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[发明专利]一种利用电子辐照减小掺铁硒化锌晶体吸收损耗的方法-CN202211505570.7在审
发明人： 夏士兴;张丰发;谢文强;周龙;许聪;叶光超;付秋月;马天慧 -专利权人：黑龙江工程学院
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：一种利用电子辐照减小掺铁硒化锌晶体吸收损耗的方法，它涉及一种减小掺铁硒化锌晶体吸收损耗的方法。本发明解决现有高浓度掺杂的Fe2+:ZnSe晶体中存在着大量的Fe3+离子成分，导致在激光输入和输出波段形成额外的吸收，特别是近红外区0.5μm～2.6μm会出现较强吸收，影响了激光泵浦源的利用效率，表现为Fe2+:ZnSe晶体光谱的“吸收损耗”和“宽井袋”吸收效应明显的问题。方法：利用电子加速器对高浓度掺杂的Fe2+:ZnSe晶体进行电子辐照，且电子辐照过程中束流值逐步上升。本发明用于利用电子辐照减小掺铁硒化锌晶体吸收损耗。
一种利用电子辐照减小掺铁硒化锌晶体吸收损耗方法

[发明专利]一种高温加压掺铁硒化锌晶体的制备方法-CN202210630361.9有效
发明人： 夏士兴;张丰发;林鹏;周龙;谢文强;许聪;付秋月;马天慧;叶光超;唐佳禄 -专利权人：黑龙江工程学院
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种高温加压掺铁硒化锌晶体的制备方法，它属于激光晶体制备技术领域。本发明要解决现有熔融方法制备Fe2+:ZnSe晶体易发生坩埚破裂、物料溢出的现象，进而导致晶体生长制备失败的问题。制备方法：一、将高纯硒化锌粉末和高纯硒化亚铁粉末混合均匀，然后置于石墨坩埚内，再将装有混合物料的石墨坩埚置于晶体炉内，将晶体炉抽真空排气，并通入高纯氩气；二、晶体生长，且升温、保温及降温过程中同时向晶体炉内通入氩气。本发明用于高温加压掺铁硒化锌晶体的制备。
一种高温加压掺铁硒化锌晶体制备方法

[发明专利]氟化钇锂激光晶体的生长装置、生长炉及制备方法-CN201510042470.9有效
发明人：李兴旺;马晓明;张月娟;夏士兴;杨国利;王永国 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氟化钇锂激光晶体的生长装置、生长炉及制备方法，属于激光晶体领域。该生长装置包括坩埚、设置在坩埚外部的保温筒、设置在保温筒外部的铜感应加热线圈、以及穿过保温筒的顶部伸入坩埚内部的籽晶杆，该保温筒的顶部中间位置设置有用于穿过籽晶杆的直径为60‑120mm的第一圆孔，该坩埚为铂坩埚或者铱金坩埚；该铜感应加热线圈的外表面镀有镍层或者喷涂有耐高温树脂层，能够耐氟化物气体腐蚀。基于发明的晶体生长炉和生长装置，发明了一种氟化钇锂激光晶体的制备方法，该方法采用感应加热方式，利用更换籽晶方式打捞漂浮物，实现了高质量氟化钇锂激光晶体的稳定生长。
氟化激光晶体生长装置制备方法

[发明专利]一种磷硅镉单晶的水平生长装置及生长方法-CN201410253222.4有效
发明人： 夏士兴;莫小刚;李兴旺;张月娟;王永国;朱建慧;李洪峰;王军杰;高学喜 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷硅镉单晶的水平生长装置及生长方法，属于磷硅镉单晶制备技术领域。所述装置包括外层石英管、套装在外层石英管内的内层石英管和套装在内层石英管内的PBN舟状坩埚。PBN舟状坩埚包括顺次连接的晶核生长段、过渡段和单晶生长段，通过将晶核生长段的第一端部设置成尖顶状，提高自发成核时晶向的均一性。通过双层石英管设计，使石英管间充入惰性气体，解决晶体生长过程中极易出现的爆管问题，提高温场稳定性及生长装置耐久性。所述方法通过利用水平梯度凝固法在放置有上述生长装置的水平晶体生长炉制备磷硅镉单晶，使结晶过程更加稳定，减少寄生成核的缺陷，利于得到单晶性好，晶格完整的CSP单晶。该方法操作简单，易控制，成本低。
一种磷硅镉单晶水平生长装置方法

