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[发明专利]一种多孔钛酸钙重金属吸附剂的制备方法-CN201110284628.5无效
发明人：张东;贾立娇;宋恩军;任广军 -专利权人：沈阳理工大学
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： B01J20/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔钛酸钙重金属吸附剂的制备方法，它是利用糠醛工业的固体废弃物—糠醛渣为模板剂，采用溶胶凝胶法制备的多孔片状钛酸钙重金属吸附剂。将干燥的糠醛渣粉碎加入钛酸钙溶胶，搅拌均匀，烘干，得到糠醛渣-钛酸钙凝胶复合物，高温煅烧，氧化分解糠醛渣和钛酸钙凝胶中的有机物，得到多孔钛酸钙吸附剂。用于水中铅、镉、镍、铜、锌和银等多种重金属的同时吸附去除。采用糠醛渣为模板剂属于固体废弃物利用，同时利用了钛酸钙的高吸附性能和高稳定性，该方法合成吸附剂具有成本低，工艺简单，吸附剂的吸附容量大，适用范围广，水热稳定，耐酸碱性强，再生和回收方便等优点。
一种多孔钛酸钙重金属吸附剂制备方法

[发明专利]一种有源驱动钙钛矿光电传感器及其阵列制备方法-CN202310326567.7在审
发明人：朱博文;杨旸;唐颖捷;金鹏 -专利权人：西湖大学;浙江大学
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10K39/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种有源驱动钙钛矿光电传感器及其阵列制备方法，包括基底，基底上沉积有介电层和栅电极，栅电极上沉积有氧化物半导体层，介电层上沉积有源漏电极和钙钛矿材料，源漏电极上和氧化物半导体层上沉积有封装材料层，封装材料层上和钙钛矿材料上沉积有控制电极。本发明通过设置控制电极，在控制电极上施加调控电场来改变钙钛矿光电导中的电场分布，从而抑制信号电极附近的离子迁移现象，这种结构不受限于特定的钙钛矿材料或电极材料，在不同光电导材料体系中都有通用效果。此外，通过氧化物晶体管串联钙钛矿光电导的方式，成功构建了具有高密度、大面积的光电探测阵列。
一种有源驱动钙钛矿光电传感器及其阵列制备方法

[发明专利]一种用于弱光探测的钙钛矿量子点光电晶体管及制备方法-CN201910525986.7在审
发明人：周航;于浩 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种用于弱光探测的钙钛矿量子点光电晶体管，其特征在于，包括：上表面水平的基础衬底；栅电极位于基础衬底上；栅介电层和基础衬底全包围栅电极，且投影面积等于基础衬底；金属氧化物半导体薄膜位于栅介电层上；源漏金属电极位于栅介电层和金属氧化物半导体薄膜上；电荷传输界面层位于源漏金属电极中间；钙钛矿量子点材料层位于电荷传输界面层正上方且完全覆盖电荷传输界面层；金属氧化物半导体薄膜、电荷传输界面层薄膜、钙钛矿量子点材料层投影面积等于栅电极
电荷传输钙钛矿金属氧化物半导体薄膜衬底栅介电层界面层源漏金属电极光电晶体管量子点材料量子点栅电极弱光投影探测界面层薄膜全包围栅电极上表面制备

[发明专利]一种高发射率红外节能材料以及制备方法-CN201910914375.1有效
发明人：王曲;王刚;张琪;韩建燊;张伟 -专利权人：中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司;中钢南京环境工程技术研究院有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：涉及的一种高发射率红外节能材料以钙钛矿结构的铝酸镧为主相，高发射率红外节能材料的原料具有用以制备铝酸镧主相的氧化镧、氧化铝、掺杂剂Ⅰ和掺杂剂Ⅱ；掺杂剂Ⅰ为氧化钙，掺杂剂Ⅱ为氧化铬；在单位摩尔镧位掺杂0.1~0.2摩尔的钙离子，在单位摩尔铝位掺杂0.1~0.2摩尔的铬离子；高发射率红外节能材料的原料还具有氧化锆；氧化锆与氧化钙发生固相反应生成第二主相锆酸钙，并通过固相反应来抑制或较少低熔相（CaLa）Al3O7的生成，与氧化钙中的钙离子发生固相反应的锆离子由氧化锆提供。
一种发射红外节能材料以及制备方法

[发明专利]一种掺杂钙钛矿型镧锰氧化物防冰材料及其制备方法、应用-CN201911127990.4有效
发明人：陈宝辉;陆佳政;李波;吴传平;刘毓;梁平 -专利权人：国网湖南省电力有限公司;国网湖南省电力有限公司防灾减灾中心;国家电网有限公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01F1/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂钙钛矿型镧锰氧化物防冰材料，所述掺杂钙钛矿型镧锰氧化物防冰材料的分子式为(La1‑x‑y‑zCaxz)MnO3，其中，x不超过0.33，y在0.01‑0.33之间，z在0.01‑0.39之间，且x+y+z在0.3‑0.4之间，所述掺杂钙钛矿型镧锰氧化物防冰材料的晶体结构为菱面型钙钛矿结构本发明还提供一种掺杂钙钛矿型镧锰氧化物防冰材料的制备方法及应用。本发明创新性地提出了利用顺磁性‑铁磁性转变、绝缘态‑金属态转变、交流条件下的磁滞损耗和涡流损耗等三种方式的共同作用的掺杂钙钛矿型镧锰氧化物防冰材料，该防冰材料具有居里温度接近零度(0±10℃)、高发热量的优点
一种掺杂钙钛矿型镧锰氧化物材料及其制备方法应用

