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[发明专利]一种二硫化钼/石墨烯异质结器件-CN201910995467.7有效
发明人：徐明生;王维佳 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L39/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/石墨烯异质结器件，所述二硫化钼/石墨烯异质结器件包括二硫化钼材料层和石墨烯材料层，所述二硫化钼和石墨烯层间的旋转角度在7°‑15°之间。本发明提供的二硫化钼/石墨烯异质结器件通过控制MoS2材料层与石墨烯材料层间的旋转角能够调控异质结体系的能带结构而可以诱导出超导特性。
一种二硫化钼石墨烯异质结器件

[发明专利]二硫化钼/二硒化钼垂直异质结及其制备方法-CN201911358089.8有效
发明人：刘伟;蔡倩 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/二硒化钼垂直异质结及其制备方法，所述方法包括真空条件下，加热高温区的原料I和低温区的原料II，硫化，升温硒化，得到所述二硫化钼/二硒化钼垂直异质结；其中，所述原料I包含钼箔，所述原料本发明提出的二硫化钼/二硒化钼垂直异质结的制备方法，通过二步化学气相沉积制备大面积、高质量的二硫化钼/二硒化钼垂直异质结材料，操作简单、可控性高、产物易转移。
二硫化钼二硒化钼垂直异质结及其制备方法

[发明专利]一种硫化钼-石墨烯异质结光电导探测器及其制备方法-CN201910831084.6在审
发明人：慕飒米;张少先;刘永;杜明;李侠 -专利权人：苏州枫桥光电科技有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明涉及一种硫化钼‑石墨烯异质结光电导探测器及其异质结的制备方法，包括异质结，所述异质结包括设置在SiO
异质结石墨烯光电导探测器二维材料石墨烯层制备光导型探测器异质结界面光电特性金属电极杂质问题衬底层低成本高响应硫化钼

[发明专利]一种调控石墨烯/二硫化钼异质结中二硫化钼层数的方法-CN202010970440.5在审
发明人：徐克赛;周宇;李萍剑 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种调控二硫化钼/石墨烯异质结中二硫化钼层数的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明以硫单质为硫源，以五氯化钼为钼源，其中硫源有1个，钼源1个，采用双温区的制备方式，在转有石墨烯的二氧化硅/硅衬底上制得二硫化钼/石墨烯异质结；本发明通过对五氯化钼的质量控制，有效地实现了对二硫化钼/石墨烯异质结中二硫化钼层数的调控。
一种调控石墨二硫化钼异质结中层数方法

[发明专利]一种石墨烯‑二硫化钼侧向异质结光电探测器结构-CN201710578169.9在审
发明人：张永哲;邓文杰;游聪娅;刘北云;陈永锋;申高亮 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-07-16 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：一种石墨烯‑二硫化钼侧向异质结光电探测器结构，属于光电探测技术领域。光电探测器至少包括硅/二氧化硅衬底，薄层石墨烯材料以及薄层二硫化钼材料组成的沟道材料，还包括必要的金属电极及电极黏附层。在硅衬底上为二氧化硅层，二氧化硅层上为石墨烯‑二硫化钼异质结，其中石墨烯‑二硫化钼异质结中石墨烯和二硫化钼并行在二氧化硅层上，一侧为石墨烯一侧为二硫化钼，形成侧向连接石墨烯‑二硫化钼结型二维材料；在石墨烯和二硫化钼上分别通过电极黏附层粘结有金属电极石墨烯‑二硫化钼侧向异质结光电探测器具有良好整流及光电特性。
一种石墨二硫化钼侧向异质结光电探测器结构

[发明专利]一种二维材料异质结传感器-CN201811490137.4在审
发明人：李鹏 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：一种二维材料异质结传感器，属于MEMS技术领域，器件结构由上到下依次为选择层、二硒化钨层、二硫化钼层和基底；二硒化钨层与二硫化钼层交叠形成异质结；异质结表面修饰有与被测肿瘤标记物相对应的抗体，采用牛血清蛋白填补异质结表面没有被抗体覆盖的位点，抗体和牛血清蛋白共同构成选择层，金属电极分别与二硫化钼层和二硒化钨层相连接，采用二硫化钼与二硒化钨形成的异质结作为传感器的核心敏感部分，利用其对蛋白分子敏感的特性检测标记物的浓度，本发明的传感器对于癌症的早期诊断具有重要意义
异质结二硒化钨传感器二硫化钼层抗体牛血清蛋白二维材料选择层肿瘤标记物表面修饰蛋白分子二硫化钼金属电极器件结构特性检测由上到下早期诊断重要意义敏感标记物基底交叠位点癌症填补覆盖

