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[发明专利]一种铝薄膜与异种金属薄膜的精密连接方法-CN201810836458.9有效
发明人：杨蒙生;邢丕峰;何智兵;郑凤成;李朝阳;谢春平;李宁;童维超;易泰民 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： B23K20/02 文献下载
摘要：一种铝薄膜与异种金属薄膜的精密连接方法，它属于精密连接领域，具体涉及一种铝薄膜与异种金属薄膜的连接方法。本发明的目的是要解决现有铝与异种金属薄膜连接方法得到的扩散层厚度无法达到纳米级或厚度不均匀的问题。一种铝薄膜与异种金属薄膜的精密连接方法：先在异种金属薄膜上镀铝层，然后以异种金属薄膜表面的铝层与铝薄膜面接触形式重叠在一起，再通过真空扩散焊接技术进行焊接，即完成铝薄膜与异种金属薄膜的精密连接。优点：连接界面厚度均匀，平整致密，无微孔和缝隙，厚度控制在百nm量级，薄膜表面粗糙度小于100nm。本发明主要用于铝薄膜与异种金属薄膜的精密连接。
一种薄膜金属精密连接方法

[发明专利]一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的新工艺-CN201310578991.7有效
发明人：封铁柱 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的新工艺。包括以下步骤：在二氧化硅衬底上，采用物理气相沉积方法低温沉积粘附层钛薄膜，粘附层钛薄膜覆盖在二氧化硅上表面；沉积阻挡层氮化钛薄膜，阻挡层氮化钛薄膜覆盖在粘附层钛薄膜上表面；高温沉积铝薄膜，铝薄膜覆盖在阻挡层氮化钛薄膜上表面；铝薄膜上表面沉积一层氧化铝薄膜之后再在氧化铝薄膜上表面沉积一层防反射层氮化钛薄膜，或者在铝薄膜上表面直接沉积一层防反射层氮化钛薄膜然后通入氮气直至防反射层氮化钛薄膜中的氮含量达到饱和。本发明的有益效果是：采用简单的工艺流程克服了铝薄膜在生产工艺过程中铝晶粒无序增大使铝薄膜产生小丘状的缺陷。
一种减少薄膜产生小丘缺陷新工艺

[发明专利]一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的工艺-CN201610440482.1有效
发明人：封铁柱 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的工艺。包括以下步骤：在二氧化硅衬底上，采用物理气相沉积方法低温沉积粘附层钛薄膜，粘附层钛薄膜覆盖在二氧化硅上表面；沉积阻挡层氮化钛薄膜，阻挡层氮化钛薄膜覆盖在粘附层钛薄膜上表面；高温沉积铝薄膜，铝薄膜覆盖在阻挡层氮化钛薄膜上表面；铝薄膜上表面沉积一层氧化铝薄膜之后再在氧化铝薄膜上表面沉积一层防反射层氮化钛薄膜，或者在铝薄膜上表面直接沉积一层防反射层氮化钛薄膜然后通入氮气直至防反射层氮化钛薄膜中的氮含量达到饱和。本发明的有益效果是：采用简单的工艺流程克服了铝薄膜在生产工艺过程中铝晶粒无序增大使铝薄膜产生小丘状的缺陷。
一种减少薄膜产生小丘缺陷工艺

[实用新型]一种具有防划尼龙外层的铝塑复合膜-CN202023239138.7有效
发明人：胡广全 -专利权人：安徽科能新材料环保科技有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： B32B27/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有防划尼龙外层的铝塑复合膜，属于铝塑复合膜技术领域，包括铝塑复合膜主体，所述铝塑复合膜主体底部处设有所述防腐层，所述防腐层顶部处设有第一铝塑薄膜，所述第一铝塑薄膜顶部处设有第二铝塑薄膜，所述第二铝塑薄膜顶部处设有尼龙层，铝塑复合膜主体由防腐层、第一铝塑薄膜、第二铝塑薄膜和尼龙层组成，从而达到耐高温、耐腐蚀和防划的效果。
一种具有尼龙外层复合

[发明专利]SF6气体绝缘变压器用绕组线-PET膜包铝组合导线-CN201210434540.1有效
发明人：陆炳兴;戴涛;辛达春 -专利权人：无锡统力电工有限公司
申请日： 2012-11-01 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种所述SF6气体绝缘变压器用绕组线-PET膜包铝组合导线，包括铝扁线导体、单根铝扁线的PET薄膜绝缘层、铝组合导线的PET薄膜绝缘层；所述铝扁线导体外面由单层PET薄膜带重叠绕包构成为单根铝扁线的PET薄膜绝缘层；所述单根铝扁线的PET薄膜绝缘层外面再由多层PET薄膜带重叠绕包构成铝组合导线的PET薄膜绝缘层。本发明采用具有很高机械强度和绝缘能力的高密闭性的塑料薄膜作为绝缘材料；制成的PET膜包铝组合导线耐高温、耐电压、机械强度好、热传导性好。
sf6 气体绝缘变压器用绕组 pet 膜包铝组合导线

