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[发明专利]一种用于旋转靶材的钛背管的制备方法-CN202310249873.5在审
发明人：黄宇彬;谭雪清;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（安徽）有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明涉及溅射靶材技术领域，提供了一种用于旋转靶材的钛背管的制备方法，包括以下步骤：将无缝钛管的一端采用三爪中空卡盘固定在机床上，用带滚轮的中心架压紧钛管的外表面，加工内径；将加工好的钛管固定在数控机床上，加工钛管的外表面，加工过程中采用跟刀架紧跟刀具；放入热处理炉中进行热处理；然后采用液压校平机对钛管进行校直；装配法兰、螺纹堵头，抽真空后，对法兰、螺纹堵头进行焊接；最后气密性检测，焊缝抛光。本发明通过采用带滚轮的中心架和跟刀架来对钛管的内径和外表面进行加工，加工后钛管壁厚均匀性更好，再通过热处理和校直后，通过设置特定的转速和电流，在电子束焊接设备内进行焊接，保证焊接效果和焊接后的接头强度。
一种用于旋转钛背管制备方法

[发明专利]氮化钛膜制备方法-CN201510298327.6在审
发明人：毕新儒;赵显伟;李文卓;马培培 -专利权人：陕西航天导航设备有限公司
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化钛膜制备方法。本发明提供了氮化钛膜制备方法包括双钛靶沉积与刻蚀交替镀膜和双钛靶间断沉积与热处理交替镀膜的两种氮化钛膜制备方法。通过两种不同方式制备钛膜，改善了钛膜层的性能，拓展了其应用范围，同时钛膜层沉积过程中的不同处理方法可为物理气相沉积和化学气相沉积技术提供更多的膜层制备参考方法，它能为钛膜层的制备技术的开发提供技术支持，
氮化制备方法

[发明专利]低氧、高致密、高塑性钼钛合金靶材及制备方法-CN202310333631.4在审
发明人：吴小超;李庆奎;任壮;王成铎;张龙振;何季麟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明实施例公开了低氧、高致密、高塑性钼钛合金靶材及制备方法；制备方法包括：取设定量的钼粉和钛粉，在混料机中氩气氛保护下混合得到混合粉体；将混合粉体进行冷等静压成型，得到钼钛生坯；将得到的钼钛生坯进行低温真空烧结，得到预烧结坯；将预烧结坯进行热等静压烧结，得到低氧、高致密、高塑性钼钛合金靶材。本发明实施例公开的低氧、高致密、高塑性钼钛合金靶材的制备方法，结合真空烧结与热等静压来制备钼钛合金靶材，先使用真空预烧结除去坯体中杂质性元素，然后将预烧结坯进行热等静压烧结得到低氧、高致密以及高塑性的钼钛合金靶材，在钼钛合金靶材制备领域有良好的应用前景。
低氧致密塑性钛合金制备方法

[发明专利]一种多主元合金靶材的制备方法-CN202211743620.5在审
发明人：刘淑兰;刘惠 -专利权人：唐山师范学院
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B22F3/14 文献下载
摘要：本发明属于靶材加工技术领域，具体为一种多主元合金靶材的制备方法，该多主元合金靶材的制备方法的具体制备步骤流程如下：步骤一：准备铁、钴、铝、硅、铬、锌、钛、镍相应的粉末，备用，该多主元合金靶材首先通过铁粉、钴粉、铝粉、硅粉、铬粉、锌粉、钛粉和镍粉混合制备，在选材上，铁粉、钴粉、铝粉、硅粉、铬粉、锌粉、钛粉和镍粉粒径范围为10‑20微米，纯度在99.9‑99.999％，含氧量在1‑1800ppm，首先将多种金属材料颗粒混合，然后倒入真空热压机中制备成靶材胚料，最后经过及其加工制备成多元合金靶材，整个过程操作简单，不需要太多复杂的工艺技术，从而降低了生产成本，适合大规模生产制备。
一种多主元合金制备方法

[发明专利]一种厨房水槽真空镀膜方法-CN202210784754.5在审
发明人：龙飞;邓小辉 -专利权人：东莞市龙铮真空设备有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：通过如下步骤制得：S1、取水槽进行前处理；S2、将水槽转入真空炉内抽真空加热，关闭节流阀，通入氩气，打开偏压，保持占空比，进行活化；S3、关闭氩气，调节真空度，通入氩气，设定偏压，保持占空比，打开锆弧靶进行轰击打底，调节真空度，关闭节流阀；S4、再次通入氩气和氮气，设定偏压和占空比，开锆弧靶和钛弧靶，沉积形成锆钛合金层；S5、关闭锆弧靶，开铬弧靶，打开乙炔流量计通入乙炔气体，保持铬弧靶和钛弧靶对等，沉积钛铬合金层
一种厨房水槽真空镀膜方法

