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[发明专利]一种消除B掺杂晶硅太阳电池光致衰减的方法及其设备-CN201610091453.9有效
发明人：崔艳峰;陈奕峰;王子港;端伟元;皮尔·威灵顿 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2016-02-19 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除B掺杂晶硅太阳电池光致衰减的方法，依次包括如下步骤：S1：将电池片在第一温度下进行高光照处理，持续第一时间；S2：将电池片在第二温度下进行高光照处理，持续第二时间；S3：将电池片在第三温度下进行高光照处理，持续第三时间；其中，第二时间长于第一时间和第二时间，高光照处理的光照强度范围为1×103w/m2~3×106w/m2。本发明还公开了一种消除B掺杂晶硅太阳电池光致衰减的设备，包括：传输轨道，用于输送电池片；以及沿输送路径依次设置的第一光照区、第二光照区以及第三光照区。本发明可以极大程度上、甚至完全消除与光致衰减相关的复合中心，从而抑制衰减，实现电池的高效和高可靠性。
一种消除掺杂太阳电池衰减方法及其设备

[实用新型]一种晶体硅太阳能电池-CN201720976307.4有效
发明人：陈奕峰;崔艳峰;陈达明;杨阳;王子港;刘成法;盛赟;皮尔·威灵顿;冯志强;皮亚同·皮·阿特玛特 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池，所述晶体硅太阳能电池包括硅衬底、发射极、背面场以及分别设置于发射极和背面场上的金属电极，所述发射极以及背面场位于硅衬底两侧，所述发射极和/或背面场包括非金属区域以及用于设置金属电极的金属区域，其特征在于，所述发射极和/或背面场上的金属区域至金属电极之间依次设置有钝化层以及重掺多晶硅层。本实用新型中钝化层以及重掺多晶硅层组成的功能性薄膜的强吸收特性不会影响目前结构的光学吸收，从而保证了载流子的收集效率，也避免了寄生吸收，实现了高电流和高开压的双重优势。
一种晶体太阳能电池

[发明专利]一种晶体硅太阳能电池及其制备方法-CN201710662275.5在审
发明人：陈奕峰;崔艳峰;陈达明;杨阳;王子港;刘成法;盛赟;皮尔·威灵顿;冯志强;皮亚同·皮·阿特玛特 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳能电池及其制备方法，所述晶体硅太阳能电池包括硅衬底、发射极、背面场以及分别设置于发射极和背面场上的金属电极，所述发射极以及背面场位于硅衬底两侧，所述发射极和/或背面场包括非金属区域以及用于设置金属电极的金属区域，其特征在于，所述发射极和/或背面场上的金属区域至金属电极之间依次设置有钝化层以及重掺多晶硅层。本发明中钝化层以及重掺多晶硅层组成的功能性薄膜的强吸收特性不会影响目前结构的光学吸收，从而保证了载流子的收集效率，也避免了寄生吸收，实现了高电流和高开压的双重优势。
一种晶体太阳能电池及其制备方法

[发明专利]用于高效太阳电池的叠层金属薄膜、制备方法及太阳电池-CN201610081795.2在审
发明人：蔡文浩;陈奕峰;皮尔·威灵顿;盛赟;袁声召;崔艳峰;王子港;端伟元 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高效太阳电池的叠层金属薄膜，包括铝薄膜，所述铝薄膜与硅基体局部接触，其特征在于：在所述铝薄膜的表面生长一层或多层活动性较低的第二金属薄膜或合金薄膜，其中，所述铝薄膜的厚度为100-5000nm，第二金属薄膜或合金薄膜的厚度为2-200nm。同时，本发明还公开一种用于高效太阳电池的叠层金属薄膜的制备方法以及包含该叠层金属薄膜的太阳电池。本发明通过在铝金属薄膜上沉积活动性较低的第二金属薄膜或合金薄膜形成叠层金属薄膜，该叠层金属薄膜可有效阻挡水汽，使其不与铝发生反应，解决高效太阳电池中铝金属薄膜耐水汽性能差的问题，从而提交太阳电池组件的耐水汽性能。
用于高效太阳电池金属薄膜制备方法