[发明专利]掺杂钇铝石榴石激光晶体的生长装置、晶体生长炉及制备方法-CN201410483601.2有效
发明人：李兴旺;莫小刚;张月娟;李洪峰;杨国利;王永国;夏士兴 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂钇铝石榴石晶体的生长装置、晶体生长炉及制备方法，属于激光晶体制备领域。该生长装置包括坩埚、设置在坩埚外部的保温筒、设置在保温筒外部的铜感应加热线圈、穿过保温筒伸入坩埚内部的籽晶杆；保温筒的底部设有通孔，用于向坩埚底部通入氮气；坩埚为钨坩埚或者钼坩埚；保温筒的材质为掺碳的氮化硼陶瓷。通过选用钨坩埚或者钼坩埚降低生产成本；通过掺碳的氮化硼陶瓷保温筒对其进行保温，防止钨或者钼在高温下氧化，且进一步降低生产成本；通过在坩埚和保温筒的底部设有通孔，以在降温过程中向坩埚底部通入流动的冷却的高纯氮气，利用风冷在坩埚底部形成过冷区，提高坩埚的使用寿命，并降低生长周期。
掺杂石榴石激光晶体生长装置晶体生长制备方法

[发明专利]一种用于生长硒化镉晶体的坩埚及硒化镉晶体的生长方法-CN201410376679.4在审
发明人： 夏士兴;张月娟;李兴旺;王永国;莫小刚 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于生长硒化镉晶体的坩埚及硒化镉晶体的生长方法。该坩埚包括内层坩埚、套装在所述内层坩埚外部的外层坩埚和用于封堵所述外层坩埚的坩埚盖，所述外层坩埚和所述内层坩埚之间设有间隙；所述内层坩埚包括锥形尖端部分和用于硒化镉晶体生长的第一柱体部分，所述第一柱体部分设置在所述锥形尖端部分之上；所述外层坩埚的内部轮廓与所述内层坩埚的外部轮廓相匹配，所述外层坩埚的外部轮廓呈柱形；所述内层坩埚的材质选自石墨或热解氮化硼，所述外层坩埚的材质选自钼、钨、铱、铂及它们的合金中的至少一种。本发明的坩埚能够缓冲内层坩埚所受的压力，避免内层坩埚发生开裂及熔体泄漏现象；能够保证内、外层坩埚不会因热膨胀而开裂。
一种用于生长硒化镉晶体坩埚方法

[发明专利]一种氟化钇锂复合晶体及其制备方法-CN201410325773.7在审
发明人：张月娟;李兴旺;杨国利;王军杰;庞才印;莫小刚;王永国;夏士兴 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氟化钇锂复合晶体及其制备方法，属于激光晶体制备技术领域。该方法通过直接键合技术，将c轴晶向的氟化钇锂晶体预键合在a轴晶向的掺杂氟化钇锂晶体的端部，得到第一中间产物；然后在垂直于第一中间产物键合面的方向上，对其进行施压处理，得到第二中间产物；最后在真空条件下，对第二中间产物进行热等静压处理，得到氟化钇锂复合晶体。制备得到的氟化钇锂复合晶体不存在轴向匹配问题，且具有低的热效应，利于减少晶体热致退偏损耗，并提高激光器的输出功率和光束质量。
一种氟化复合晶体及其制备方法

