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[发明专利]一种钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结及其制备方法-CN201910022200.X有效
发明人：陈明敬;宁兴坤;方立德;孟庆刚;王江龙;王淑芳;李小亭 -专利权人：河北大学
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结及其制备方法，所述钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结的厚度为30~60 nm，其包括钌酸锶薄膜和镧锶锰氧薄膜，所述镧锶锰氧薄膜中各成分的摩尔比La∶Sr∶Mn∶O=1‑x∶x∶1∶3，0≤x≤1；所述钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结是采用脉冲激光沉积法制得的。本发明钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结的制备工艺简单，生产成本低，通过改变镧锶锰氧薄膜中Sr元素的掺杂含量可精确有效调控钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结的横向、纵向交换偏置方向和数值，应用前景广阔
一种钌酸锶镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结及其制备方法

[发明专利]具有导电功能的镧锶锰氧陶瓷薄膜及其制备方法、液流电池钛基镧锶锰氧陶瓷电极-CN201810138418.7有效
发明人：刘政;蒋百铃;李远发 -专利权人：浩发环保科技（深圳）有限公司
申请日： 2018-02-10 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01M4/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有导电功能的镧锶锰氧陶瓷薄膜及其制备方法、液流电池钛基镧锶锰氧陶瓷电极；制备方法包括：(1)以含镧盐、锶盐和锰盐的混合溶胶为前驱体溶胶，采用浸渍提拉法在基体表面成型凝胶湿膜；(2)干燥凝胶湿膜，得到凝胶干膜；(3)将凝胶干膜进行结晶预处理，至凝胶干膜转变为镧锶锰氧薄膜；(4)最后进行结晶热处理，得到镧锶锰氧陶瓷薄膜。液流电池钛基镧锶锰氧陶瓷电极包括钛基体及其表面的镧锶锰氧陶瓷薄膜。
具有导电功能镧锶锰氧陶瓷薄膜及其制备方法流电池钛基镧锶锰氧电极

[发明专利]一种镧锶锰氧/氧化锌铝复相陶瓷的制备方法-CN201710209911.9有效
发明人：王传彬;吴兰;沈强;张联盟 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种镧锶锰氧/氧化锌铝复相陶瓷的制备方法。具体是：首先采用固相反应法制得镧锶锰氧粉体；然后分别称量镧锶锰氧粉体和氧化锌铝粉体，放入行星球磨机中，混合均匀；将混合粉置于等离子活化烧结炉中进行烧结，烧结条件为：烧结温度1000～1200℃、保温时间3～15min、烧结压力10～50MPa，最后得到镧锶锰氧/氧化锌铝复相陶瓷。本发明添加半导体氧化锌铝粉体第二相，利用其优化与镧锶锰氧基体晶粒间的界面效应、导电通道以及良好的助烧作用，能够显著提升镧锶锰氧陶瓷室温附近的低场磁电阻效应，0.5T低磁场下磁电阻≥14％。同时采用等离子活化烧结工艺，实现了镧锶锰氧/氧化锌铝复相陶瓷的低温快速致密烧结(致密度>96％)。
一种镧锶锰氧氧化锌铝复相陶瓷制备方法

[发明专利]一种铝硅磷锶硼镧钛中间合金及制备方法-CN201710908583.1有效
发明人：樊振中;熊艳才;宫玉辉;孙刚;陆政 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： C22C21/04 文献下载
摘要：本发明属于金属材料领域，涉及一种铸造铝硅合金用铝硅磷锶硼镧钛复合细化与变质中间合金及其制备方法。本发明的铝硅磷锶硼镧钛中间合金中各成分的质量百分数为：硅，12％～15％；磷，0.5％～1.5％；锶，3％～5％；硼，0.2％～0.4％；镧，1.5％～2.5％；钛，0.6％～1.0％；余量为铝。本发明铝硅磷锶硼镧钛中间合金的制备步骤如下：备料；粉碎；熔化；添加硼元素；添加锶镧钛元素；浇注。本发明提出了一种铸造铝硅合金用铝硅磷锶硼镧钛复合细化与变质中间合金及其制备方法，大大提高了中间合金在复杂合金成分条件下，其晶粒细化与硅相变质的效果和稳定性，满足了工程应用的需要。
中间合金铝硅镧钛制备铸造铝硅合金变质细化熔化金属材料领域质量百分数复合成分条件复杂合金工程应用晶粒细化硼元素钛元素备料浇注锶镧

