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[发明专利]一种氧化铟锡薄膜图案的制备方法-CN202110383560.X在审
发明人：彭俊彪;朱宇博;徐华;徐苗;李民 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铟锡薄膜图案的制备方法。氧化铟锡薄膜图案的制备方法包括：提供基板；在基板的表面形成氧化铟锡薄膜；对氧化铟锡薄膜进行均匀化处理；对氧化铟锡薄膜进行图案化刻蚀。本发明达到了制备低电阻、高精细的氧化铟锡薄膜图案的效果。
一种氧化薄膜图案制备方法

[发明专利]一种铟锡氧化物薄膜的制作方法、显示面板和显示装置-CN201910564627.2有效
发明人：夏玉明;卓恩宗 -专利权人：惠科股份有限公司;滁州惠科光电科技有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请公开了一种铟锡氧化物薄膜的制作方法、显示面板和显示装置。所述铟锡氧化物薄膜的制作方法，制作方法包括：形成氧化铟薄膜的步骤；形成氧化锡薄膜的步骤；以及交替形成氧化铟薄膜的步骤和氧化锡薄膜的步骤，判断是否重复了第三预设次数，是则制程完成；否则，重新执行形成氧化铟薄膜和氧化锡薄膜的步骤本申请使用原子层沉积技术，交替形成氧化铟薄膜和氧化锡薄膜，并最终得到铟锡氧化物薄膜，大幅提高沉积薄膜的致密度，表面平整度和均匀度，实现生成稳定的铟锡氧化物薄膜。
一种氧化物薄膜制作方法显示面板显示装置

[发明专利]高性能铟镓锌氧基双层结构薄膜晶体管及其制备方法-CN201811395202.5在审
发明人：廖蕾;何佳威 -专利权人：武汉大学
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供高性能铟镓锌氧基双层结构薄膜晶体管及其制备方法，能够有效减少双层薄膜中的缺陷，并显著提高迁移率和开关电流比。本发明所涉及的薄膜晶体管，从下往上依次包括：P型重掺杂硅片、二氧化硅绝缘层、铟镓锌氧薄膜层、氧化铟薄膜层以及源漏电极。方法包括：以生长有二氧化硅绝缘层的重掺杂P型硅片为基底，对铟镓锌氧复合靶材进行射频磁控溅射，同时通过掩膜工艺在基底上沉积形成铟镓锌氧薄膜；在铟镓锌氧薄膜层上对氧化铟靶材进行射频磁控溅射，通过掩膜工艺沉积形成氧化铟薄膜层，进而形成铟镓锌氧/氧化铟双沟道层；在铟镓锌氧/氧化铟双沟道层上采用热蒸发工艺，同时通过掩膜工艺制备源漏电极，即得铟镓锌氧基双层结构薄膜晶体管。
铟镓锌氧薄膜晶体管铟镓锌氧薄膜双层结构掩膜工艺制备二氧化硅绝缘层射频磁控溅射氧化铟薄膜源漏电极双沟道氧化铟沉积基底开关电流比复合靶材双层薄膜氧化铟靶有效减少迁移率热蒸发重掺杂硅片生长

[发明专利]多晶形铟锡氧化物薄膜以及多晶形铟锡氧化物电极的制造方法-CN200410074540.0有效
发明人：舒芳安 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2004-09-08 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种多晶形铟锡氧化物薄膜的制造方法，首先，于基材上形成非晶形铟锡氧化物薄膜，接着进行快速热退火处理，以将非晶铟锡氧化物薄膜转换为多晶形铟锡氧化物薄膜。另外，本发明还提出一种多晶形铟锡氧化物电极的制造方法，首先，于薄膜晶体管阵列基材上形成非晶铟锡氧化物薄膜。接着，在此非晶铟锡氧化物薄膜上制作布线图案，以于基材上形成多个非晶铟锡氧化物电极。之后，进行快速热退火处理，以将多个非晶铟锡氧化物电极转换为多晶形铟锡氧化物电极。上述的制造方法可形成较佳平坦度之多晶形铟锡氧化物薄膜，并可缩短处理时间并提高成品率。
多晶形铟锡氧化物薄膜以及电极制造方法

[发明专利]铟锡氧化物薄膜的回收方法以及基板的回收方法-CN201010513266.8有效
发明人：郑钧文;陈豊涵;赖英杰 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-10-12 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：一种铟锡氧化物薄膜的回收方法。首先，提供一待回收物，此待回收物具有一铟锡氧化物薄膜，接着，使一碱液与铟锡氧化物薄膜接触，以使铟锡氧化物薄膜自待回收物剥离并混合于碱液中，其中碱液的成分包括氢氧化钾及/或氢氧化钠。之后，收集剥离的铟锡氧化物薄膜与碱液的混合物，并自铟锡氧化物薄膜与碱液的混合物中过滤而取得含铟的粉末。本发明另提供一种基板的回收方法。本发明采用碱液与铟锡氧化物薄膜接触，使铟锡氧化物薄膜自待回收物上剥离而混合于碱液中，以达到铟锡氧化物薄膜或基板回收的目的。
氧化物薄膜回收方法以及