[发明专利]一种自激辐射吸收材料及其制备方法-CN201310753337.5有效
发明人：李兴旺;张月娟;莫小刚;夏士兴;杜秀红;朱建慧;李洪峰;王军杰;王永国;高学喜 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C04B35/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种自激辐射吸收材料，属于激光材料领域。该自激辐射吸收材料的化学式为：Y_3-x-y-zSm_xSc_yLu_zAl₅O₁₂，其中，0＜x≤0.215、0.03≤y≤0.3、0.03≤z≤0.9。通过将离子半径比Y³⁺离子小的Sc³⁺和Lu³⁺离子取代Sm:YAG中部分Y³⁺离子，形成一种新的Sm:YLSAG材料，其在1068nm左右的吸收峰将蓝移至1065.8nm左右，从而Sm:YLSAG在1064nm波长处的吸收系数较大。此外，本发明还提供了自激辐射吸收材料的制备方法，通过将含Y、Sm、Sc和Lu的稀土无机酸盐溶液逐滴加入到含Al₂O₃粉体、沉淀剂和静电稳定剂的醇水混合悬浊液中，进行化学共沉淀反应得到沉淀物，并对该沉淀物进行固相反应烧结处理，制备得到本发明Sm:YLSAG材料。化学共沉淀-固相反应烧结相结合，工艺简单、易控制、具有良好的重复性和稳定性，适于规模化工业生产。
一种辐射吸收材料及其制备方法

[发明专利]一种掺铁硒化锌激光晶体的后处理方法-CN201310579363.0有效
发明人： 夏士兴;李兴旺;张月娟;朱建慧;王军杰;杨国利;王永国;莫小刚 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺铁硒化锌激光晶体的后处理方法，属于激光晶体制备技术领域。所述方法通过将Fe2+:ZnSe激光晶体埋入铁粉和ZnSe粉的混合粉体中，对其进行高温退火处理及电子束辐照处理。将Fe2+:ZnSe晶体埋入高纯铁粉和ZnSe粉的混合粉体中，不仅可提高晶体所处区域的温度一致性，有效消除残留应力；还可提供还原性气氛和ZnSe气氛，利于Fe3+离子向Fe2+离子还原，并抑制ZnSe晶体的挥发，减少并防止Zn和Se空位缺陷。通过对Fe2+:ZnSe晶体的电子束辐照处理，也能消除在激光输出波段产生额外吸收损耗的能级陷阱、并减少空位缺陷，且能提供电子，利于Fe3+离子向Fe2+离子还原，最终去除Fe2+:ZnSe激光晶体内部的残留应力，控制Fe2+离子价态，减少空位缺陷密度，降低晶体损耗，提高其激光转换效率。
一种掺铁硒化锌激光晶体处理方法

[发明专利]一种掺铁硒化锌激光晶体的制备方法-CN201310565663.3有效
发明人： 夏士兴;莫小刚;庞才印;李兴旺;张月娟;朱建慧 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： C30B31/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺铁硒化锌激光晶体的制备方法，属于激光晶体材料制备技术领域。所述方法包括：在惰性气氛下，分别将含有亚铁离子的掺杂物粉体以及硒化锌晶体放置在反应器高温区和低温区，通过热扩散来制备掺铁硒化锌晶体，进一步地，切割制备的掺铁硒化锌晶体，并使切割的掺铁硒化锌晶体的掺铁面之间进行热键合后，再次进行热扩散。本发明实施例惰性气氛的使用，可抑制低温区ZnSe晶体的挥发，从而显著提高低温区的温度，还可作为亚铁离子热扩散的载体，进而提高亚铁离子的掺杂浓度；通过切割掺铁硒化锌晶体，并将掺铁硒化锌晶体掺铁面间进行热键合后进行二次热扩散，进一步提高亚铁离子的掺杂浓度，更利于掺铁硒化锌晶体中亚铁离子的均匀分布。
一种掺铁硒化锌激光晶体制备方法

[发明专利]锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料及其制备方法-CN201210165698.3无效
发明人：范叶霞;夏士兴;俞泽民 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2012-05-25 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料及其制备方法，它涉及一种发光材料及其制备方法。本发明要解决现有LiNbO3:Ho晶体的发光效率低和抗光损伤能力弱的技术问题。本发明材料由Li2CO3、Nb2O5、ZrO2、Yb2O3和Ho2O3制成，制备方法如下：称料、混合料、原料的预烧结、引晶、放肩、等径生长、晶体的极化处理，即得锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料。本发明锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料中掺入2mol％～6mol％ZrO时，晶体的抗光损伤能力极大地提高，相对掺入0mol％ZrO的晶体，其抗光损伤能力提高了三个数量级，随着Zr离子浓度的增加，掺杂晶体的上转换发光强度逐渐增强。
锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体转换发光材料及其制备方法

