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[发明专利]铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法-CN201310237035.2有效
发明人：王轲;姚方周;李敬锋 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提出了铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法。其中，铌酸钾钠基无铅压电陶瓷由下列通式所示的化学组成(ABO3)1-x（CaZrO3）x（MnO2）y，其中，A为选自Na、K和Li的至少之一，B为选自Nb和Ta的至少之一，x表示CaZrO3占铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的原子百分比，y为MnO2占铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的质量百分比，并且0.03≤x≤0.07，0≤y≤0.04。该铌酸钾钠基无铅压电陶瓷具有较高的压电性能，其压电常数d33可以达到280～360pC/N，且其反向压电系数d33*在室温至175摄氏度的温度范围内的波动不超过10%。
铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种柔性可弯曲压电氧化物薄膜及其制备方法和应用-CN202211336278.7在审
发明人：陈祖煌;邵俊达 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H10N30/081 文献下载
摘要：本发明提供了一种柔性可弯曲压电氧化物薄膜及其制备方法和应用，该制备方法包括如下步骤：步骤S1，准备水溶性铝酸锶Sr3Al2O6、铌镁酸铅‑钛酸铅固溶体靶材和SrTiO3衬底；步骤S2，采用激光脉冲沉积的方式，将铝酸锶Sr3Al2O6靶材在衬底上进行第一次沉积处理，然后将铌镁酸铅‑钛酸铅固溶体靶材进行第二次沉积处理，得到生长在牺牲层上的铌镁酸铅‑钛酸铅薄膜；步骤S3，将步骤S2的产物浸入水中，待牺牲层溶解后，将铌镁酸铅‑钛酸铅薄膜转移到柔性衬底上。
一种柔性弯曲压电氧化物薄膜及其制备方法应用

[发明专利]从11^#煤层酸水中分离矿物的方法-CN200610104693.4无效
发明人：冯云善;薛建业 -专利权人：冯云善;薛建业
申请日： 2006-10-09 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：一种从11^#煤层酸水中分离矿物的方法，分为砂滤、分离硫酸亚铁、分离硫酸铝、分离重金属铅锡银等化合物、分离三价铁、收集稀土富集物、分离铍化合物、收集锆铌富集物、分离钪化合物和收集镱钇富集物十个阶段，根据各类矿物质的比重差异、分子量差异与络合程度的差异，用加热浓缩和酸化等技术工艺，从11^#煤层酸水中提取出硫酸亚铁、硫酸铝和铍、钪、铅、锡、银等多种金属化合物，生产工艺简单，工业化生产成本低
11 sup 煤层水中分离矿物方法

[发明专利]铌镁酸铅-钛酸铅和锆钛酸铅异质结构薄膜及其制备方法-CN201710046406.7有效
发明人：孙华君;郭庆虎;隋慧婷;史文轩 -专利权人：武汉理工大学;淄博高新技术产业开发区先进陶瓷研究院
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌镁酸铅‑钛酸铅和锆钛酸铅异质结构薄膜及其制备方法，铌镁酸铅‑钛酸铅和锆钛酸铅薄膜以不同的顺序组成多层异质结构薄膜。本发明降低了容温变化率，提高了介电峰的宽化，增大其应用领域。
铌镁酸铅钛酸铅锆钛酸铅异质结构薄膜及其制备方法

[发明专利]一种锰掺杂铌铟锌酸铅-钛酸铅压电陶瓷、制备方法及其应用-CN201910376602.X有效
发明人：孙恩伟;祁旭昕;边浪;戚旭东;杨逸逍;郑华山;杨彬;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：一种锰掺杂铌铟锌酸铅‑钛酸铅压电陶瓷、制备方法及其应用，本发明属于功能陶瓷材料领域，具体涉及一种锰掺杂铌铟锌酸铅‑钛酸铅压电陶瓷、制备方法及其应用。首先合成铌酸铟和铌酸锌前驱体，然后以InNbO4，ZnNb2O6，PbO，TiO2和MnO2为原材料制备陶瓷片，最后进行抛光镀银以及热极化处理，得到锰掺杂铌铟锌酸铅‑钛酸铅压电陶瓷。
一种掺杂铌铟锌酸铅钛酸铅压电陶瓷制备方法及其应用