[发明专利]硫化铟薄膜及其制备方法、基于硫化铟薄膜的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202010736936.6有效
发明人：陈建林;黄才友;邱炜;何建军;李微;彭卓寅;任延杰;陈荐 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了硫化铟薄膜及其制备方法，基于该硫化铟薄膜的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该硫化铟薄膜的制备方法包括：将巯基乙酸、乙二醇甲醚和铟的可溶性盐混合，进行搅拌，得硫化铟前驱溶液；然后升温至80～120℃，并进行冷凝回流，得到硫化铟溶胶，将硫化铟溶胶涂覆在导电玻璃上，即得致密无针孔的硫化铟薄膜。本发明的方法具有制备温度低、生产效率高、薄膜形貌和厚度可控等优点，且得到的硫化铟薄膜质量好、致密无针孔、电子迁移率高、稳定性好，采用该薄膜制备的太阳能电池输出性能更优。
硫化薄膜及其制备方法基于无机钙钛矿太阳能电池

[发明专利]一种声光调制器用铟薄膜的制备方法-CN202110271388.9在审
发明人：汤惠淋;宋世金;朱刘;马英俊 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种声光调制器用铟薄膜的制备方法，其包括如下步骤：(1)安装In靶材；(2)清洗衬底；(3)通过直流磁控溅射在衬底上生长铟薄膜，生长温度为100～400℃；(4)对铟薄膜进行氢气退火处理。本发明的制备方法，在100～400℃的温度下生长铟薄膜，还对铟薄膜进行氢气退火，由此，不仅可利用高温处理降低铟薄膜的电阻率，使其具有优良的导电性能，还可防止最终获得的铟薄膜被氧化，最终制得表面光滑、金属光泽度高、组分均一、导电性能稳定、以及适用于声光调制器中的铟薄膜。
一种声光调制器用薄膜制备方法

[发明专利]铜铟镓硒薄膜制备方法-CN201310277577.2有效
发明人：杨春雷;于冰;程冠铭;冯叶;肖旭东;顾光一;鲍浪;郭延璐;徐苗苗 -专利权人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒薄膜制备方法，包括以下步骤：通过采用铜靶、铟靶及镓靶靶材的磁控溅射，在衬底上制备铜铟镓硒预制层，所述镓靶由三硒化二镓材料制成；所述镓靶晚于所述铟靶开始磁控溅射，并且所述镓靶晚于所述铟靶停止磁控溅射；对所述铜铟镓硒预置层进行硒化及退火，制得铜铟镓硒薄膜。在上述铜铟镓硒薄膜制备方法中，通过在磁控溅射过程中，镓靶晚于铟靶开始磁控溅射，且镓靶晚于铟靶停止磁控溅射，从而有效减少镓组分在最终所制得的铜铟镓硒薄膜的底部富集，增加镓组分在铜铟镓硒薄膜顶部的含量，达到提升开路电压的目的，此外，使用该铜铟镓硒薄膜的太阳能电池的光电转换效率较高。
铜铟镓硒薄膜制备方法

[发明专利]一种制备高迁移率氧化铟薄膜晶体管的低温溶液方法-CN201610821768.4在审
发明人：夏国栋;王素梅 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体及微电子器件领域，特别涉及一种制备高迁移率氧化铟薄膜晶体管的低温溶液方法。包括如下步骤：称取可溶性的铟盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的氧化铟前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的氧化铟前驱体溶液；制备氧化铟薄膜：将氧化铟前驱体溶液涂覆到预先涂有介电层/栅极薄膜的衬底上形成氧化铟前驱体薄膜，进行50‑150 ℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据氧化铟薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体氧化铟溶液并退火处理，即得到氧化铟透明半导体薄膜。在氧化铟透明半导体薄膜上沉积源漏电极，即得到氧化铟薄膜晶体管。本发明所得氧化铟薄膜晶体管性能高，在信息电子领域有重要应用前景。
一种制备迁移率氧化薄膜晶体管低温溶液方法

[发明专利]铜铟镓硒薄膜的制备方法-CN201310687514.4有效
发明人：熊治雨;肖旭东;杨春雷 -专利权人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法。该铜铟镓硒薄膜的制备方法包括步骤一为：在硒气氛中，共蒸镓和铟，使硒、镓和铟沉积于衬底上；步骤二为：提高衬底温度，在硒气氛中，蒸发铜，使硒和铜沉积于衬底上；步骤三为：保持衬底温度，在硒气氛中，共蒸镓和铟，形成铜铟镓硒薄膜。通过提高热镓和铟的蒸发温度加速薄膜沉积，设置步骤一和步骤三的蒸发量之间的配比关系，使铟更多地进入薄膜内部并增加薄膜表面的镓含量，显著地改善各元素的梯度分布，减少铜铟镓硒薄膜表面缺陷，提高铜铟镓硒薄膜的质量并降低能源消耗
铜铟镓硒薄膜制备方法