[发明专利]一种用于汽车车顶棚提高阴影遮挡可靠性的光伏电池及其制备方法-CN201510757162.4在审
发明人：陈奕峰;皮尔·威灵顿;陈艳;张学玲;杨阳;柳伟;李中兰;徐冠超;焦海军;张舒;全鹏;冯志强 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于汽车车顶棚提高阴影遮挡可靠性的光伏电池及其制备方法，所述光伏电池包括：一硅片衬底；扩散区层，设置于所述硅片衬底的同一表面，包括间隔的若干N型扩散区和若干P型扩散区；第一钝化层，形成于所述扩散区层上；电极接触层，包括若干N型电极接触和若干P型电极接触，分别形成于所述N型扩散区和P型扩散区上；第二钝化层，设置于所述硅片衬底与所述扩散区层相反的另一表面。本发明构成横向PN结，在阴影遮挡时多个横向PN结对反向漏电流进行分流，降低了单位面积上的反向漏电流密度，从而降低了电池片在反偏时的发热量，提高了电池的阴影遮挡可靠性，同时极大提高了光伏电池的抗热斑能力，可以很好的与汽车车顶棚结合起来。
一种用于汽车车顶提高阴影遮挡可靠性电池及其制备方法

[发明专利]改善硼掺杂P型单晶硅电池光致衰减装置及其使用方法-CN201410447653.4有效
发明人：王子港;陈奕峰;崔艳峰;皮尔·威灵顿 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2014-09-03 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善硼掺杂P型单晶硅电池光致衰减装置及其使用方法，该装置包括箱体、光源、探针排、加热台和电源，电源的正极与加热台电性连接，电源的负极与探针排电性连接；当待处理电池放置在加热台上时，光源位于待处理电池的上方以便用于光照待处理电池，探针排压在待处理电池正面的主栅上。本发明能够有效缩短电池处理时间，从而降低成本，实现产业化生产。
改善掺杂单晶硅电池衰减装置及其使用方法

[实用新型]快速改善晶硅太阳电池光致衰减的量产装置-CN201420395267.0有效
发明人：崔艳峰;陈奕峰;王子港;丁志强;顾卫龙;皮尔·威灵顿 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种快速改善晶硅太阳电池光致衰减的量产装置，包括保温箱体、多个光源、多个加热器件和放置电池片的电池片传送带，电池片传送带设置在保温箱体内，并且电池片传送带为圆形或U形结构，多个光源分布在电池片传送带的上方以便用于照射电池片传送带上的电池片，多个加热器件安装在保温箱体内，并且分布在电池片传动带的下方以便用于加温电池片传送带上的电池片。本实用新型能够节省光源和加热器件的使用数量，降低设备成本，有效地缩短对电池片的处理时间，增加其生产产能，降低了生产成本，满足产业化生产的需求。
快速改善太阳电池衰减量产装置

[实用新型]分布式局域硼掺杂的双面感光晶体硅太阳电池-CN201420373810.7有效
发明人：陈奕峰;刘斌辉;董建文;皮尔·威灵顿;冯志强 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2014-07-07 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分布式局域硼掺杂的双面感光晶体硅太阳电池，包括硅衬底、N型掺杂区、正面减反钝化膜、背面钝化膜、正面电极层、背面电极层和P型硼重掺杂层，硅衬底具有一正面和一背面；N型掺杂区设在硅衬底的正面上；正面减反钝化膜设在N型掺杂区的上表面上；背面钝化膜设在硅衬底的背面上，并且其上开有多个去除通道，并且多个去除通道呈分布式短线阵列结构；正面电极层设在正面减反钝化膜上；背面电极层，其设在背面钝化膜上；P型硼重掺杂层，该P型硼重掺杂区域的上侧与硅衬底接触，下侧通过去除通道与背面电极层电性接触。本实用新型不仅降低了太阳能电池背面的少子在接触界面的复合速率，有利于电池开路电压和转换效率的提升，而且降低了开膜面积，进一步降低了表面的复合速率。
分布式局域掺杂双面感光晶体太阳电池