[发明专利]大功率高居里温度压电陶瓷-CN01142615.2无效
发明人：陈海䶮;孟中岩 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2001-12-11 - 公布日： 2002-05-22 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：一种大功率高居里温度压电陶瓷,综合镉铌锆钛酸铅(PCN)三元系和锰铌锆钛酸铅(PMN)三元系的特点,组成镉铌－锰铌－锆－钛酸铅(PCN－PMN－PZ－PT)四元系压电陶瓷,并添加CeO2进行改性。
大功率居里温度压电陶瓷

[发明专利]一种PHT-PNN压电陶瓷材料的制备方法-CN201710416675.8有效
发明人：李智敏;刘治宏;闫养希;张东岩;张茂林;李培咸 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开的一种PHT‑PNN压电陶瓷材料的制备方法：将碱式碳酸镍粉体和氧化铌粉体混合后球磨再经烘干和煅烧，得到铌酸镍前驱体粉料；分别称取氧化铅粉体、二氧化钛粉体、氧化铪粉体及铌酸镍粉体，将所有物料混合后进行球磨处理，得到基体混合粉料，将基体混合粉料依次进行烘干、煅烧及冷却，得到铪钛酸铅‑铌镍酸铅粉体；将铪钛酸铅‑铌镍酸铅粉体与氟化锂粉体混合后进行球磨，再经烘干得到预合成干粉料；将PVA溶液添加到预合成干粉料进行造粒本发明的制备方法能获得高压电性能氟化锂掺杂铪钛酸铅‑铌镍酸铅压电陶瓷材料。
一种 pht pnn 压电陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种在氮化镓衬底上外延生长高质量铌镁钛酸铅薄膜的方法-CN201611206295.3有效
发明人：徐小科;李效民;高相东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及一种在氮化镓衬底上外延生长高质量铌镁钛酸铅薄膜的方法，所述铌镁钛酸铅薄膜的复合化学式为(1‑x)Pb(Mg
铌镁钛酸铅衬底薄膜氮化镓沉积激光频率外延生长取向氮化镓薄膜激光能量氧气气压原位退火缓冲层靶材制备分段氧气陶瓷复合填补

[发明专利]铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜材料及制备与应用-CN202110981620.8有效
发明人：王飞飞;杨嘉倩;段志华;李传青;赵祥永;王涛;唐艳学;石旺舟 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅铁电薄膜材料及其制备与应用，所述铁电薄膜材料包含自下而上依次设置的衬底、导电缓冲层和薄膜层，所述薄膜层为铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅，化学组成为(1‑x‑y)Pb(
铌铟酸铅铌镁酸铅铅铁薄膜材料制备应用

[发明专利]钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅的制备方法-CN201310410388.8有效
发明人：罗豪甦;王西安;林迪;赵祥永;王升;徐海清;李晓兵;张海武;邓昊;陈建伟 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅的制备方法，所述钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅的化学组成为(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3 ‑yPb(Mg1/3Nb2
钙钛矿结构弛豫铁电单晶铌铟酸铅铌镁酸铅钛酸铅制备方法

