘头通用的碳纤整经机收卷装置及恒张力控制方法-CN201911289324.0有效
发明人：李春惠;谈源;陈香伟;沈蓝江;刘宇成;吴超;刘苏赟;李霆 -专利权人：常州市新创智能科技有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： B65H23/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种单双盘头通用的碳纤整经机收卷装置，包括：牵拉辊、张力调节装置、张力摆辊、固定过渡辊、气涨轴、伺服电机，其中，牵拉辊用以通过转动对碳纤维牵拉；固定过渡辊平行设置在气涨轴上方；伺服电机用以驱动气涨轴转动；气涨轴至少容纳一宽门幅收卷盘头或同时容纳两窄门幅收卷盘头；当使用宽门幅收卷盘头收卷时，张力摆辊设置一个，张力调节装置设置在张力摆辊其中一侧；当使用两窄门幅收卷盘头收卷时，张力摆辊设置两个，张力调节装置分别设置在两张力摆辊相对远离的一侧与现有技术相比，本发明通过更换收卷盘头和张力摆辊能够实现单宽门幅碳纤维纱片和双窄门幅碳纤维展纤纱片的切换收卷。
一种盘头通用碳纤整经机收卷装置张力控制方法

[发明专利]增强型氮化镓基晶体管及其制备方法、电子装置-CN201910689945.1在审
发明人：曲爽;庄建治;王晓亮;李巍 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请实施例提供的增强型氮化镓基晶体管及其制备方法、电子装置。增强型氮化镓基晶体管，包括层叠设置的衬底、功能层和晶体管层。晶体管层包括掺杂帽层、栅极、源极和漏极。本申请实施例提供一种增强型氮化镓基晶体管及其制备方法、电子装置，能降低器件的栅极漏电，提高栅压摆幅。
增强氮化晶体管及其制备方法电子装置

[发明专利]一种基于GaN和Si器件混合的飞跨电容多电平逆变器及其控制方法-CN202011350562.0在审
发明人：王俊;屈坤;张超;陈伟彬 -专利权人：湖南大学
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H02M7/483 文献下载
摘要：该基于GaN和Si器件混合的飞跨电容多电平逆变器包括直流供电电源Vdc、直流稳压电容Cdc、第一飞跨电容Cf1、……、第二飞跨电容Cf2、……、第(n‑2)飞跨电容Cf(n‑2)、第一硅基器件SL1、第二硅基器件SL2、第一氮化镓基器件SH1、第二氮化镓基器件SH2、第三氮化镓基器件SH3、第四氮化镓基器件SH4、……、第(2n‑3)氮化镓基器件SH(2n‑3)、第(2n‑2)氮化镓基器件SH(2n‑2)和负载本发明充分结合了Si基器件的大容量、低成本和宽禁带器件的低损耗、高频率的优势，能显著提高效率，而且大大降低成本和提高宽禁带器件应用功率等级，实现了性能与成本的折中优化。
一种基于 gan si 器件混合飞跨电容电平逆变器及其控制方法

[发明专利]石墨烯作为插入层的GaN/AlGaN异质结构及其制备方法-CN202110039389.0在审
发明人：刘志强;冯涛;梁萌;伊晓燕;张硕;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种石墨烯作为插入层的GaN/AlGaN异质结构及其制备方法，该GaN/AlGaN异质结构包括：衬底，氮化镓层设置在衬底上，石墨烯插入层，设置在氮化镓层上；势垒层，设置在石墨烯插入层上；帽层，设置在势垒层上本发明为GaN基高迁移率晶体管提供了一种新型结构，利用石墨烯0.3至1.2nm超薄厚度，以及10000至15000cm2/V·s的超高迁移率特性，提高GaN/AlGaN异质结中二维电子气的迁移率，从而解决器件逻辑电压的摆幅与缩短传输时间问题，以及降低开关能量之间矛盾的关键问题，使GaN基高迁移率晶体管在高频、高速器件领域发挥重大作用。
石墨作为插入 gan algan 结构及其制备方法

[发明专利]阶梯型混合栅p-GaN氮化镓基晶体管结构及制作方法-CN202010252675.0在审
发明人：王晓亮;牛迪;王权;李巍;肖红领;冯春;姜丽娟;王茜;刘宏新 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种阶梯型混合栅p‑GaN氮化镓基晶体管结构及制作方法，其阶梯型混合栅p‑GaN氮化镓基晶体管结构自下而上顺次包括：衬底、成核层、高阻层、高迁移率层和势垒层；还包括：p型GaN帽层、源极、漏极本公开利于减小器件栅极漏电，改善器件栅极击穿特性，增加器件的栅压摆幅，增加器件阈值电压，提高氮化镓基器件的输出电流和可靠性。
阶梯混合 gan 氮化晶体管结构制作方法