[实用新型]二维材料异质结传感器-CN201822044070.3有效
发明人：李鹏 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：二维材料异质结传感器，属于MEMS技术领域，器件结构由上到下依次为选择层、二硒化钨层、二硫化钼层和基底；二硒化钨层与二硫化钼层交叠形成异质结；异质结表面修饰有与被测肿瘤标记物相对应的抗体，采用牛血清蛋白填补异质结表面没有被抗体覆盖的位点，抗体和牛血清蛋白共同构成选择层，金属电极分别与二硫化钼层和二硒化钨层相连接，采用二硫化钼与二硒化钨形成的异质结作为传感器的核心敏感部分，利用其对蛋白分子敏感的特性检测标记物的浓度，本实用新型的传感器对于癌症的早期诊断具有重要意义
异质结二硒化钨传感器二硫化钼层抗体牛血清蛋白二维材料选择层本实用新型肿瘤标记物表面修饰蛋白分子二硫化钼金属电极器件结构特性检测由上到下早期诊断重要意义敏感标记物基底交叠位点癌症填补覆盖

[发明专利]一种薄层石墨烯/二硫化钼侧向异质结的制备方法-CN201710578166.5在审
发明人：张永哲;邓文杰;游聪娅;刘北云;陈永锋;申高亮 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-07-16 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：一种薄层石墨烯/二硫化钼侧向异质结的制备方法，涉及到二维材料异质结制备领域。采用在硅/二氧化硅衬底上直接机械剥离制备薄层石墨烯材料，然后运用化学气相沉积的方法直接在上述衬底上沉积二硫化钼材料，实现由所述两种材料构成的侧向异质结的形成。本发明获得异质结材料的方法工艺简单，并且基础工艺成熟，能够避免传统方法中带来的一些对材料的污染，大大提高了石墨烯/二硫化钼异质结材料制备的成功率，减小了制备的难度，为将来异质结材料的量化生产提供了一种良好的思路和方法
一种薄层石墨二硫化钼侧向异质结制备方法

[发明专利]一种异质结材料及其应用-CN202110437540.6有效
发明人：曾祥斌;王曦雅;胡一说;王文照;陆晶晶;王君豪;肖永红;周宇飞;王士博;陈铎;张茂发 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件制备技术领域，具体涉及一种异质结材料及其应用，异质结材料包括：依次层叠设置的硒化钼薄膜、第一钝化层和硫化铅薄膜；其中，硒化钼薄膜通过激光辐射制备得到。该异质结材料可应用于光电探测器，其结构包括：绝缘衬底、上述异质结材料、钝化层和电极。其中，采用激光辐射制备硒化钼薄膜，磁控溅射制备硫化铅薄膜，光刻选择制备异质结区域。该光电探测器可探测红外光和近红外光，并且响应时间短、光响应度高，制备方法具有工艺简便，成本低和大规模生产的优点，因此该异质结光电探测器具有非常广阔的应用前景。
一种异质结材料及其应用

[发明专利]一种等离激元增强p型磷化铟/n型二硫化钼异质结太阳电池及其制备方法-CN201811525727.6在审
发明人：张曙光;温雷 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离激元增强p型磷化铟/n型二硫化钼异质结太阳电池，由下至上依次包括底部金电极，p型磷化铟衬底，n型层状二硫化钼，Au纳米颗粒，Al顶电极。本发明还公开了一种等离激元增强p型磷化铟/n型二硫化钼异质结太阳电池的制备方法。本发明制备的p型磷化铟/n型二硫化钼异质结太阳电池，通过在二硫化钼表面覆盖一层Au纳米颗粒，一方面可以提高电池的光吸收，同时利用Au表面等离激元的局域电场提高电子‑空穴对的分离效率。因此该p型磷化铟/n型二硫化钼异质结太阳电池不仅制备工艺简单，工艺成本较低，而且光电转换效率高，是一种制备新型异质结太阳电池的有效方法。
二硫化钼异质结太阳电池磷化铟等离激元制备光电转换效率空穴表面覆盖分离效率工艺成本制备工艺电场顶电极光吸收金电极衬底电池

[发明专利]一种基于碲-二硫化钼异质结光电人工突触及其制备方法-CN202310831931.5在审
发明人：黄文;黄俊彦;汤俊;王毅;王世财;于梦雅;何宇豪;龚天巡;张晓升 -专利权人：电子科技大学;成都燎原星光电子有限责任公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于碲‑二硫化钼异质结光电人工突触及其制备方法，包括两端电极和二维材料异质结层以及基底，所述两端电极为镍金电极，所述二维材料异质结层材料包括二硫化钼纳米片和二维碲纳米片，所述基底为有一层二氧化硅的硅基底包括以下步骤：提供亚碲酸钠、PVP粉末、一水合肼、氨水为原材料，以一定配比溶解于去离子水中，通过水热法得到碲纳米片，将所述碲纳米片分散在溶剂中形成碲纳米片分散液，将所述碲纳米片滴铸在基底上；提供二硫化钼原料，使用机械剥离法得到二硫化钼纳米片，将所述二硫化钼纳米片转移到碲纳米片上得到异质结；在异质结两端溅射得到镍金电极，得到二维材料异质结光电突触。
一种基于二硫化钼异质结光电人工突触及其制备方法