[发明专利]一种降低纳米二氧化钛光催化活性的方法-CN201110317818.2有效
发明人：孙锡泉;张浴晖;王俊发;刘其达;张元洪;梁玉超 -专利权人：青岛大学
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低纳米二氧化钛光催化活性的方法，包括对金属靶材进行清洁处理、在纳米二氧化钛粉末上沉积金属阻隔膜等步骤，采用磁控溅射的方法，将待处理的纳米二氧化钛粉体置于溅射仪基底上，控制磁控溅射室内工作气体压力及单位面积功率、溅射时间等条件对靶材进行溅射，在纳米二氧化钛表面上沉积靶材金属膜，得到光催化活性降低的纳米二氧化钛粉末，从而完成改性。
一种降低纳米氧化光催化活性方法

[发明专利]一种高迁移率氧化铟钛铈钽靶材及其制备方法-CN202310678924.6在审
发明人：张兴宇;邵学亮;王奇峰;李开杰;罗斯诗;顾德盛 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明属于氧化物靶材制备技术领域，公开了一种高迁移率氧化铟钛铈钽靶材及其制备方法。所述制备方法为：按质量比为97.95～98.47:0.23～0.35:0.50～0.75:0.80～1.12称取氧化铟、氧化钛、氧化铈和氧化钽粉末；将上述粉末加入到分散剂水溶液中搅拌分散后研磨，得到浆料一，再加入黏结剂进行预分散和研磨得到浆料二；将浆料二通过喷雾造粒，混料和筛分，得到混合粉末；将混合粉末经过干压和冷等静压后进行热处理，得到高迁移率氧化铟钛铈钽靶材。本发明通过对靶材中各组分进行调节，可显著提高靶材的迁移率和导电性能。
一种迁移率氧化铟钛铈钽靶材及其制备方法

[发明专利]一种在塑胶上生产PVD防菌膜的方法-CN201710779538.0有效
发明人：麦世枝 -专利权人：麦世枝
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： C23C14/20 文献下载
摘要：本发明为一种在塑胶上生产PVD防菌膜的方法，使用本技术方案整个过程不需加温能够在不损伤塑胶工件的前提下镀膜，使用钛靶和硅靶进行基底膜镀制，塑胶的主要成分包含大量的碳原子，和硅原子具有良好的结合力，因此使用钛靶和硅靶进行基底膜的镀制能够增加膜层和工件的结合力，基底膜镀制完成后加入银靶溅射，使具有防菌效果的银均匀分布在硅化钛膜层中，形成具有防菌效果的防菌膜，另外在镀膜过程中工件挂在挂架上，工件在自转的同时公转，使溅射过程成膜均匀，并且能够避免局部温度过高损伤工件
一种塑胶生产 pvd 防菌膜方法

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202210731283.1在审
发明人：王学雷;张晓晖;锁真阳;邵君 -专利权人：无锡极电光能科技有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能光伏技术领域，具体涉及一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。在钙钛矿太阳能电池的制备方法中，采用离子辅助沉积技术形成电子传输层；其中，由靶材中心至基片中心的方向与离子束的发射方向形成的夹角大于等于90°且小于180°，靶材为硫化物或硒化物中的至少一种，靶材的导带底低于钙钛矿层的导带底上述钙钛矿太阳能电池的制备方法易于在保证加工效率的同时，兼顾电池性能。
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]钨钛合金靶坯及靶材的制造方法-CN201110382822.7有效
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;宋佳 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：钨钛合金靶坯及靶材的制造方法，所述钨钛合金靶坯的制造方法包括：在模具中装入混合钨钛粉末；进行冷压成型工艺和真空热压烧结工艺，将所述模具中的钨钛粉末制成钨钛合金靶坯毛料，所述真空热压烧结工艺的参数为：真空度小于或等于本发明技术方案的钨钛合金靶坯的制造方法，获得的钨钛合金靶坯的微观结构均匀、致密度高、无裂纹符合半导体溅射用，且采用所述钨钛合金靶坯的制造方法获得钨钛合金靶坯的成本低。
钛合金制造方法

[发明专利]一种钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法-CN201710803109.2在审
发明人：顾德恩;徐世洋;周鑫;郑宏航;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种钛钌共掺二氧化钒热敏薄膜材料及其制备方法，可用于非制冷红外探测器和电子薄膜技术领域。其中，二氧化钒热敏薄膜材料以钛和钌作为掺杂剂制备，包括基片层和钛钌共掺二氧化钒薄膜层；钛钌共掺二氧化钒薄膜层中，钛、钌和钒的原子百分比分别为4.0‑7.0％、0.5‑1.5％、25.0‑30.0％，其余为氧元素本发明还提供以钛钌钒合金靶为源材料采用反应溅射方法，或以钛靶、钌靶和钒靶为溅射源采用共反应溅射方法制备二氧化钒热敏薄膜材料的方法。
一种钛钌共掺二氧化热敏薄膜材料及其制备方法

