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[发明专利]一种调控超薄铁磁薄膜磁性能的铁电器件的制备方法-CN201810337141.0在审
发明人：田莉;赵晓林;王建禄 -专利权人：湖南工程学院
申请日： 2018-04-15 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开一种调控超薄铁磁薄膜磁性能的铁电器件的制备方法。本发明在衬底上制备超薄铁磁薄膜/PVDF基铁电薄膜/Al结构的铁电器件，首先在衬底上制备超薄铁磁薄膜，在制备“十”字标记后，通过光刻和刻蚀得到所需铁磁薄膜图形；然后采用溶胶‑凝胶方法或朗谬尔‑布罗基特方法制备PVDF基有机铁电薄膜；最后在有机铁电薄膜表面制备Al薄膜，通过光刻和刻蚀得到所需Al电极图形。本发明在器件中通过对铁磁薄膜的电极引脚和Al电极加电场使PVDF基铁电薄膜极化，而由极化引起的铁磁薄膜的电性能变化可通过伏安表测量，从而能够为研究有机铁电薄膜对超薄铁磁薄膜的磁性能调控提供保证。
铁磁薄膜制备铁电器件磁性能电薄膜有机铁基铁电极化衬底光刻刻蚀薄膜调控表面制备电极引脚表测量电性能加电场朗谬尔字标记凝胶保证研究

[发明专利]软磁薄膜以及薄膜磁头-CN200510077423.4无效
发明人：兼淳一;上原裕二;野间贤二;近泽哲史 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-06-16 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：软磁薄膜以及薄膜磁头。该软磁薄膜具有优良的软磁特性并适合薄膜磁头。本发明的软磁薄膜包括：包含铁磁元素的磁性基层；和堆叠在该磁性基层上的铁磁层。该软磁薄膜具有单轴磁畴各向异性。该磁性基层包括选自铁、镍和钴的至少一种元素作为铁磁元素。
薄膜以及磁头

[发明专利]磁性薄膜和磁阻效应元件-CN200710159762.6有效
发明人：高桥研;角田匡清;驹垣幸次郎 -专利权人：富士通株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01F10/12 文献下载
摘要：本发明提供磁性薄膜和磁阻效应元件。在所述磁性薄膜中，可以可靠地固定诸如固定层的铁磁层的磁化方向。所述磁性薄膜包括：反铁磁层；和铁磁层。反铁磁层由锰系反铁磁材料构成，并且在反铁磁层和铁磁层之间形成有锰层。
磁性薄膜磁阻效应元件

[发明专利]一种铁磁薄膜的磁弹性性能同时在线检测方法-CN200810240425.4无效
发明人：冯雪;董雪林;黄克智 -专利权人：清华大学
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G01N27/72 文献下载
摘要：一种铁磁薄膜的磁弹性性能同时在线检测方法，属于工程材料、结构形变及力学实验技术领域。该方法包括测量铁磁薄膜非均匀应力光路和测量薄膜磁滞回线光路，薄膜非均匀应力测量光路包括激光器、扩束镜、光栅，透镜、过滤屏、CCD相机；测量薄膜磁滞回线光路包括激光器、扩束镜、起偏镜、检偏镜、光电检测器。利用剪切干涉测量铁磁薄膜表面的非均匀曲率，由曲率得到薄膜中的非均匀应力，利用铁磁薄膜表面的磁光克尔效应测量薄膜的磁滞回线。该方法可同时在线测量铁磁薄膜的非均匀应力和磁滞回线，从而为铁磁薄膜的磁弹性耦合行为的研究提供了实验基础。
一种薄膜弹性性能同时在线检测方法

[发明专利]一种ZnO基稀磁薄膜及其制备方法-CN201110166520.6有效
发明人：潘峰;王钰言;曾飞;陈光 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： H01F10/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnO基稀磁薄膜及其制备方法。该ZnO基稀磁薄膜，包括基片、位于基片上的稀磁薄膜和反铁磁薄膜；其中，构成稀磁薄膜的材料为Zn1-xTMxO，所述Zn1-xTMxO中，x为0.2％-10.0％，优选3％-5％，TM为过渡金属元素；构成反铁磁薄膜的材料选自过渡金属氧化物中的至少一种本发明通过在ZnO基稀磁薄膜上沉积一薄层反铁磁薄膜或在反铁磁薄膜上沉积一层稀磁薄膜来提高ZnO基稀磁薄膜的室温铁磁性，利用室温铁磁性TM:ZnO薄膜和反铁磁薄膜的界面近邻效应，使双层膜结构的室温饱和平均原子磁矩(μB/Co)相对单层稀磁薄膜结构的平均原子磁矩明显增大。
一种 zno 基稀磁薄膜及其制备方法

