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[发明专利]一种铜铟镓硒太阳电池器件及其制备方法-CN201310241258.6无效
发明人：薛玉明;张嘉伟;乔在祥;李微;赵彦民;许楠;刘浩;尹富红;冯少君;潘宏刚;宋殿友;朱亚东;刘君;李鹏海 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L31/045 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒太阳电池器件，为基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒太阳电池，由玻璃、聚酰亚胺、钼背接触层、铜铟镓硒吸收层、硫化镉缓冲层、透明窗口层高阻本征氧化锌薄膜、透明窗口层低阻氧化锌铝薄膜和铝上电极组成并形成叠层结构，其制备方法是：首先将聚酰亚胺胶涂于玻璃表面，固化成聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底，然后依次在其表面依次制备各层薄膜，在完整的铜铟镓硒太阳电池制备完成后，将其与苏打玻璃衬底分离，得到以聚酰亚胺膜为衬底的柔性铜铟镓硒太阳电池本发明的优点是：该种基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜结晶晶粒大；其制备方法是以钢性衬底制备柔性电池，易于实施，有利于大规模的推广应用。
一种铜铟镓硒太阳电池器件及其制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法-CN201210249760.7有效
发明人：林刘毓;张准 -专利权人：林刘毓;张准
申请日： 2012-07-18 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法，其包括：a）在衬底上制备钼背电极；b）在该钼背电极上制备铜铟镓硒吸收层，其中使用多个溅射腔进行分步溅射来完成制备吸收层；c）进行退火处理；d）在铜铟镓硒吸收层上制备In2Se3或ZnS缓冲层；e）在所述In2Se3或ZnS缓冲层上制备本征氧化锌高阻抗层；f）在所述本征氧化锌高阻抗层上制备氧化铟锡薄膜低阻抗层；g）在氧化铟锡薄膜低阻抗层上制备铝电极。
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池制备方法

[发明专利]碲锌镉/铜铟镓硒叠层太阳能电池-CN201210091689.4无效
发明人：曹鸿;褚君浩;王善力 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉/铜铟镓硒叠层太阳能电池，在透明衬底的两面分别沉积宽带隙的碲锌镉太阳能电池和窄带隙的铜铟镓硒太阳能电池。这种碲锌镉/铜铟镓硒叠层太阳能电池结构不仅大大扩展了对太阳光谱的吸收范围，最大程度地提高了太阳光能的利用，提高了光电转换效率，而且还解决了传统叠层太阳能电池存在的晶格匹配等问题。
碲锌镉铜铟镓硒叠层太阳能电池

[实用新型]太阳能光伏电池板-CN201420655126.8有效
发明人：崔梅杰 -专利权人：中辰未来（北京）科技发展有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种太阳能光伏电池板，它分为上下两层，其中上层为钙钛矿层，所述钙钛矿层由上透明导电层、钙钛矿吸收层、下透明导电层组成；下层为铜铟镓硒层，所述铜铟镓硒层由氧化锌掺铝导电层、氧化锌层、硫化镉薄膜层、铜铟镓硒吸收层、钼导电层、钠钙玻璃基层组成，能加宽光谱的吸收，使穿过上层薄膜钙钛矿层而未被吸收的光子，能在下层薄膜铜铟镓硒继续被吸收，转换率能超过30%，并具有高转换率功能，适合批量生产。
太阳能电池板

[发明专利]铜铟镓硒电池及其制备方法-CN201210014456.4有效
发明人：李帅;苏青峰;赖建明;张根发;罗军;王长君;马礼敏;郑泽秀 -专利权人：上海联孚新能源科技有限公司
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒电池及该电池的制备方法，其中，该铜铟镓硒电池依次包括衬底、P型掺钠的CIGS吸收层、n缓冲层、n型氧化锌层、透明导电层和采集电极。所述P型掺钠的CIGS吸收层和n型氧化锌层构成PN结。所述P型掺钠的CIGS吸收层的厚度是1～10微米，依次包括镓浓度为1％～1.5％的低镓CIGS吸收层、镓浓度为3％～5％的中镓CIGS吸收层和镓浓度为6％～8％的高镓CIGS吸收层。本发明的铜铟镓硒电池的P型掺钠的CIGS吸收层的镓元素呈V型分布，电池效率高，另外，本发明的方法能够确保在CIGS吸收层中镓元素呈“V”字分布以及克服在不锈钢为基底的CIGS吸收层中掺钠困难的问题。
铜铟镓硒电池及其制备方法

