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[发明专利]封装结构的制造方法-CN201911399348.1在审
发明人：宋月平;施林波 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：一种封装结构的制造方法，包括：提供器件晶圆和晶圆级覆盖基板，器件晶圆和晶圆级覆盖基板通过位于两者之间的键合层相结合，器件晶圆包括多个半导体芯片，半导体芯片包括有源区和输入/输出电极区，半导体芯片、键合层以及晶圆级覆盖基板在有源区位置处围成空腔，输入/输出电极位于空腔外侧，晶圆级覆盖基板的材料为铌酸锂或钽酸锂；利用软刀对相邻半导体芯片之间的晶圆级覆盖基板进行切割处理，形成与半导体芯片一一对应的芯片级覆盖基板，芯片级覆盖基板侧壁与芯片级覆盖基板背向器件晶圆的表面的夹角呈钝角；形成互连层，保形覆盖输入/输出电极表面、键合层和芯片级覆盖基板的侧壁和芯片级覆盖基板的部分顶面。
封装结构制造方法

[发明专利]一种宽带温度不敏感和低色散的铌酸锂光波导结构及其应用-CN201911159109.9在审
发明人：张林;徐丽娟 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供一种宽带温度不敏感和低色散的铌酸锂光波导结构，包括铌酸锂平板层，所述铌酸锂平板层上面设置有条状铌酸锂层；平板层和条状层铌酸锂上面有TiO2覆盖层；平板层下面是SiO2衬底层；本发明提出了利用具有负热光系数的TiO2覆盖到刻蚀的铌酸锂芯片上获得对温度不敏感的宽带低色散光波导，该结构能够加工成各种集成光子器件
一种宽带温度敏感色散铌酸锂光波导结构及其应用

[发明专利]高偏振消光比的偏振片及其制作方法和测试装置-CN201510088214.3有效
发明人：华勇;田自君;杨千泽;张鑫 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：一种高偏振消光比的偏振片，所述偏振片的基体采用由铌酸锂晶体切割而成的铌酸锂晶片；所述铌酸锂晶片为片状结构体，铌酸锂晶片的正、反面各设置有一光波导区，两个光波导区的截面尺寸相同、位置正对；所述铌酸锂晶片表面光波导区以外的区域覆盖有阻光膜层；铌酸锂晶片表面与铌酸锂晶体的Y‑Z切向或X‑Z切向平行。
偏振及其制作方法测试装置

[发明专利]铌酸锂晶体畴结构的制备方法、光电器件-CN202111195202.2有效
发明人：张国权;钱月照;张子晴;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：本发明涉及铁电畴制备技术领域，具体而言，涉及一种铌酸锂晶体畴结构的制备方法、光电器件。铌酸锂晶体畴结构的制备方法包括以下步骤：用施加了电压的导电探针扫描铌酸锂晶体表面形成畴结构，其中导电探针在铌酸锂晶体表面形成的电场强度大于等于铌酸锂晶体发生极化反转的阈值电场强度，铌酸锂晶体为非极性的X本发明还提供了一种包括上述制备方法制得的铌酸锂晶体畴结构的光电器件。
铌酸锂晶体结构制备方法光电器件

[发明专利]一种铌酸锂晶体的极化方法-CN200610043951.2无效
发明人：宋建安;袁多荣;尹鑫;郭世义;段秀兰 -专利权人：山东大学
申请日： 2006-05-15 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸锂晶体极化方法和专用设备，属于晶体材料后处理技术领域。将铌酸锂晶体Y切，晶体样品置于两个铌酸锂极化晶片之间，极化晶片和晶体样品之间有铌酸锂晶体粉料，上下两个极化晶片各加一铂片构成极化电极，极化温度1200±5℃，加电场极化。专用设备中铂电极、极化晶片、铌酸锂晶体粉料、晶体样品构成紧密接触体，紧密接触体外套有一个刚玉套筒。本发明采用晶体Y方向极化，铌酸锂晶片代替传统的铌酸锂陶瓷板，极化装置和保温装置在极化时固定在一起。
一种铌酸锂晶体极化方法

[发明专利]In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法-CN200810064777.9无效
发明人：徐衍岭;刘维海;王佳;王锐 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及一种铌酸锂晶体及其制备方法。它解决了现有技术制备掺杂的酸锂晶体存在响应时间慢和抗光损伤能力低的问题。本发明In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体由Li₂CO₃、Nb₂O₅、Fe₂O_{3铌酸锂晶体。本发明在铌酸锂晶体中掺杂元素铟(In)、铁(Fe)和铜(Cu)，在保留铌酸锂晶体原有优良性能的基础上，明显提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力和响应时间。}
in fe cu 掺杂铌酸锂晶体及其制备方法