[发明专利]一种掺镱、铒的钇钪镓石榴石晶体及其制备方法-CN201210114257.0有效
发明人：韩剑锋;李洪峰;杨国利;张月娟;夏士兴;李兴旺;莫小刚;朱建慧 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺镱、铒的钪镓石榴石晶体，所述晶体的化学组成为YbaErbY3-a-bSc2Ga3O12，其中，0＜a≤2.1，b＝0.9。本发明还公开了一种掺镱、铒钇钪镓石榴石晶体的制备方法。通过本发明得到的一种掺镱、铒的钇钪镓石榴石晶体，能够实现高效的二极管泵浦激光输出。
一种钇钪镓石榴石晶体及其制备方法

[发明专利]降低磷化锗锌晶体吸收系数的方法-CN201110381838.6有效
发明人：杨春晖;雷作涛;夏士兴;孙亮;徐超;朱崇强 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：降低磷化锗锌晶体吸收系数的方法，它属于磷化锗锌晶体改性领域。本发明解决了现有生长态磷化锗锌晶体在在1.99～2.09μm处吸收系数还在0.10cm-1以上，而难于实现中远红外高功率激光输出的技术问题。方法如下：一、用混酸对磷化锗锌晶体刻蚀，然后用高纯去离子水冲洗干净，再吹干，然后放入石英管内，再抽真空后进行封装；二、退火；三、进行γ射线或电子辐照；即完成了降低磷化锗锌晶体吸收系数。经本发明方法处理后磷化锗锌晶体在1.99～2.09μm处吸收系数在0.02cm-1以下，满足高功率光参量激光器使用要求。
降低磷化晶体吸收系数方法

[发明专利]一种掺铒-铌酸锂晶体及其制备方法-CN200910071891.9无效
发明人：孙亮;杨春晖;徐超;夏士兴;马天慧;王猛;孙彧;邱海龙;葛士彬;郝素伟;吕维强 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2009-04-27 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种掺铒-铌酸锂晶体及制备方法。它是以99.99wt％MgO、99.99wt％Er₂O₃、99.99wt％Nb₂O₅、99.99wt％LiCO₃为基础原料，MgO的掺杂量分别为0～8mol％，Er₂O₃的掺杂量为1～4mol％，Li/Nb＝0.946～0.65。本发明综合运用抗光损伤元素掺杂与化学计量比生长两种手段，同时实现有源光波导器件基质材料-铌酸锂晶体的Er离子低簇位浓度、强抗光损伤能力，获得明显增强的1.5μm波段光发射性能，推动有源LN光波导器件向实用化阶段迈进。
一种铌酸锂晶体及其制备方法

[发明专利]高近红外发光强度的Mg/Er-LiNbO₃晶体及其制备方法-CN200910071890.4无效
发明人：孙亮;杨春晖;徐超;王猛;孙彧;马天慧;夏士兴;吕维强;郝素伟;葛士彬;邱海龙 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2009-04-27 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种高近红外发光强度的Mg/Er-LiNbO₃晶体及其制备方法。Mg/Er-LiNbO₃晶体以99.99wt％MgO、99.99wt％Er₂O₃、99.99wt％Nb₂O₅、99.99wt％LiCO₃为基础原料，MgO掺杂量为0～2mol％，Er₂O₃掺杂量为0.5～1mol％，Li/Nb摩尔比＝1.381。本发明综合运用抗光损伤元素掺杂与化学计量比生长两种手段，同时实现有源光波导器件基质材料-铌酸锂晶体的Er离子低簇位浓度、强抗光损伤能力，获得明显增强的1.5μm波段光发射性能，推动有源LN光波导器件向实用化阶段迈进。
红外发光强度 mg er linbo sub 晶体及其制备方法

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