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[发明专利]一种低温制备铟镓锌氧透明半导体薄膜的液相方法-CN201610821772.0在审
发明人：夏国栋;王素梅 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于新材料及半导体领域，特别涉及一种低温制备铟镓锌氧透明半导体薄膜的液相方法。包括如下步骤：称取可溶性的铟盐、镓盐、锌盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的铟镓锌氧前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的铟镓锌氧前驱体溶液；制备铟镓锌氧薄膜：将铟镓锌氧前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成铟镓锌氧前驱体薄膜，进行50‑150℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据铟镓锌氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体铟镓锌氧溶液并退火处理，即得到铟镓锌氧透明半导体薄膜。本发明所得铟镓锌氧薄膜在晶体管、存储器、太阳能电池等信息能源领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等，成本低，适合工业化大规模生产。
一种低温制备铟镓锌氧透明半导体薄膜方法

[发明专利]一种高迁移率铟镓锌氧薄膜晶体管的低温液相制备方法-CN201610821769.9在审
发明人：夏国栋;张倩;王素梅 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明属于半导体及微电子器件领域，特别涉及一种高迁移率铟镓锌氧薄膜晶体管的低温液相制备方法。包括如下步骤：称取可溶性的锌盐、锡盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的铟镓锌氧前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的铟镓锌氧前驱体溶液；制备铟镓锌氧薄膜：将铟镓锌氧前驱体溶液涂覆到预先涂有介电层/栅极薄膜的衬底上形成铟镓锌氧前驱体薄膜，进行50‑150 ℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据铟镓锌氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体铟镓锌氧溶液并退火处理，即得到铟镓锌氧透明半导体薄膜在铟镓锌氧透明半导体薄膜上沉积源漏电极，即得到铟镓锌氧薄膜晶体管。本发明所得铟镓锌氧薄膜晶体管性能高，在信息电子领域有重要应用前景。
一种迁移率铟镓锌氧薄膜晶体管低温制备方法

[发明专利]高性能铟镓锌氧基双层结构薄膜晶体管及其制备方法-CN201811395202.5在审
发明人：廖蕾;何佳威 -专利权人：武汉大学
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供高性能铟镓锌氧基双层结构薄膜晶体管及其制备方法，能够有效减少双层薄膜中的缺陷，并显著提高迁移率和开关电流比。本发明所涉及的薄膜晶体管，从下往上依次包括：P型重掺杂硅片、二氧化硅绝缘层、铟镓锌氧薄膜层、氧化铟薄膜层以及源漏电极。方法包括：以生长有二氧化硅绝缘层的重掺杂P型硅片为基底，对铟镓锌氧复合靶材进行射频磁控溅射，同时通过掩膜工艺在基底上沉积形成铟镓锌氧薄膜；在铟镓锌氧薄膜层上对氧化铟靶材进行射频磁控溅射，通过掩膜工艺沉积形成氧化铟薄膜层，进而形成铟镓锌氧/氧化铟双沟道层；在铟镓锌氧/氧化铟双沟道层上采用热蒸发工艺，同时通过掩膜工艺制备源漏电极，即得铟镓锌氧基双层结构薄膜晶体管。
铟镓锌氧薄膜晶体管铟镓锌氧薄膜双层结构掩膜工艺制备二氧化硅绝缘层射频磁控溅射氧化铟薄膜源漏电极双沟道氧化铟沉积基底开关电流比复合靶材双层薄膜氧化铟靶有效减少迁移率热蒸发重掺杂硅片生长

[发明专利]室温优化非晶铟镓锌氧薄膜晶体管界面的方法-CN202211164269.4有效
发明人：王春兰;段楠;宋勇乐;赵明;刘晓红 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/425 文献下载
摘要：本发明公开了室温优化非晶铟镓锌氧薄膜晶体管界面的方法，具体步骤如下：步骤1，在室温下采用射频磁控溅射铟镓锌氧复合靶材，并利用掩膜工艺在衬底上制备非晶铟镓锌氧有源层；步骤2，采用氧等离子体对非晶铟镓锌氧有源层进行处理，得到处理后的非晶铟镓锌氧有源层；步骤3，在室温下采用直流溅射铜靶材，并利用掩膜工艺在处理后的非晶铟镓锌氧有源层上制备源电极和漏电极。本发明方法能够在室温下沉积高性能非晶铟镓锌氧薄膜晶体管。
室温优化非晶铟镓锌氧薄膜晶体管界面方法