[发明专利]一种提高金属耐液态金属腐蚀的方法-CN201711435504.6在审
发明人：任文兵;盛磊;刘静 -专利权人：云南靖创液态金属热控技术研发有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： B05D7/14 文献下载
摘要：本发明提出一种提高金属耐液态金属腐蚀的方法，是在经过表面处理的金属表面喷涂耐高温涂料，经过固化后制得耐高温防腐涂层；所述金属为铜、铝、铁、铜合金、铝合金、铁合金中的一种，所述液态金属为镓、镓铟、镓铟锡、镓铟锡锌、铋、铅铋、铋铟锡、铋铟锡锌等合金中的一种。
液态金属腐蚀金属镓铟耐高温防腐涂层高温环境铟锡高温防腐涂层基体材料表面金属表面喷涂耐高温涂料合金材料基体材料技术支持使用寿命液态金属铁合金铝合金铜合金铅铋锡锌制备固化合金

[发明专利]从废旧薄膜太阳能电池中回收镓、铟、锗的方法-CN201210009187.2有效
发明人：王勤;何显达;苏陶贵;张翔 -专利权人：深圳市格林美高新技术股份有限公司
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种从废旧薄膜太阳能电池中回收镓、铟、锗的方法。该方法包括的步骤有：获得含有镓、铟、锗、镉、铜、锡、锌金属离子的第一分离液；获得第二分离液；获得含有镓、铟、锗、锡的滤渣；获得第四分离液和未溶于碱溶液的铟、锗金属固体；回收镓金属的步骤；回收铟金属的步骤本发明从废旧薄膜太阳能电池中回收镓、铟、锗的方法通过分步分别回收镓、铟、锗等多种稀散金属，有效降低了回收成本，提高了回收效率，并且该方法工艺简单，适于工业化生产。另外，通过上述从废旧薄膜太阳能电池中回收镓、铟、锗的方法回收的镓、铟、锗等多种稀散金属纯度高，纯度可高到99.99％。
废旧薄膜太阳能电池回收方法

[发明专利]阵列基板的制作方法-CN201710543887.2在审
发明人：胡小波 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开一种阵列基板的制作方法，包括在基板上形成栅极；在基板的朝向栅极的一侧形成栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖栅极；在栅极绝缘层的远离栅极的一侧依次沉积铟镓锌锡氧化物层和铟镓锌氧化物层；通过第一黄光制程图案化铟镓锌氧化物层和铟镓锌锡氧化物层
阵列制作方法

[发明专利]阵列基板、阵列基板制备方法及显示面板-CN202310986383.3在审
发明人：查欣雨;杨梅;刘海亮 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：阵列基板制备方法及显示面板，阵列基板包括：衬底；有源层，设于衬底一侧；源漏极层，设于有源层背离衬底一侧，源漏极层包括相互绝缘的源极和漏极；连接层，连接有源层和源极、有源层和漏极中的至少一者，连接层的材料包括铟镓锌氧化物，铟镓锌氧化物掺杂有第一金属离子，且第一金属离子的化合价和铟镓锌氧化物内各金属离子的化合价均不相同。通过第一金属离子对铟镓锌氧化物内金属离子进行取代，导电性得到大幅提高，有效降低了有源层和源极之间，和/或有源层和漏极之间的接触电阻，优化接触特性，使得所形成的薄膜晶体管的开态电流增大，显著提升薄膜晶体管的性能
阵列制备方法显示面板

[发明专利]双层导电膜结构的铜铟镓硒薄膜太阳电池及制备方法-CN201610832713.3有效
发明人：申绪男;赵岳;赖运子;刘帅奇 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层导电膜结构的铜铟镓硒薄膜太阳电池及制备方法，包括步骤1、在衬底上制作背电极；具体为通过直流磁控溅射沉积系统在衬底材料上沉积Mo作为背电极，Mo为双层结构；步骤2、在背电极上利用共蒸发铜、铟、镓、硒四种元素的方法制备厚度2微米以上的铜铟镓硒薄膜；步骤3、在铜铟镓硒薄膜上，采用化学水浴沉积的方法制备缓冲层，缓冲层为50nm的硫化镉薄膜；步骤4、在缓冲层上采用射频磁控溅射的方法制备50nm厚的本征氧化锌薄膜；步骤5、在本征氧化锌薄膜上，采用直流磁控溅射方法依次制备掺铝氧化锌薄膜和氧化铟锡薄膜；步骤6、在透明导电膜上，采用低温丝网印刷工艺，制备银上电极，制备温度不高于100℃。
双层导电膜结构铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法