[发明专利]一种强度和偏振主动可调的太赫兹波发射器-CN201910141811.6在审
发明人：陆亚林;黄秋萍;王建林;程浩;傅正平;杨萌萌;黄浩亮;何泓川 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种强度和偏振主动可调的太赫兹波发射器，包括：铁电层；设置在铁电层一侧的导电层；设置在铁电层背离导电层一侧的铁磁金属薄膜；设置在铁磁金属薄膜背离铁电层一侧的非铁磁金属薄膜；磁场装置，用于给铁磁金属薄膜施加水平方向且平行于铁磁金属薄膜的磁场，磁场的方向可调；电压装置一端与导电层连接，另一端与非铁磁金属薄膜连接；飞秒激光源用于发射飞秒激光，飞秒激光沿垂直于导电层的方向依次透过导电层、铁电层、铁磁金属薄膜和非铁磁金属薄膜，在磁场装置和电压装置的控制下
铁磁金属薄膜导电层铁电层太赫兹波偏振发射器非铁磁金属磁场装置电压装置飞秒激光主动可调薄膜磁场背离飞秒激光源生产成本低方向可调灵活控制可调的与非平行垂直施加发射应用

[发明专利]一种调节巨磁电阻薄膜线性区域的方法-CN201610173054.7有效
发明人：唐晓莉;杨鸿洁;苏桦;钟智勇;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种调节巨磁电阻薄膜线性区域的方法，属于磁性材料与元器件技术领域。采用薄膜溅射工艺并在外磁场H的作用下，依次在基片上沉积第一反铁磁层/第一铁磁层/第一非磁性层/第二铁磁层/第二非磁性层/第三铁磁层/第二反铁磁层作为巨磁电阻薄膜，第三铁磁层和第二反铁磁层的溅射气压为0.004‑0.08Pa，溅射功率为30‑50W，第三铁磁层的厚度为8‑12nm，第二反铁磁层的厚度为10‑18nm。本发明在超低气压下溅射巨磁电阻薄膜探测层中的铁磁层和反铁磁层，在不减薄铁磁层厚度的条件下，使铁磁层FM2/反铁磁层AF2产生不同大小的交换偏置场，进而在不损失巨磁电阻变化率的条件下实现对巨磁电阻薄膜线性区域的调整
一种调节磁电薄膜线性区域方法

[发明专利]一种宽频低涡流损耗的人工导体-CN202010390086.9有效
发明人：白飞明;黄铭贤;金立川;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01F1/00 文献下载
摘要：所述人工导体为金属薄膜层和铁磁薄膜层交替层叠形成的金属薄膜层/(铁磁薄膜层/金属薄膜层)n的周期性多层膜结构，其中，第1～n/2层铁磁薄膜层的材料为铁磁材料A，第(n/2+1)～n层铁磁薄膜层的材料为铁磁材料B。本发明通过采用两种不同的铁磁材料作为铁磁薄膜层，形成非对称的结构，使得该人工导体可以在较宽的频带范围内获得涡流损耗的抑制。
一种宽频涡流损耗人工导体

[发明专利]多铁性存储介质-CN200910128352.4无效
发明人： F·扎瓦利彻;赵彤;P·G·皮彻;M·A·西格勒 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： G11B9/02 文献下载
摘要：一种数据存储介质包括多铁性薄膜和在该多铁性薄膜中形成的铁磁存储畴。多铁性薄膜可由BiFeO3、或任意其它铁电和反铁磁材料中的至少一种构成。铁磁存储畴可通过离子注入工艺在多铁性薄膜中形成。
多铁性存储介质

[发明专利]一种基于交换偏置磁场的太赫兹波发生器-CN201811621994.3在审
发明人：冯正;谭为;王大承 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于交换偏置磁场的太赫兹波发生器，利用交换偏置多层膜中铁磁/非磁薄膜和/或铁磁/反铁磁薄膜的超快自旋流注入与逆自旋霍尔效应产生太赫兹波。同时利用铁磁/反铁磁薄膜的交换偏置效应产生的交换偏置磁场，固定钉扎铁磁薄膜的磁化强度；并通过旋转样品架旋转交换偏置多层膜，使铁磁薄膜的磁化强度的取向随之旋转，从而改变产生的太赫兹波的偏振方向。同时，本发明利用铁磁/反铁磁薄膜的交换偏置效应固定了磁化强度的取向，避免了外加磁场发生装置的问题，使得太赫兹波发生器更加简洁方便，且更为实用。
太赫兹波发生器偏置铁磁交换磁化反铁磁薄膜偏置磁场太赫兹波铁磁薄膜多层膜取向自旋非线性晶体发生装置霍尔效应外加磁场固定钉样品架非磁偏振频谱薄膜