[发明专利]钨钛管靶的制造方法-CN201510347491.1在审
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;大岩一彦;王学泽;段高林 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种钨钛管靶的制造方法，其中所述方法包括：提供钨、钛混合粉末和不锈钢空心管；对钨、钛混合粉末和不锈钢空心管进行冷等静压工艺，形成钨、钛混合粉末和不锈钢初始坯料；将所述钨、钛混合粉末和不锈钢初始坯料装入真空包套并对真空包抽真空后，对所述钨、钛混合粉末和不锈钢初始坯料进行热等静压工艺；去除真空包套，获得钨钛管靶。通过所述冷等静压工艺，使所述钨、钛混合粉末和不锈钢空心管预成型化，形成半致密性的钨、钛混合粉末和不锈钢初始坯料，并使后续的热等静压工艺可以进行更好的致密；再通过热等静压工艺，向所述真空包套施加各向均等且全方位的气体压力，最终获得高致密度的、组织结构更均匀的半导体用钨钛管靶。
钨钛管靶制造方法

[发明专利]一种利用冷等静压及真空烧结设备的低成本钛铝合金靶材制备方法-CN202110795258.5在审
发明人：陈勇;芦博昕;刘宇 -专利权人：天钛隆（天津）金属材料有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： B22F3/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用冷等静压及真空烧结设备的低成本钛铝合金靶材制备方法，涉及粉末冶金技术领域，包括S1、将钛粉与纯铝粉依据所需钛铝合金的成分比例进行配料，均匀混合；S2、将配比好的粉末，放入不锈钢容器中，在高真空烧结炉中进行无压预烧结，得到非致密钛铝合金坯料；S3、将烧结后的非致密钛铝合金坯料在保护气氛下进行球磨破碎，经筛分得到钛铝合金粉末；S4、将筛分得到的钛铝合金粉装入橡胶包套中利用冷等静压机成型，得到冷等静压压坯，冷等静压压坯在真空烧结炉中进行真空烧结，得到晶粒细小的全致密钛铝合金靶材，本发明利用低温无压预烧结实现钛铝合金的合金化，避免了直接烧结带来的开裂问题，实现钛铝合金靶材的制备。
一种利用静压真空烧结设备低成本铝合金制备方法

[发明专利]一种基于紧凑型中子源的便捷拆卸式主动水冷固态氘靶-CN202211070462.1在审
发明人：徐伟;李磊;孟献才;王纪超;梁立振;孔德峰;胡纯栋;罗广南 -专利权人：合肥综合性国家科学中心能源研究院（安徽省能源实验室）
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H05H6/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于紧凑型中子源的便捷拆卸式主动水冷固态氘靶，包括微米级固态钛膜、钛膜载体、水冷基底。通过氘离子束轰击固态钛膜，将氘沉积在钛膜中，并与随后进入的氘离子束碰撞产生中子；采用传热能力强的无氧铜作为钛膜的载体；利用钛膜载体侧边的螺纹结构，实现与水冷基底的便捷安装和拆卸；采用无氧铜作为水冷基底的材料，其内部开设多道环形水冷结构，实现靶上热流快速有效移除，避免固态钛膜中沉积的氘粒子因温度过高从钛膜中解吸，影响中子产额。本发明提供了一种适用于紧凑型氘‑氘中子发生器的便捷拆卸式主动水冷固态氘靶，可为基于紧凑型加速器中子源系统在生产生活中的广泛应用提供良好的技术基础。
一种基于紧凑型中子源便捷拆卸主动水冷固态

[实用新型]一种基于紧凑型中子源的便捷拆卸式主动水冷固态氘靶-CN202222333521.1有效
发明人：徐伟;李磊;孟献才;王纪超;梁立振;孔德峰;胡纯栋;罗广南 -专利权人：合肥综合性国家科学中心能源研究院（安徽省能源实验室）
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H05H6/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于紧凑型中子源的便捷拆卸式主动水冷固态氘靶，包括微米级固态钛膜、钛膜载体、水冷基底。通过氘离子束轰击固态钛膜，将氘沉积在钛膜中，并与随后进入的氘离子束碰撞产生中子；采用传热能力强的无氧铜作为钛膜的载体；利用钛膜载体侧边的螺纹结构，实现与水冷基底的便捷安装和拆卸；采用无氧铜作为水冷基底的材料，其内部开设多道环形水冷结构，实现靶上热流快速有效移除，避免固态钛膜中沉积的氘粒子因温度过高从钛膜中解吸，影响中子产额。本实用新型提供了一种适用于紧凑型氘‑氘中子发生器的便捷拆卸式主动水冷固态氘靶，可为基于紧凑型加速器中子源系统在生产生活中的广泛应用提供良好的技术基础。
一种基于紧凑型中子源便捷拆卸主动水冷固态