[发明专利]Mg、Hf和Fe三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法-CN200810064785.3无效
发明人：王锐;王佳;刘维海;赵培白;徐玉恒 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：Mg、Hf和Fe三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及一种铌酸锂晶体及其制备方法。它解决了现有技术制备的掺杂Fe的酸锂晶体存在响应时间慢和抗光损伤能力低的问题。本发明Mg、Hf和Fe三掺杂铌酸锂晶体由Li₂CO₃、Nb₂O₅、Fe₂O_{3铌酸锂晶体。本发明在铌酸锂晶体中掺杂元素Mg、Hf和Fe，在保留铌酸锂晶体原有优良性能的基础上，明显提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力，缩短了响应时间。}
mg hf fe 掺杂铌酸锂晶体及其制备方法

[发明专利]薄膜铌酸锂基异构集成微波光子收发芯片-CN202010616333.2有效
发明人：钱广;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜铌酸锂基异构集成微波光子收发芯片，属于集成微波光子技术领域，该芯片主要包括射频转换开关、低噪声放大器电路、功率放大器电路、激光器、电光调制器、光电探测器、光路转换开关和光延时器，实现了射频收发前端、电光/光电转换与光延时芯片的异构集成；各光芯片之间通过薄膜铌酸锂基光波导连接，光芯片与微波芯片之间通过金属凸点键合及通孔互连等工艺实现三维异构集成。
薄膜铌酸锂基异构集成微波光子收发芯片

[发明专利]钬镱双掺铌酸钾锂单晶及其制备方法-CN201110058798.1无效
发明人：周忠祥;李磊;封雷;宫德维 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：钬镱双掺铌酸钾锂单晶及其制备方法，它涉及铌酸钾锂单晶及其制备方法。本发明要解决目前尚没有以铌酸钾锂为基质的频率上转换性能的材料的技术问题。本发明的钬镱双掺铌酸钾锂单晶是由氧化镱、氧化钬、氧化铌、碳酸锂和碳酸钾制成；方法：称取氧化镱、氧化钬、氧化铌、碳酸锂和碳酸钾并混合均匀，再研磨后放在坩埚中，在晶体生长炉内先烧结得到铌酸钾锂多晶，采用逐步降温法，即得钬镱双掺铌酸钾锂单晶。
钬镱双掺铌酸钾锂单晶及其制备方法

[发明专利]镱钬双掺铌酸锂晶体及其制备方法-CN201110069522.3无效
发明人：王锐;郭倩;钱艳楠;邢丽丽 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：镱钬双掺铌酸锂晶体及其制备方法，本发明涉及掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。本发明解决了现有的铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料应用的技术问题。本发明的镱钬双掺铌酸锂晶体由五氧化二铌、碳酸锂、氧化镱和氧化钬制成；方法：将五氧化二铌、碳酸锂、氧化镱和氧化钬混合后焙烧得到多晶粉料，然后将多晶粉料在单晶生长炉中，采用提拉法经引晶、缩颈、放肩、收肩、等径生长出晶体，再经退火后得到镱钬双掺铌酸锂晶体；该晶体双掺铌酸锂晶体用980nm的激光激发可得到红光和绿光，在光学数据存贮、海底通信、光学显示、彩色显示、光电子、医疗诊断等领域具有广泛应用前景。
镱钬双掺铌酸锂晶体及其制备方法

[发明专利]硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列-CN201910410956.1在审
发明人：邹卫文;徐绍夫;王静;陈建平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：一种大规模硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列。通过结构设计减少了铌酸锂晶体层的制备工艺难度，降低了铌酸锂与硅粘接的精度要求，并且可以一次性同时完成大规模阵列式铌酸锂晶体层的制备和粘接，大幅提升了硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列的生产效率；通过对硅晶体层进行结构上的设计和优化，使得光可以在硅波导和铌酸锂波导中自然交替和互传，实现了高性能的铌酸锂薄膜电光调制效应。此外，该方法利用了标准化的硅基集成技术成熟度优势，将复杂的芯片制备工艺集中在硅晶体层，从而减小芯片制作过程中的工艺误差，保证了整个硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列的性能稳定性。
铌酸锂薄膜电光调制器硅基铌酸锂晶体硅晶体层粘接芯片制作过程大规模阵列技术成熟度设计和优化性能稳定性铌酸锂波导电光调制工艺误差硅基集成精度要求生产效率芯片制备制备工艺硅波导一次性铌酸锂互传减小制备标准化保证