[发明专利]增进平坦化氧化铟锡薄膜的方法-CN02148916.5有效
发明人：萧调宏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2002-11-08 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种增进平坦化氧化铟锡薄膜的方法，提供一基板，在基板上并制作了一氧化铟锡薄膜；接着，使用酸性溶液对氧化铟锡薄膜进行表面处理，由于酸性溶液为对氧化铟锡薄膜具有蚀刻速率低的特性，因此能平垣化氧化铟锡薄膜的表面有效降低ITO的粗糙度及增进平坦化氧化铟锡层的功效。
增进平坦氧化薄膜方法

[发明专利]图案化氧化铟锡薄膜的方法-CN200710086796.7无效
发明人：刘胜杰;吴子扬;潘昇良;李元榜;林耀辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-03-20 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明是有关于一种图案化氧化铟锡薄膜的方法，该图案化氧化铟锡薄膜的方法至少包括下列步骤：形成一覆盖层于该氧化铟锡薄膜上；以及将该氧化铟锡薄膜的复数个暴露区域暴露在一气相蚀刻剂下，其中该气相蚀刻剂至少包括水本发明包含形成覆盖层于此氧化铟锡薄膜上，以及将氧化铟锡薄膜的暴露区域暴露在水电浆下，利用水电浆来进行导电且透光的氧化铟锡薄膜的图案化。由于水电浆对氧化铟锡薄膜与上方的覆盖层和下方的介电层或基材之间具有优异的蚀刻选择比，因此经图案化后，可以获得相当优异的氧化铟锡薄膜边缘外型。再者，水电浆方法适用于包含氧化铟锡图案化的许多制程，这些制程包括但并不限于光学微机电系统的制程。
图案氧化薄膜方法

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜制备方法及铜铟镓硒薄膜-CN201610841978.X有效
发明人：王文庆 -专利权人：东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及光伏薄膜材料技术领域，特别涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法及铜铟镓硒薄膜。本发明的制备方法包括以下步骤在沉积背电极的衬底上磁控溅射形成包含硒化物系列化合物的第一层掺钠铜铟镓硒预制层；硒化热处理掺钠铜铟镓硒预制层，得到第一层铜铟镓硒薄膜层；周期循环重复步骤(1)、(2)，每个周期中Ga/(In+Ga)不同，从第一层铜铟镓硒薄膜层到最后一层铜铟镓硒薄膜层中，Ga/(In+Ga)先减小后增多。一种铜铟镓硒薄膜，由n层不同带隙的掺钠铜铟镓硒薄膜层组成，各层掺钠铜铟镓硒薄膜层带隙延薄膜沉积生长方向先减小后增多，n大于等于3。本发明可有效提高光电转换效率，同时增加了太阳能电池的开路电压。
一种铜铟镓硒薄膜制备方法

[发明专利]铜铟镓硒太阳能电池、其吸收层薄膜及该薄膜的制备方法、设备-CN200910006531.0无效
发明人：夏莹菲;赵夔;陆贞冀 -专利权人：北京华仁合创太阳能科技有限责任公司
申请日： 2009-02-17 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒太阳能电池吸收层薄膜的制备方法，第一步先沉积铜、铟、镓三元金属薄膜，再蒸镀上一层硒薄膜形成纳米量级的铜铟镓硒薄膜结构，Se蒸镀源的温度为260～300℃，重复上述步骤10～50次；第二步再将叠加起来的铜铟镓硒吸收层薄膜做快速退火处理，即得到微米量级的多晶铜铟镓硒薄膜。本发明的优点是：各种元素比例可以得到精确控制；相比其他制备铜铟镓硒薄膜的方法，各元素在薄膜整个厚度范围中分布均匀，变化梯度小；整个工艺过程简单方便，适合大规模连续生产。另外，本发明也公开了上述方法所得到的铜铟镓硒太阳能电池的铜铟镓硒吸收层薄膜、包含此铜铟镓硒太阳能电池的铜铟镓硒吸收层薄膜的太阳能电池以及上述方法所使用的制造设备。
铜铟镓硒太阳能电池吸收薄膜制备方法设备

[发明专利]一种柔性薄膜测试装置及柔性薄膜生产线-CN202010120846.4在审
发明人：朱家畅;张卫卫;朱家宽;高锦龙;刘杰鹏 -专利权人：旭科新能源股份有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： G01N23/227 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性薄膜测试装置及柔性薄膜生产线，所述柔性薄膜测试装置包括：用于传输铜铟镓硒柔性薄膜的腔体，腔体的两侧分别设有用于传输铜铟镓硒柔性薄膜的进口和出口，腔体内设有用于支撑并导向铜铟镓硒柔性薄膜的导向辊，腔体的内壁上设有用于检测铜铟镓硒柔性薄膜的EDX检测装置，腔体内设有用于冷却EDX检测装置周围环境的冷却装置。本发明通过在腔体内加装EDX检测装置，在铜铟镓硒柔性薄膜生产时进行检测，可以及时发现蒸镀过程中出现的问题，及时进行工艺调整。提高了铜铟镓硒的成品率。本发明所提供的柔性薄膜生产线实现了对铜铟镓硒柔性薄膜的线上检测，提高了铜铟镓硒柔性薄膜的成品率，提高了铜铟镓硒柔性薄膜的生产效率。
一种柔性薄膜测试装置生产线

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