[发明专利]一种含表面缺锶的镧锶金属氧化物的催化剂、制备及应用-CN202210277738.7有效
发明人：李杨 -专利权人：北京单原子催化科技有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01M4/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种含表面缺锶的镧锶金属氧化物的催化剂、制备及应用。所述催化剂是由质量配比为0.001～0.05:1的酸性氧化物和镧锶金属氧化物共混煅烧后获得的一种表面缺锶的镧锶金属氧化物，具有深度不小于10nm的表面贫锶层。所述制备方法基于酸‑碱性氧化物界面中和机制，利用酸性氧化物与镧锶金属氧化物中的碱性氧化锶亚晶格进行反应，在表面制造出锶单原子空位，获得表面缺锶的镧锶金属氧化物阴极催化剂。所述催化剂既具有高晶格氧氧化还原活性，又避免服役过程中氧化锶在表面偏析造成的寿命衰减，作为固体氧化物燃料电池阴极展现出了高性能、高耐久、可规模化制备等特点。
一种表面金属氧化物催化剂制备应用

[发明专利]一种铌或铌镧掺杂钛酸锶纳米粉体及其制备方法及应用-CN201510329631.2有效
发明人：王俊;张柏宇;新巴雅尔;李艳;郭峰;马文 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌或铌镧掺杂钛酸锶纳米粉体及其制备方法及应用，其制备方法包括：如下步骤：(1)配制溶液A；(2)配制溶液B；(3)溶液A与溶液B混合制得溶液C；(4)溶液C中加碱制得前驱体溶液D；(5)前驱体溶液D反应干燥制得固体产物；(6)制得铌掺杂钛酸锶纳米粉体或铌镧掺杂钛酸锶纳米粉体。用铌或铌镧掺杂钛酸锶纳米粉体制备铌或铌镧掺杂钛酸锶热电陶瓷片的方法。本发明的优点：本发明采用水热法首次成功制备出纳米级铌掺杂钛酸锶粉体和铌镧掺杂钛酸锶粉体，掺杂浓度达到30％，并研究了其热电性能，得到目前在钛酸锶基热电陶瓷中最高的热电性能。
一种掺杂钛酸锶纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种镧锶锰氧-钛酸锶铅复合薄膜及其制备方法-CN201010613934.4有效
发明人：陈莹;董显林;王根水;张帅 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种镧锶锰氧-钛酸锶铅复合薄膜，为层状结构，是由钛酸锶铅薄膜层、镧锶锰氧薄膜层及基底层依次由上至下层叠而成。所述复合薄膜的制备是首先使用醋酸或醋酸和去离子水作为溶剂，制得稳定的镧锶锰氧前驱体溶液和钛酸锶铅前驱体溶液；再采用旋转镀膜法先在基底片上制备所需要厚度的镧锶锰氧薄膜，再在所制得的镧锶锰氧薄膜上制备所需要厚度的钛酸锶铅薄膜
一种镧锶锰氧钛酸锶铅复合薄膜及其制备方法

[实用新型]生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱-CN201621166699.X有效
发明人：李国强;朱运农;李筱婵 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型属于GaN纳米柱制备的技术领域，公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱。所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱包括铝酸锶钽镧衬底，生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱模板层，生长在GaN纳米柱模板层上的GaN纳米柱阵列所述铝酸锶钽镧衬底以(111)面偏(100)方向0.5
生长铝酸锶钽镧衬底 gan 纳米

[发明专利]生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱及其制法与应用-CN201610940455.0在审
发明人：李国强;朱运农;李筱婵 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明属于GaN纳米柱制备的技术领域，公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱及其制法与应用。所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱包括铝酸锶钽镧衬底，生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱模板层，生长在GaN纳米柱模板层上的GaN纳米柱阵列所述铝酸锶钽镧衬底以(111)面偏(100)方向0.5
生长铝酸锶钽镧衬底 gan 纳米及其制法应用

[发明专利]一种镧锰氧/铱酸锶异质结薄膜制备方法-CN202210416790.6在审
发明人：王学锋;朱长征;刘汝新;张旭;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：本发明公开了一种镧锰氧/铱酸锶异质结薄膜制备方法，所述镧锰氧/铱酸锶异质结是采用脉冲激光沉积法制备，经过预处理好的基片放入真空腔室内加热到一定的温度，在一定的氧气压力条件下，利用脉冲激光轰击靶材产生的等离子羽辉沉积样品，首先沉积铱酸锶薄膜，沉积结束后进行原位退火，之后在相同条件下以相同步骤继续沉积镧锰氧薄膜，最后再原位退火后降温至室温。本发明制备的镧锰氧/铱酸锶异质结制备方法简单快捷，所制备的镧锰氧/铱酸锶异质结薄膜具有明显的界面磁性，通过调节异质结中镧锰氧的厚度可以有效的对异质结的界面磁性进行调控，在自旋电子器件领域有着广阔的应用前景
一种镧锰氧铱酸锶异质结薄膜制备方法