[发明专利]一种具有高场致应变的锶掺杂铌铝酸铅-铌锌酸铅-锆钛酸铅基压电陶瓷及其制备方法和应用-CN201410216204.9无效
发明人：刘爱云;韩海龙;卫琳琳;王鹏;林方婷;石旺舟 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高的场致应变的锶掺杂的铌铝酸铅-铌锌酸铅-锆钛酸铅基压电陶瓷，所述的铌铝酸铅-铌锌酸铅-锆钛酸铅基压电陶瓷的组成成分为Pb_(1-x)Sr_x
一种具有高场致应变掺杂铌铝酸铅铌锌酸铅锆钛酸铅基压电陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其低温烧结制备方法-CN200810239628.1无效
发明人：李敬锋;王轲 -专利权人：清华大学
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了属于功能陶瓷材料技术领域的一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其低温烧结制备方法。铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，通式为：(1-x)(Na_0.52+yK_0.48)NbO_3+y/2-xLiNbO₃，0.058方法为，称取配料，将原料加入到球磨罐中球磨，烘干后得到混合料粉，将混合料粉在空气中预烧，随炉冷却，合成碱金属铌酸盐；将碱金属铌酸盐粉球磨粉碎，冷压成型后，冷等静压，得到碱金属铌酸盐预烧坯体，将冷等静压后的预烧坯体在空气中无压烧结，随炉冷却，得到铌酸钾钠基无铅压电陶瓷。制备的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷化学成分波动较小，性能稳定，压电性能优异，致密度非常高。
一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其低温烧结制备方法

[发明专利]两步水热合成铌酸钾钠无铅压电陶瓷粉体的方法-CN200910031941.0有效
发明人：朱孔军;裘进浩;苏礼奎;季宏丽 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种两步水热合成铌酸钾钠无铅压电陶瓷粉体的方法，该方法采用两步水热法，第一步由氢氧化钾与五氧化二铌等氧化物水热反应得到铌酸钾粉体，采用该粉体与氢氧化钠进行第二步水热反应最终成功合成纯相的铌酸钾钠粉体采用本发明提供的两步水热合成方法合成的铌酸钾钠体系无铅压电陶瓷粉体具有高纯、超细、流动性好、粒径分布窄、颗粒团聚程度轻、晶体发育完整以及烧结活性高等优点，便于在较低温度下烧结无铅压电陶瓷，从而避免烧结过程中氧化钾和氧化钠等氧化物的挥发，最终实现铌酸钾钠体系无铅压电陶瓷压电性能和机械性能的提高。
两步水热合成铌酸钾钠无铅压电陶瓷方法

[发明专利]一种铒镱共掺铌酸盐透明玻璃陶瓷及其制备方法-CN201410460885.3有效
发明人：苏春辉;张洪波;邹翔宇 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： C03C10/02 文献下载
摘要：本发明涉及铒镱共掺铌酸盐透明玻璃陶瓷及其制备方法,其摩尔百分组成为52SiO2‑8Nb2O5‑15CaCO3‑20H3BO3‑5BaCO3‑0.2Er2O3‑2Yb2O3。制备方法采用熔融晶化技术。发明的铒镱共掺铌酸盐透明玻璃陶瓷的主晶相为铌酸钙，厚度为1mm的铒镱共掺铌酸盐透明玻璃陶瓷在可见光区的透过率为81‑82%，在980nm波长激发下，在520nm、540nm、650nm存在三个发射峰，分别对应
一种铒镱共掺铌酸盐透明玻璃陶瓷及其制备方法

[发明专利]锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料及其制备方法-CN201210165698.3无效
发明人：范叶霞;夏士兴;俞泽民 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2012-05-25 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料及其制备方法，它涉及一种发光材料及其制备方法。本发明要解决现有LiNbO3:Ho晶体的发光效率低和抗光损伤能力弱的技术问题。本发明材料由Li2CO3、Nb2O5、ZrO2、Yb2O3和Ho2O3制成，制备方法如下：称料、混合料、原料的预烧结、引晶、放肩、等径生长、晶体的极化处理，即得锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料。本发明锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料中掺入2mol％～6mol％ZrO时，晶体的抗光损伤能力极大地提高，相对掺入0mol％ZrO的晶体，其抗光损伤能力提高了三个数量级，随着Zr离子浓度的增加，掺杂晶体的上转换发光强度逐渐增强
锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体转换发光材料及其制备方法