[发明专利]多比特磁存储单元-CN201280038080.9在审
发明人：亚历山大·葛伯;阿米尔·西格尔 -专利权人：雷蒙特亚特特拉维夫大学有限公司
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： G11C11/18 文献下载
摘要：一种用于储存数据的设备（20），其包括至少第一铁磁薄膜和第二铁磁薄膜（F1,F2）以及传感电路（28）。这两个铁磁薄膜都具有被配置为响应于所储存的数据的垂直磁各向异性，并且被连接以使电流贯穿第一铁磁薄膜和第二铁磁薄膜，并且在其中产生各自的第一异常霍尔电压和第二异常霍尔电压。
比特存储单元

[发明专利]磁性薄膜及其制备方法、磁隧道结器件-CN202111680187.0在审
发明人：赵旭鹏;韩荣坤;赵建华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种磁性薄膜及其制备方法、磁隧道结器件，该薄膜包括：基片；平滑层，设置在基片上；钴基铁磁层，设置在平滑层上，具有体心立方结构，用于与平滑层晶格匹配；锰基反铁磁层，设置在钴基铁磁层上，用于诱导钴基铁磁层的垂直磁各向异性；覆盖层，设置在锰基反铁磁层上，用于保护磁性薄膜。
磁性薄膜及其制备方法隧道器件

[发明专利]一种原位太赫兹波谱电化学装置及其制备方法-CN202110455193.X在审
发明人：陆亚林;傅正平;黄秋萍;熊兵;王建林;黄浩亮;程浩 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本申请公开了一种原位太赫兹波谱电化学装置及其制备方法，该装置由铁磁薄膜和非铁磁薄膜构成太赫兹波发射器，通过飞秒激光泵浦铁磁薄膜产生超快自旋流，由于铁磁薄膜和非铁磁薄膜界面处的逆自旋霍尔效应，使得铁磁薄膜的自旋流转变为非铁磁薄膜的瞬变电荷流，从而在所述非铁磁薄膜一侧辐射出太赫兹波，产生的太赫兹波通过电催化剂层、电解液和对电极后入射到所述太赫兹波探测器中，实现了针对材料电导和载流子的一种亚皮秒时间分辨率的非接触的原位探测，除此之外，该装置还可用于研究太赫兹波对电化学过程的影响
一种原位赫兹波谱电化学装置及其制备方法

[发明专利]一种铁磁-反铁磁薄膜异质结构、制备方法及磁存储设备-CN201610070644.7在审
发明人：叶钊赫;叶建国;苗君 -专利权人：唐山市众基钢结构有限公司;苗君
申请日： 2016-02-01 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种铁磁-反铁磁薄膜异质结构、制备方法及磁存储设备，涉及磁存储技术领域。本发明提供的铁磁-反铁磁薄膜异质结构的铁磁层采用全哈斯勒合金，具有很高的有效自旋极化率，良好的半金属性，使得铁磁-反铁磁薄膜异质结构具有很好的交换偏置效应，而反铁磁层采用多铁性材料，不但具备各种单一的铁性，还具备在铁磁序和铁电序之间存在的耦合效应，表现出磁电耦合效应，因此，通过改变反铁磁层的厚度变化，来影响铁磁-反铁磁界面处的交换耦合作用，就可以获得整个异质结构的磁性变化，获得一个具有振荡形式的交换偏置效应，基于交换偏置效应的磁电子器件可应用于磁电阻读出磁头、磁传感器、磁随机存储器等磁存储领域。
一种反铁磁薄膜结构制备方法存储设备

[发明专利]一种铁磁自由层、制备方法及其应用-CN202111312221.9在审
发明人：田玉峰;颜世申;陈延学;柏利慧;黄启坤 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁磁自由层、制备方法及其应用，铁磁自由层所包括磁性薄膜合金中的每一层薄膜的厚度从第一端到第二端依次减小，以打破面内结构对称性，且薄膜包括重金属薄膜和铁磁金属薄膜，重金属薄膜和铁磁金属薄膜交错设置，以打破面外晶体对称性，当在磁性薄膜合金内施加电流时会产生自旋轨道力矩，直接驱动磁性薄膜合金的磁矩发生确定性磁化翻转，利用该磁性薄膜合金作为铁磁自由层，无需在磁性隧道结中增加额外的重金属层，也不需要额外的磁场辅助
一种自由制备方法及其应用

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