[发明专利]一种氧化铟镓锌管状靶材的短流程制备方法-CN201810645418.6有效
发明人：孙本双;何季麟;舒永春;曾学云;陈杰;李庆奎 -专利权人：郑州大学
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化铟镓锌管状靶材的短流程制备方法，包括氧化铟粉末、氧化镓粉末和氧化锌粉末球磨混匀，得到混合粉体；混合粉体与料浆液混合，得到料浆，该料浆中混合粉体的质量含量设置在30％～50％之间；料浆浇注到管状靶材模具，成型脱模，干燥，得到管状靶材素坯；一体化脱脂烧结管状靶材素坯，得到氧化铟镓锌管状靶材。采用脱脂烧结一体化工艺，烧结温度降低，烧结时间大大缩短，实现了快速活化烧结，抑制了晶粒长大，制备的氧化铟镓锌管状靶材的晶粒细小、均匀，平均晶粒度为4μm～5.6μm，致密度高，其相对密度可到99.6％以上
管状靶材氧化铟镓锌烧结混合粉体制备脱脂短流程料浆素坯收缩平均晶粒度氧化锌粉末氧化铟粉末氧化镓粉末一体化工艺活化烧结晶粒长大料浆浇注温度降低晶粒料浆液管口混匀球磨脱模成型模具一体化

[发明专利]一种用于靶材制作的高纯氧化物制备方法-CN202210424379.3有效
发明人：唐智勇 -专利权人：株洲火炬安泰新材料有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于靶材制作的高纯氧化物制备方法，涉及靶材制备技术领域，将铝离子、镓离子、锌离子以及铟离子分别加入电解液内进行电解以得到电解所得铝、电解所得镓、电解所得锌以及电解所得铟，而后对各电解所得物水解后进行甩干处理，将甩干后的电解所得铝、电解所得镓、电解所得锌以及电解所得铟进行加热以获得前驱体，再对前驱体进行煅烧处理以获得高纯氧化铝粉末、高纯氧化镓粉末、高纯氧化锌粉末以及高纯氧化铟粉末，得到了高纯度的金属氧化物粉末
一种用于制作高纯氧化物制备方法

[发明专利]一种氧化锌掺杂同质PN结及其制备方法-CN201010233272.8无效
发明人：王丽;苏雪琼;陈江博;万晓婧 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2010-07-16 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌掺杂同质PN结及其制备方法，由ZnO掺钴薄膜作为P型结，ZnO掺铟镓薄膜作为N型结，P型的ZnO掺钴薄膜在附着在衬底基片上，N型ZnO掺铟镓薄膜附在P型的ZnO掺钴薄膜上，P型的ZnO掺钴薄膜的部分被N型ZnO掺铟镓薄膜覆盖；其制备方法通过脉冲激光沉积法来制备的，采用如下技术方案实现：先采用固体反应烧结法制备Zn0.9Co0.1O和In0.8Ga0.1Zn0.1O陶瓷靶材，再采用脉冲激光沉积法分别制备P型掺钴氧化锌薄膜和N型掺铟镓氧化锌薄膜，形成同质p-n结。
一种氧化锌掺杂同质 pn 及其制备方法

[发明专利]非真空湿式铜铟镓硒太阳电池制作方法-CN201010000653.1无效
发明人：庄泉龙 -专利权人：正峰新能源股份有限公司
申请日： 2010-01-14 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种非真空湿式铜铟镓硒太阳电池制作方法，是在非真空下以湿式方式，利用第一透明导电氧化层形成处理、铜铟镓硒层与硫化镉层形成处理、氧化锌层形成处理及第二透明导电氧化层形成处理，而在背面电极层上依序形成第一透明导电氧化层、铜铟镓硒层与硫化镉层、氧化锌层及第二透明导电氧化层，进而形成高转换率的铜铟镓硒太阳电池，其中第一透明导电氧化层形成处理、氧化锌层形成处理及第二透明导电氧化层形成处理分别包括雷切割处理，依序对工作件进行镭射及刮刀切割
真空湿式铜铟镓硒太阳电池制作方法

[发明专利]无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层薄膜的制备方法-CN200310107262.X有效
发明人：孙云;李长健;刘唯一;何清;李凤岩;周志强;敖建平;孙国忠 -专利权人：南开大学
申请日： 2003-12-09 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层薄膜的制备方法，在铜铟镓硒光学吸收层薄膜的表面上镀覆金属锌薄膜，然后将镀覆有金属锌薄膜的电池基板表面用光辐照加热，其衬底背面用接触式热源或光辐照方式加热，固态硒源或/和硫源用接触式热源和光辐照协同方式来加热，硒源或/和硫源的温度控制在160～280℃，硒或硫蒸气与锌薄膜之间用光辐射来催化它们的合成反应，锌薄膜的硒化或/和硫化处理温度控制在180～420℃，用时2～10分钟将锌薄膜转化成n－型ZnSe或ZnS半导体薄膜材料，制成无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池中的缓冲层薄膜。本发明方法可在铜铟镓金属预制层后硒化方法制备CIGS薄膜电池的生产线内进行连续化的生产操作。
无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲制备方法