[发明专利]用于高效太阳电池的叠层金属薄膜、制备方法及太阳电池-CN201610081795.2在审
发明人：蔡文浩;陈奕峰;皮尔·威灵顿;盛赟;袁声召;崔艳峰;王子港;端伟元 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高效太阳电池的叠层金属薄膜，包括铝薄膜，所述铝薄膜与硅基体局部接触，其特征在于：在所述铝薄膜的表面生长一层或多层活动性较低的第二金属薄膜或合金薄膜，其中，所述铝薄膜的厚度为100-5000nm，第二金属薄膜或合金薄膜的厚度为2-200nm。同时，本发明还公开一种用于高效太阳电池的叠层金属薄膜的制备方法以及包含该叠层金属薄膜的太阳电池。本发明通过在铝金属薄膜上沉积活动性较低的第二金属薄膜或合金薄膜形成叠层金属薄膜，该叠层金属薄膜可有效阻挡水汽，使其不与铝发生反应，解决高效太阳电池中铝金属薄膜耐水汽性能差的问题，从而提交太阳电池组件的耐水汽性能
用于高效太阳电池金属薄膜制备方法

[发明专利]一种OLED阳极材料处理方法和装置及OLED结构-CN201910062018.7有效
发明人：王宽冒;耿玉洁;赵联波;蒋秉轩 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种OLED阳极材料处理方法，该方法包括：通过铝腔室进行OLED基板阳极铝薄膜沉积，获得阳极携带铝薄膜的OLED基板；通过具有氧化性气体对所述阳极携带铝薄膜的OLED基板进行富氧处理，生成铝化合物层；通过ITO腔室基于富氧处理后的所述铝化合物层进行ITO薄膜沉积。通过上述方案，有效解决铝薄膜因与ITO薄膜中氧发生反应，从而影响阳极反射率问题，能够有效提高阳极反射率；使得经过富氧处理后的铝薄膜界面具有更好的稳定性和隔离作用。
一种 oled 阳极材料处理方法装置结构

[发明专利]一种中阶梯光栅用铝薄膜的制备方法-CN201710952060.7在审
发明人：黄建明;杨敏 -专利权人：苏州领锐源奕光电科技有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种中阶梯光栅用铝薄膜的制备方法。本发明的中阶梯光栅用铝薄膜的制备方法，包括如下步骤采用电子束蒸发技术在基底材料上沉积一层金属铝薄膜；其中，所述铝薄膜的厚度为7～10微米。本发明采用电子束蒸发替代传统的金属薄膜沉积工艺，通过提高薄膜沉积速率，最大限度抑制基片表面的温升，减少厚铝膜内部缺陷的产生以提高其致密度、降低表面粗糙度，制得的铝薄膜的厚度为7～10微米，薄膜质量性能好，达到中阶梯光栅用铝膜的刻划要求。
一种阶梯光栅薄膜制备方法

[发明专利]一种铝卷覆膜加工装置-CN202010104563.0在审
发明人：蒋玉峰 -专利权人：嘉兴亿豪新材料股份有限公司
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： B32B38/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种铝卷覆膜加工装置，属于机械技术领域。一种铝卷覆膜加工装置，包括机架，机架上设置有放卷铝卷的铝卷放卷装置和用于放卷并将薄膜与铝卷复合的薄膜复合装置，机架上还设置有若干辅助辊和输入辊，机架上设置有用于铝卷剪角的切割机构，切割机构位于铝卷放卷装置和薄膜复合装置之间，机架上设置有用于复合薄膜后铝卷开角处切除薄膜的切除机构，切除机构位于薄膜复合装置与切除机构之间，机架上还设置有用于将复合后铝卷切断的切断机构。本发明具有铝卷和薄膜分开切割的优点。
一种铝卷覆膜加工装置

[实用新型]一种用于加工铝质单片管的铝片结构-CN202022160386.6有效
发明人：郭辉生;马峰;郭必顺;印双荣;吴小平;徐颜豪 -专利权人：江苏瀚林药用包装科技有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： B32B1/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于加工铝质单片管的铝片结构，包括疏油层、PED薄膜层、双向拉伸聚丙烯薄膜层、OPP保护薄膜层、铝片基体以及聚丙烯薄膜层，铝片基体内端面设置有聚丙烯薄膜层，铝片基体外端面设置有OPP保护薄膜层，OPP保护薄膜层外端面设置有双向拉伸聚丙烯薄膜层，双向拉伸聚丙烯薄膜层外端面粘帖有PED薄膜层，PED薄膜层外端面涂装有疏油层，该设计解决了现有的加工铝制单片管结构单一，容易被环境腐蚀或氧化，影响使用的问题，本实用新型结构合理，便于提升铝片的功能特性，防止损坏，同时降低生产成本。
一种用于加工单片结构

