[发明专利]生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱及其制法与应用在审
申请号: | 201610940455.0 | 申请日: | 2016-10-31 |
公开(公告)号: | CN106653966A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 李国强;朱运农;李筱婵 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/32;H01L21/02;H01L33/00;H01S5/30;B82Y40/00 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人: | 罗观祥 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于GaN纳米柱制备的技术领域,公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱及其制法与应用。所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱包括铝酸锶钽镧衬底,生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱模板层,生长在GaN纳米柱模板层上的GaN纳米柱阵列所述铝酸锶钽镧衬底以(111)面偏(100)方向0.5~1°为外延面;晶体外延取向关系为GaN的(0001)面平行于La0.3Sr1.7AlTaO6衬底的(111)面。本发明的方法简单,所制备的GaN纳米柱阵列尺寸可控,具有晶体质量好、缺陷密度低和应力弛豫的特点。 | ||
搜索关键词: | 生长 铝酸锶钽镧 衬底 gan 纳米 及其 制法 应用 | ||
【主权项】:
生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱,其特征在于:包括铝酸锶钽镧衬底,生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN纳米柱模板层,生长在GaN纳米柱模板层上的GaN纳米柱阵列。
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