[发明专利]一种铌酸锂集成光学器件及变温稳定性提升方法-CN202110889001.6在审
发明人：段启航;范建强;杨广;李楼;王嘉 -专利权人：西安中科华芯测控有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提出了一种铌酸锂集成光学器件，所述铌酸锂集成光学器件包括铌酸锂光波导芯片、尾纤支座、金属管壳和保偏光纤，所述尾纤支座和所述铌酸锂光波导芯片均固定设置在所述金属管壳内，所述尾纤支座上安装有所述铌酸锂光波导芯片，所述保偏光纤穿过所述金属管壳的输入光纤槽和输出光纤槽，所述铌酸锂光波导芯片的前侧面、后侧面和下表面均覆盖有导电薄膜，所述下表面、前侧面和后侧面上任意两点之间均为导通状态。大批量测试试验结果统计表明，采用本发明技术生产的铌酸锂集成光学器件，变温测试过程中未出现插入损耗、分光比等参数突跳现象，有效提升了铌酸锂集成光学器件变温工作的稳定性。
一种铌酸锂集成光学器件稳定性提升方法

[发明专利]一种实现铌酸锂晶体表面导电的制备方法-CN202011525028.9在审
发明人：陈志辉;魏骏 -专利权人：上海复存信息科技有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现铌酸锂晶体表面导电的制备方法，具体方法包括以下步骤，S1化学清洗铌酸锂晶体基片表面；S2，在铌酸锂晶体基片表面生长一层金属薄膜层；S3，将铌酸锂晶体基片放入热处理炉中，在氩气和氢气混合气体气氛中恒温退火处理，退火处理完成后，使铌酸锂晶体基片降温至室温25℃；S4，将铌酸锂晶体基片置于强酸溶液浸泡，然后超纯水冲洗去除表面剩余金属薄膜层，最后甩干铌酸锂晶体基片。本方法可与现有集成电路生产工艺流程及工艺设备结合，适合规模化生产，且各步骤流程化，操作简单方便，安全可靠，并可通过精确调节工艺设备参数，可以精确得到不同表面导电性的铌酸锂晶体表面。
一种实现铌酸锂晶体表面导电制备方法

[发明专利]基于铌酸锂薄膜材料移相控制的光学相控阵及制备方法-CN202010413445.8在审
发明人：路侑锡;金里;刘其鑫;冯俊波;郭进;蒋平;杨米杰 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G02F1/29 文献下载
摘要：本发明提供一种基于铌酸锂薄膜材料移相控制的光学相控阵及制备方法，光学相控阵包括：硅基底；氧化硅层，位于硅基底上；硅基光波导层，位于氧化硅层上，硅基光波导层包括耦合分束器及光栅天线，耦合分束器及光栅天线之间具有间隙带；氧化硅包层，填充于硅基光波导层周围及间隙带；铌酸锂移相器，包括位于间隙带上的铌酸锂薄膜、位于铌酸锂薄膜上且连接耦合分束器及光栅天线的铌酸锂光波导、以及位于铌酸锂光波导两侧的铌酸锂薄膜上的调制电极。本发明采用具有高电光系数、低损耗的材料如铌酸锂来代替传统的光学相控阵中所用的热调电阻或者载流子注入的相位调制方式，可以在光学相控阵中进行低功耗、高速、低波导损耗的光学相位调制。
基于铌酸锂薄膜材料控制光学相控阵制备方法

[发明专利]偏振无关的光开关-CN202010575864.1在审
发明人：曹伟杰;储涛 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种偏振无关的光开关，涉及半导体领域，光开关为左右对称结构，包括：下包层、铌酸锂波导层、上包层和氮化硅层，铌酸锂波导层集成在下包层上方，氮化硅层在铌酸锂波导层上方，铌酸锂波导层与氮化硅层中间填充上包层；沿着光传播方向依次在氮化硅层刻蚀均匀分光多模干涉耦合器和上下层间耦合结构的上半部分；在铌酸锂波导层刻蚀上下层间耦合结构的下半部分和偏振无关调制波导；在铌酸锂波导层的偏振无关调制波导两侧制作金属电极，根据铌酸锂波导层的调制特征调整金属电极的位置该光开关利用氮化硅材料，实现了基本无源器件的偏振无关，同时利用铌酸锂材料的电光特性，实现了低损耗高速的调制特性。
偏振无关开关