[实用新型]一种幅值和脉宽可调的高压摆高压脉冲输出装置-CN202123036365.4有效
发明人：杨耀 -专利权人：重庆胜同铂飞光电科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H03K3/53 文献下载
摘要：本实用新型涉及脉冲输出设备技术领域，且公开了一种幅值和脉宽可调的高压摆高压脉冲输出装置，包括机壳，所述机壳的正面设置有用于幅值和脉宽可调的连接机构。该幅值和脉宽可调的高压摆高压脉冲输出装置，通过控制电路板检测键盘输入数据，显示屏显示当前的脉宽数据和键盘输入的数据以及是否触发等状态信息，控制电路板将键盘设置的脉宽数据传输给逻辑组件电路板，控制电路板检测发按钮是否按下，当发按钮按下，控制电路板将触发信号传输给逻辑组件电路板，逻辑组件电路板根据接收的脉宽数据和触发信号，生成对应脉宽的TTL脉冲信号，传输给高压驱动电路板，高压驱动电路板根据当前的电压值，输出对应脉宽和幅值的高压摆高压脉冲信号
一种可调高压脉冲输出装置

[发明专利]增强型氮化镓功率器件及其制备方法以及电子设备-CN202310219230.6在审
发明人：张鹏浩;王路宇;徐敏;潘茂林;王强;黄海;黄自强;谢欣灵;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种增强型氮化镓功率器件，在p‑GaN层与栅极金属层之间设置栅介质层。由于栅介质层和p‑GaN层所具有的导带差可以提升AlGaN/GaN异质结处的势陷位置，使其进一步远离费米能级，从而可有效提高阈值电压，同时栅介质的引入可改善增强型氮化镓功率器件的栅漏电，解决现有的增强型氮化镓功率器件的栅压摆幅较小的问题
增强氮化功率器件及其制备方法以及电子设备

[实用新型]一种光纤陀螺仪低工作电压调制信号电路-CN201720338988.1有效
发明人：黄忠伟 -专利权人：北京菲波森思科技有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： G01C19/72 文献下载
摘要：本实用新型包括D/A转换器N1、低共模输入电压差分运放器N2、差分信号低通滤波器N3、宽输出电压摆幅差分运放器N4、12个电容器以及21个电阻器；D/A转换器N1、低共模输入电压差分运放器N2、差分信号低通滤波器N3、宽输出电压摆幅差分运放器N4依次连接，采用单+5V供电，并且全信号通路采用差分形式，通过本实用新型可实现光纤陀螺仪的低工作电压，以及实现信号输出的宽摆幅和低噪声。
一种光纤陀螺仪工作电压调制信号电路

[发明专利]氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法-CN201310396219.3无效
发明人：姬小利;郭金霞;马平;马骏;魏同波;伊晓燕;王军喜;杨富华;曾一平;王国宏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-09-04 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法，其中该氮化镓基宽光谱发光二极管包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底上；一n型III族氮化物层，其制作在缓冲层上，该n型III族氮化物层上面的一侧有一台面，该台面的厚度小于本发明的氮化镓基宽光谱发光二极管具有宽光谱及光谱范围可调的优点。
氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种脉冲信号产生电路及电子设备-CN202010381886.4在审
发明人：周代彬;王晓铎;余乐 -专利权人：恒为科技（上海）股份有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H03K3/021 文献下载
摘要：本申请公开了一种脉冲信号产生电路及电子设备，其中，所述脉冲信号产生电路利用氮化镓基晶体管作为第一开关模块和第二开关模块，结合频率和脉宽可调的第一控制信号和第二控制信号实现所述脉冲信号产生电路的重复频率和脉宽的精确控制，并且由于所述氮化镓基晶体管的高速开关和更低的导通损耗的特点，使得所述脉冲信号产生电路的脉冲输出频率和脉宽精度得到大大的提高，确保脉冲信号产生电路最终可以实现的脉冲输出频率达到100MHz甚至更高，脉冲的宽度可以实现从1ns到宽脉冲的精确可调。
一种脉冲信号产生电路电子设备

[发明专利]宽摆幅牵引杆支撑组件-CN201410360444.6有效
发明人：迪格维贾伊·博萨尔;本杰明·J·海姆布希;埃德温·R·克雷斯 -专利权人：迪尔公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： A01B59/04 文献下载
摘要：本发明公开一种宽摆幅牵引杆支撑组件，包括连接到拖挂框架的轨道部件、滑动部件和牵引杆支撑部件。滑动部件在轨道部件中能够滑动。牵引杆支撑部件具有滚子，所述滚子滚动地接合滑动部件使得牵引杆能够横向地摆动。
滑动部件轨道部件牵引杆支撑部件支撑组件弯曲槽滑动摆幅滚子弹簧单元接合可操作突出部摆动拖挂滚动

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