[发明专利]从IGZO废靶中回收高纯度铟-镓的方法-CN202210331248.0在审
发明人：权埈范;朴廷源 -专利权人：广达材料有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及从IGZO废靶中回收高纯度铟镓的方法。从IGZO废靶中回收高纯度铟镓的方法，包括：在由铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的混合物组成的废靶粉末中添加酸性溶液制备浸出溶液；从浸出溶液中回收高纯度铟(In)；在已分离铟的浸出溶液的残余浸出用溶液中添加萃取溶液，将pH调节为酸性，从而制备镓‑锌氧化并回收；将镓‑锌氧化物添加至碱性水溶液中制备镓‑锌电解溶液；及向镓‑锌电解溶液中通电，从而回收高纯度的镓(Ga)，回收高纯度铟的步骤包括：在浸出溶液中追加锌(Zn)后取代出具有第一纯度的第一铟，对其进行回收；以及从添加电解溶液制备的上述制备的铟电解溶液中，以第一铟作为阳极，从阴极回收第二纯度的第二铟，第二铟的第二纯度高于第一铟的第一纯度。
igzo 废靶中回收纯度方法

[发明专利]一种铟镓锌氧化物粉体的制备方法-CN201710311704.4有效
发明人：李晨辉;单静静;刘江安;吴甲民;史玉升;桂如峰 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓锌氧化物粉体的制备方法，其包括如下步骤首先配置镓盐溶液、铟盐溶液和锌盐溶液；然后使用不含碱金属的碱液作为沉淀剂，并采用三步沉淀法分别使所述镓盐溶液、铟盐溶液以及锌盐溶液中的镓离子、铟离子、锌离子在不同pH值下先后沉淀，以制备铟镓锌氧化物前驱体粉体；最后将制备的所述铟镓锌氧化物前驱体粉体经洗涤、过滤、干燥、退火后制成获得高纯单相铟镓锌氧化物粉体InGaZnO4。
一种铟镓锌氧化物制备方法

[发明专利]一种氧化铟镓锌靶材的制备方法-CN202011121750.6在审
发明人：张来稳;邵学亮;李开杰;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明揭示了一种氧化铟镓锌靶材的制备方法，包括以下步骤：将氧化铟粉末、氧化镓粉末、氧化锌粉末加入球磨罐中，再加入分散剂、粘接剂以及纯水混合，进行预分散后得到混合液，将所述混合液进行湿法研磨后得到混合浆料；将混合浆料进行喷雾造粒、混料筛分，得到氧化铟镓锌粉末；将氧化铟镓锌粉末进行液压成型、冷等静压，得到氧化铟镓锌靶坯；将氧化铟镓锌靶坯进行烧结，烧结的过程中，在氧化铟镓锌靶坯底部铺上一层衬底材料，烧结完成后得到氧化铟镓锌靶材本发明烧结过程中在靶坯底部铺上一层衬底材料，让靶坯在衬底材料的挥发氛围中烧结，从而抵消靶坯组分因为分子热运动导致的损失，烧结出组分均匀的氧化铟镓锌靶材。
一种氧化铟镓锌靶材制备方法

[发明专利]一种氧化铟镓锌复合粉末的制备方法-CN201710137910.8在审
发明人：孙本双;何季麟;舒永春;李庆奎;曾学云;刘洋;杨淑敏;张晓娜;王武;罗宁;王净丰 -专利权人：郑州大学
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铟镓锌复合粉末的制备方法，先熔炼制得铟镓锌合金，再溶解于硝酸中，生成硝酸铟、硝酸镓和硝酸锌的聚合体，然后加入氨水，形成沉淀，将沉淀煅烧即得。由于本发明以铟稼锌合金为原料，通过将铟稼锌合金与硝酸反应，实现了的硝酸铟、硝酸镓和硝酸锌同时生成，避免了现有技术分别制备氧化铟、氧化镓和氧化锌过程中由于很难实现控制条件的同样化所带来的粒度和比表面积的严重偏差，保证了制备的氧化铟镓锌复合粉末的粒径均匀，比表面积可控，从而最终烧结性能良好。
一种氧化铟镓锌复合粉末制备方法

[发明专利]氧化铟镓锌靶材的电化学回收再利用方法-CN202010820246.9在审
发明人：宋建勋;李少龙;车玉思;舒永春;何季麟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C25C3/36 文献下载
摘要：氧化铟镓锌靶材的电化学回收再利用方法，包括：(1)恒电位电解过程：以氧化铟镓锌为原料，以包含氯化钙的熔融盐为电解质，以第一石墨电极为第一阴极，以第二石墨电极为第一阳极，在惰性气体保护下进行恒电位电解，得到铟镓锌合金；(2)恒电流电解过程：以铟镓锌合金为第二阳极，以氯化铵水溶液为电解液，进行恒电流电解，得到铟镓锌氢氧化物沉淀；(3)煅烧过程：煅烧铟镓锌氢氧化物沉淀，得到纳米级铟镓锌氧化物复合粉体。
氧化铟镓锌靶材电化学回收再利用方法