[发明专利]一种二维硫化钼/硫化铟横向异质结及其制备方法和应用-CN201910616996.1有效
发明人：陆健婷;郑照强 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：本发明属于二维材料异质结光探测领域，公开了一种二维硫化钼/硫化铟横向异质结及其制备方法和应用。该二维硫化钼/硫化铟横向异质结是通过化学气相沉积法先将二氧化硅片平放在三氧化钼粉末的上方，置于管式炉的中间，将升华硫粉末放置在管式炉气流上游；在氮气气氛下，升温至680～800℃保温，在二氧化硅衬底上制得单层二维硫化钼单晶，通过湿法将单层二硫化钼转移至云母片上；然后将云母片平放在三硫化二铟粉末的上方，放置在管式炉中间；升温至750～980℃保温，自然冷却制得。本发明方法简单，反应条件易于控制，生长的二维异质结稳定，该异质结经过光刻，显影等步骤后，可成功在异质结两端搭建电极，具有良好的光探测应用前景。
异质结二维管式炉硫化钼光探测硫化铟云母片单层保温制备方法和应用化学气相沉积三氧化钼粉末二氧化硅片升华硫粉末二硫化钼二维材料二氧化硅反应条件电极硫化衬底单晶光刻湿法显影上游生长应用成功

[发明专利]一种硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结的制备方法-CN202210479949.9在审
发明人：舒海波;盛创伟;张铭松;张颖;黄杰 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结的制备方法，其制备方案包括以下步骤：首先以氧化钼粉末和硫粉作为反应前驱体，氩气作为载气，在双温区管式炉中加热反应生长出单层二硫化钼；然后以硫化锡粉末和硫粉作为反应前驱体，氩气作为载气，以生长有二硫化钼的衬底作为生长基底，在双温区管式炉中加热反应生长出硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结。本发明制备的异质结由一维硫化锡和二维单层的二硫化钼所构成，所述硫化锡纳米线外延生长在所述二硫化钼的表面；该异质结材料化学性质稳定，光谱响应范围宽，且具有II型的能带结构便于光生载流子分离，在光电器件领域具有广泛的应用前景本发明所采用的分步化学气相沉积法制备所述硫化锡/二硫化钼混合维度范德华异质结具有晶体质量高、制备成本低、工艺简单、可重复高等优点。
一种硫化二硫化钼混合维度范德华异质结制备方法

[发明专利]一种单层二硫化钼能谷协调的单极型自旋二极管-CN201911029141.5有效
发明人：翟学超;刘永强;闻睿 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明公开了自旋电子学元器件技术领域的一种单层二硫化钼能谷协调的单极型自旋二极管，旨在解决现有技术中的微电子产业受制于器件功耗增大和制造成本增加，导致其集成度遭遇瓶颈的技术问题。所述自旋二极管包括由掺杂半导体材料与衬底材料融合形成的第一异质结和第二异质结，第一异质结与第二异质结相接触构成PN结，融合形成第一异质结或/和第二异质结的衬底材料为铁磁绝缘体，所述半导体为单层二硫化钼。
一种单层二硫化钼协调单极自旋二极管

[发明专利]生物质碳基纳米碳化钼-氮化钼异质结复合催化剂及方法-CN202210054559.7在审
发明人：冯志冲;高标;陈振东;金齐儒;徐啟斌;蔡咏周 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：生物质碳基纳米碳化钼‑氮化钼异质结复合催化剂及方法，所述复合催化剂由生物质碳为基体和均匀分散的纳米碳化钼‑氮化钼异质结组成的复合结构，其中均匀分散在碳基中的纳米碳化钼、氮化钼粒径为0.5‑100nm，占整体的含量为本发明还提供一种生物质碳基纳米碳化钼‑氮化钼异质结复合催化剂的制备方法，通过去除生物质中的木质素，得到以纤维素为主的碳前体，表面拥有大量的羟基官能团并且整体是一个三维多孔的结构，有利于含钼、含氮前驱体的均匀吸附，实现了碳化钼、氮化钼在碳基体中的纳米量子点级分散，并存在丰富的碳化钼‑氮化钼异质界面，适用于电催化析氢应用。
生物质碳基纳米碳化氮化钼异质结复合催化剂方法

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