[发明专利]分布式局域硼掺杂的双面感光晶体硅太阳电池及其制备方法-CN201410321813.0有效
发明人：陈奕峰;刘斌辉;董建文;皮尔·威灵顿;冯志强 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2014-07-07 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种分布式局域硼掺杂的双面感光晶体硅太阳电池及其制备方法，该电池包括硅衬底，在硅衬底正面设有N型掺杂区、N型掺杂区上设有正面减反钝化膜，硅衬底背面设有背面钝化膜，制备方法还包括以下步骤：在背面钝化膜上以分布式短线的图案将背面钝化膜局部去除，露出硅衬底，形成多个去除通道；然后局域印刷硼硅浆料以覆盖去除通道；随后分别印刷背面电极层和正面电极层，并烘干；然后进行高温烧结，去除通道内的硼硅浆料与硅衬底接触界面形成分布式的P型硼重掺杂区域，组成P型硼重掺杂层；并在高温烧结过程中，同时形成正面电极层和背面电极层。本发明不仅降低了太阳能电池背面的少子在接触界面的复合速率，有利于电池开路电压和转换效率的提升，而且降低了开膜面积，进一步降低了表面的复合速率。
分布式局域掺杂双面感光晶体太阳电池及其制备方法

[发明专利]快速改善晶硅太阳电池光致衰减的量产装置-CN201410340444.X在审
发明人：崔艳峰;陈奕峰;王子港;丁志强;顾卫龙;皮尔·威灵顿 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速改善晶硅太阳电池光致衰减的量产装置，包括保温箱体、多个光源、多个加热器件和放置电池片的电池片传送带，电池片传送带设置在保温箱体内，并且电池片传送带为圆形或U形结构，多个光源分布在电池片传送带的上方以便用于照射电池片传送带上的电池片，多个加热器件安装在保温箱体内，并且分布在电池片传动带的下方以便用于加温电池片传送带上的电池片。本发明能够节省光源和加热器件的使用数量，降低设备成本，有效地缩短对电池片的处理时间，增加其生产产能，降低了生产成本，满足产业化生产的需求。
快速改善太阳电池衰减量产装置

[实用新型]一种晶体硅太阳电池前电极-CN201320596139.8有效
发明人：陈奕峰;皮尔·威灵顿;杨阳;徐冠超;张舒 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶体硅太阳电池前电极，包括多根相互平行的细栅线金属电极以及垂直于细栅线金属电极的多列相互平行的主栅线金属电极，每列主栅线金属电极由多段主栅线金属电极分段构成，每列主栅线金属电极内的主栅线金属电极分段之间的断开部分位于两根相邻的细栅线金属电极之间的空白区域。既有效地降低了主栅的金属浆料消耗量，又不增加细栅线金属电极汇流至主栅线金属电极的距离，为降低电池的串联电阻提供可能，提高了电池效率。
一种晶体太阳电池电极

[发明专利]晶体硅太阳电池前电极-CN201310438156.3无效
发明人：陈奕峰;皮尔·威灵顿;杨阳;徐冠超;张舒 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体硅太阳电池前电极，包括多根相互平行的细栅线金属电极以及垂直于细栅线金属电极的多列相互平行的主栅线金属电极，每列主栅线金属电极由多段主栅线金属电极分段构成，每列主栅线金属电极内的主栅线金属电极分段之间的断开部分位于两根相邻的细栅线金属电极之间的空白区域。既有效地降低了主栅的金属浆料消耗量，又不增加细栅线金属电极汇流至主栅线金属电极的距离，为降低电池的串联电阻提供可能，提高了电池效率。
晶体太阳电池电极

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