[发明专利]铟镓锌氧化物及其制法与应用-CN201210108898.5有效
发明人：张育纶;林弘巾;林婉华;苏百樱;王圣棻 -专利权人：光洋应用材料科技股份有限公司
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供一种铟镓锌氧化物的制作方法，其是先混合含铟、镓及锌的原料，经过干燥、煅烧等步骤，制作出均匀且高纯度的铟镓锌氧化物。此外，本发明另提供一种用以制作铟镓锌氧化物靶材的组成物，其为含有多元金属氧化物的混合物，尤其包含所述制作方法所制得的铟镓锌氧化物。再者，本发明还提供一种使用所述铟镓锌氧化物制作铟镓锌氧化物靶材的方法及其成品，其靶材中主要是以InGaZnO4为主，而实质上不具有ZnGa2O4。
铟镓锌氧化物及其制法应用

[发明专利]优化室温沉积铟镓锌氧薄膜晶体管阈值电压稳定性的方法-CN202211211974.5有效
发明人：王春兰;刘晓红;宋勇乐;赵明;段楠 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了优化室温沉积铟镓锌氧薄膜晶体管阈值电压稳定性的方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，室温下，在磁控溅射系统通过射频溅射方法，使铟镓锌氧靶材，在衬底上沉积一层非晶铟镓锌氧有源层薄膜；步骤2，在步骤1得到非晶铟镓锌氧有源层薄膜后，室温下继续向磁控溅射系统通入氮气，对非晶铟镓锌氧有源层薄膜及进行处理；步骤3，室温下，通过直流溅射方法，采用铜靶材在步骤2处理后的非晶铟镓锌氧有源层薄膜上沉积金属铜的源电极和漏电极本发明方法解决现有铟镓锌氧薄膜晶体管阈值电压稳定性差且需要高温制备的问题。
优化室温沉积铟镓锌氧薄膜晶体管阈值电压稳定性方法

[发明专利]铟镓锌氧化物薄膜的前驱液及铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备方法-CN202010798884.5在审
发明人：孙荷静;邱恒达;周航 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种铟镓锌氧化物薄膜的前驱液及铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。该前驱液包括铟盐、镓盐、锌盐、稳定剂和溶剂；其中稳定剂为乙醇胺。本发明通过采用乙醇胺帮助促进前驱液的氧化过程，降低铟镓锌氧化物薄膜内氧空位的浓度，从而改善以铟镓锌氧化物薄膜为沟道层的薄膜晶体管的阈值电压负偏的问题。
铟镓锌氧化物薄膜前驱薄膜晶体管制备方法

[发明专利]掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层、其制备方法及其应用、晶体管及其制备方法-CN202010549980.6在审
发明人：黎年赐;邵龑;庞硕;何可;汪智伟;周长著;冯叶;杨春雷 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层、其制备方法及其应用、晶体管及其制备方法，普通的铟镓锌氧化物对可见光基本没有响应，本发明提供了一种掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层，由于掺杂氢的铟镓锌氧化物的带隙小于或等于可见光的光子能量将这种掺杂氢的铟镓锌氧化物膜层应用于光电晶体管中，可以可满足可见光探测领域对铟镓锌氧化物型光电晶体管的实际需求，这类光电晶体管将在显示与成像、光通信、遥感、生物医疗等领域发挥重要作用。
掺杂铟镓锌氧化物制备方法及其应用晶体管

[发明专利]一种结晶氧化铟镓锌半导体层及薄膜晶体管的制造方法-CN201510861616.2在审
发明人：叶家宏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种结晶氧化铟镓锌半导体层及薄膜晶体管的制造方法，该结晶氧化铟镓锌半导体层的制造方法包括下列步骤。在制作工艺温度高于摄氏200度、氧气流量高于60sccm以及氩气流量低于20sccm的条件下，通过等离子体所产生的离子轰击氧化铟镓锌溅镀靶材以于基板上形成结晶氧化铟镓锌半导体层。此外，具有所述结晶氧化铟镓锌半导体层的薄膜晶体管的制造方法亦被提出。
一种结晶氧化铟镓锌半导体薄膜晶体管制造方法

[发明专利]从氧化铟镓锌中回收铟镓锌合金的电化学方法-CN202010124945.X在审
发明人：宋建勋;李少龙;车玉思;舒永春;何季麟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C25C3/36 文献下载
摘要：一种从氧化铟镓锌中回收铟镓锌合金的电化学方法，以氧化铟镓锌为原料，以包含氯化钙的熔融盐为电解质，以第一石墨电极为阴极，以第二石墨电极为阳极，在惰性气体保护下进行恒电位电解，得到铟镓锌合金。从氧化铟镓锌中回收铟镓锌合金的电化学方法，工艺流程简单，工艺条件易控，操作简单易行，产品收得率高，不产生有害气体，不污染环境，具有产业实用性。
氧化铟镓锌中回收锌合金电化学方法

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