[发明专利]一种镧钴取代锶铁氧体永磁材料中镧钴离子迁移的表征分析方法-CN201310354819.3有效
发明人：孙延杰;王占勇;金双玲;金鸣林 -专利权人：上海应用技术学院
申请日： 2013-08-15 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：一种镧钴取代锶铁氧体永磁材料中镧钴离子迁移的表征分析方法，将含锶的铁氧体预烧料分别与不含镧钴和含镧钴的二次添加的助剂在球磨机内混合与球磨，分离脱水的不含镧钴的料浆采用湿法成型制备成圆形坯体，然后将坯体取出，在压机槽中添加含镧钴的料浆并将之前压好的坯体放置于料浆上方压制成混合圆形坯体，成型后的坯体进入隧道窑按一定的工艺制度进行烧结，得到烧结好的混合锶铁氧体永磁材料，然后把样品表面从上向下逐层磨去1-2mm，用X射线荧光光谱分析仪对此表面进行分析，进而得到若干个面的镧钴元素含量，最后绘制镧钴元素含量随迁移距离变化图，直观的显示出镧钴离子在锶铁氧体永磁材料中的迁移。
一种取代铁氧体永磁材料中镧钴离子迁移表征分析方法

[发明专利]一种镧掺杂钛酸锶纳米粉体及其制备方法-CN201810040044.5有效
发明人：孙毅;刁世林;黄旭初;李洋洋;瞿江林;袁鹏 -专利权人：昌吉学院
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种镧掺杂钛酸锶纳米粉体及其制备方法，镧掺杂钛酸锶纳米粉体的分子式为La
制备镧掺杂钛酸锶纳米粉体制备方法过程钙钛矿结构蓬松粉体烧制节约能源

[发明专利]化合物氯硼酸锶镧和氯硼酸钡镧及其非线性光学晶体及其制备方法及其用途-CN202111219639.5在审
发明人：吴红萍;袁斌倩;俞洪伟;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C01B35/18 文献下载
摘要：本发明涉及化合物氯硼酸锶镧和氯硼酸钡镧及氯硼酸锶镧和氯硼酸钡镧非线性光学晶体及其制备方法及其用途，该化合物和晶体化学式通式均为A3La4锶镧和氯硼酸钡镧采用固相反应法合成，氯硼酸锶镧和氯硼酸钡镧非线性光学晶体采用高温熔液法生长，该材料可应用于制造二次谐波发生器、上下频率转换器，光参量振荡器等。
化合物硼酸及其非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]一种基于多孔钴酸锶镧基底担载银纳米颗粒的超级电容器-CN201710132282.4有效
发明人：刘江;刘佩佩;张亚鹏;周倩;王晓强;刘美林 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多孔钴酸锶镧基底担载银纳米颗粒的超级电容器，包括引线、电荷收集器、正极材料、隔膜和负极材料；正极材料和负极材料中至少有一个为多孔钴酸锶镧基底担载银纳米颗粒构成的电极材料；制备时，先采用陶瓷法制备钴酸锶镧陶瓷粉末材料；将制备的钴酸锶镧陶瓷粉末材料加入球磨罐中，再加入造孔剂，加入溶剂，球磨后烘干，成型后的坯体在900～1100℃煅烧4～15h，制得多孔钴酸锶镧基底；通过浸渍AgNO3溶液，担载银纳米颗粒，真空干燥，干燥后煅烧制得
钴酸锶镧银纳米颗粒担载基底超级电容器陶瓷粉末材料负极材料正极材料球磨制备浸渍电荷收集器电极材料比容量造孔剂电势烘干坯体溶剂煅烧隔膜烧制成型陶瓷环保

[发明专利]一种掺镱硼酸锶钆镧激光晶体及其制备方法和应用-CN201911192788.X在审
发明人：潘忠奔;唐开阳;戴晓军;张衍;何亭;居佳;袁浩;蔡华强 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺镱硼酸锶钆镧混晶激光晶体及其制备方法和应用，掺镱硼酸锶钆镧混晶激光晶体的分子式为Sr
混晶掺镱硼酸激光晶体制备方法和应用超短脉冲激光发射光谱锁模技术无序度制备离子掺杂输出

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