[发明专利]生长在钇铝石榴石衬底上的GaN薄膜及其制备方法、应用-CN201610553010.7有效
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长在钇铝石榴石衬底上的GaN薄膜，包括钇铝石榴石衬底和GaN薄膜；所述GaN薄膜外延生长在所述钇铝石榴石衬底上；所述钇铝石榴石衬底以(111)面偏(100)面0.5‑1°为外延面，所述钇铝石榴石衬底和所述GaN薄膜的取向关系为：GaN薄膜的(0001)面平行于钇铝石榴石衬底的(111)面。该GaN薄膜的晶体质量好。本发明还公开了所述生长在钇铝石榴石衬底上的GaN薄膜的制备方法，该制备方法工艺简单，制备成本低廉。另外，本发明还把所述生长在钇铝石榴石衬底上的GaN薄膜应用于LED器件、光电探测器、太阳能电池器件中。
生长石榴石衬底 gan 薄膜及其制备方法应用

[实用新型]一种软X射线光束能量衰减膜-CN201520200991.8有效
发明人：刘勋;苏云;郭崇岭;李维;阮宁娟 -专利权人：北京空间机电研究所
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： G21F1/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种软X射线光束能量衰减膜，这种膜包含聚酰亚胺薄膜和铝薄膜两部分，采用蒸镀的方式将铝薄膜附着在聚酰亚胺薄膜表面。聚酰亚胺薄膜对1keV以下的X射线有衰减屏蔽作用，铝薄膜对可见光波段具有衰减屏蔽作用，通过更改聚酰亚胺薄膜与铝薄膜的厚度控制对软X射线的衰减能力。
一种射线光束能量衰减

[发明专利]半导体工艺中铝腐蚀后表面残留物的去除方法-CN202211016126.9在审
发明人：李兆营;李明浩;李海涛;梁靖 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体工艺中铝腐蚀后表面残留物的去除方法，其包括步骤：步骤一，提供半导体衬底；步骤二，金属铝薄膜沉积：调控直流磁控溅射的工艺参数进行金属铝薄膜沉积；步骤三，铝薄膜冷却：采用水冷或者水冷和气冷结合的冷却方式进行冷却；步骤四，对铝薄膜表面进行物理刻蚀：采用磁控溅射设备自带的刻蚀腔体对铝薄膜表面进行物理刻蚀；步骤五，对铝薄膜进行腐蚀：在对铝薄膜腐蚀之前，要形成具有图案的光刻胶层，然后去除不需要的金属层，再通过去胶工艺去除光刻胶本公开的方法未增加新的设备或工艺气体，但可以彻底去除铝腐蚀后表面残留物。
半导体工艺腐蚀表面残留物去除方法

[发明专利]基于选择性铝阳极氧化的BGA基板多层互连结构及方法-CN201410395819.2有效
发明人：王立春 -专利权人：上海航天电子通讯设备研究所
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于选择性铝阳极氧化的BGA基板多层互连结构及方法，利用选择性铝阳极氧化工艺制造上层铝薄膜多层互连结构和下层铝基板穿孔金属化结构，上层铝薄膜多层互连结构的钽铝合金薄膜中的若干导带分别与铝薄膜中的若干导带电性连接；相邻两组的钽铝合金薄膜与铝薄膜的结构的连接面上的若干导带分别电性连接；淀积在下层铝基板穿孔金属化结构上的钽铝合金薄膜的若干导带分别与若干铝通柱的上端电性连接，简化了BGA基板的制造流程，降低了BGA基板的成本
基于选择性阳极氧化 bga 多层互连结构方法

[发明专利]基于铝酸锶薄膜制备GaN自分离衬底的方法-CN202111542968.3在审
发明人：修向前;朱宇霞;陶涛;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铝酸锶薄膜制备GaN自分离衬底的方法，其步骤包括：(1)在衬底上沉积铝酸锶薄膜；(2)在铝酸锶薄膜上沉积氧化镓薄膜；(3)在氧化镓薄膜上进行GaN薄膜或GaN厚膜的外延；(4)将外延完成的样品置于水中，铝酸锶薄膜溶解，得到自支撑的GaN薄膜或厚膜。本发明提供了一种简单的获得自支撑GaN衬底的方法，采用铝酸锶薄膜作为牺牲层，铝酸锶薄膜溶于水即可实现衬底与外延膜的自分离，而氧化镓层的作用是提供可以高质量外延GaN的缓冲层或多孔模板，同时可以降低后续外延的GaN薄膜材料中应力及位错密度。
基于铝酸锶薄膜制备 gan 分离衬底方法

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