[发明专利]高介电栅介质镧钛氧非晶薄膜的制备方法-CN201210318979.8无效
发明人：樊慧庆;杨陈;李强 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电栅介质镧钛氧非晶薄膜的制备方法，用于解决现有方法制备的镧钛氧非晶薄膜的漏电流密度大的技术问题。于真空室中用加热系统对衬底进行加热蒸发，使其温度保持在100～250°C；蒸发时间为1～6min，电子枪束流大小为70～90mA；真空室中真空度小于3×10-3Pa，蒸发过程中，使用纯度99.99％的O2作为反应气体；得到沉积态的镧钛氧非晶薄膜；沉积态的镧钛氧非晶薄膜在700～900°C快速退火1～5min，得到镧钛氧非晶薄膜。由于通过优化镧钛氧非晶薄膜的配方和工艺，获得漏电流密度小、介电常数高的镧钛氧非晶薄膜。所制备的镧钛氧非晶薄膜的漏电流密度小由背景技术的～10-6A/cm2降低到～6.5×10-7A/cm2。
高介电栅介质镧钛氧非晶薄膜制备方法

[发明专利]具有非线性电流-电压特性的组合物-CN201180041206.3有效
发明人：迪潘克尔·高希;肯顿·D·布德;纳纳亚克拉·L·D·索马希里;蒋鸽;布雷德利·L·吉沃特 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C08L101/12 文献下载
摘要：本发明提供一种组合物和材料，所述组合物和材料具有变阻器性质，而且适用于电应力控制装置和电涌放电器装置。所述组合物和材料包括聚合物材料和煅烧的钛酸钙铜填充材料，而且具有可逆的非线性电流-电压特性。
具有非线性电流电压特性组合

[发明专利]铁酸镧/锂纳米复合粉体光催化剂及其制备工艺-CN200410092879.3无效
发明人：高发明;侯莉;孙桂芳;李勇;於哲峰 -专利权人：燕山大学
申请日： 2004-11-16 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： B01J23/83 文献下载
摘要：本发明提供一种光催化性能更好的铁酸镧/锂纳米复合粉体催化剂，即La_1－xLi_xFeO₃纳米晶体。该发明以硝酸镧、氢氧化锂和硝酸铁为原料，采用柠檬酸溶胶凝胶工艺方法，真空干燥后在一定温度下焙烧，制得所需的铁酸镧/锂纳米光催化剂。其中Li的含量为1％～10％。该光催化剂保持钙钛矿型，粒径为10～30纳米，比表面积大，对紫外－可见光的吸收能力明显大于未掺杂的铁酸镧样品。并且铁酸镧/锂纳米复合体系能有效的降解甲基蓝及污水，具有很强的光催化能力。
铁酸镧纳米复合光催化剂及其制备工艺

[发明专利]一种用于柔性低压驱动有机薄膜晶体管的高介电栅介质材料及其制备方法与应用-CN201610527964.0有效
发明人：陆旭兵;严龙森;龚岩芬;曾敏;刘俊明 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及用于柔性低压驱动有机薄膜晶体管的高介电栅介质材料及其制备方法，包括以下步骤：1)制备氧化镧前驱体溶液；2)制备氧化镧介电层薄膜：将步骤1)制得的氧化镧前驱体溶液过滤后，在衬底上旋涂氧化镧前驱体溶液，得到氧化镧前驱体薄膜；3)将步骤2)得到的样品依次进行预退火处理、热处理和臭氧活化处理后，得到氧化镧介电层，即得到高介电栅介质材料。本发明所述的高介电栅介质材料氧化镧介电层具有高介电常数以及宽能带，能有效地降低器件所需的工作电压；且其采用溶液法制备，能够在低温下生成致密性的薄膜，工艺简单，成本较低。本发明还提供一种采用所述高介电栅介质材料作为介电层的柔性低压驱动有机薄膜晶体管及其制备方法。
一种用于柔性低压驱动有机薄膜晶体管高介电栅介质材料及其制备方法应用

[发明专利]氧化锆陶瓷及其制备方法-CN201710035034.8有效
发明人：韦灵尧;向其军;谭毅成;林勇钊;黎景锋;陈强 -专利权人：深圳市商德先进陶瓷股份有限公司
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：该氧化锆陶瓷的制备方法包括如下步骤：提供浆料，浆料包括钛酸盐与氧化锆，得到浆料，其中，其中，钛酸盐与所述氧化锆的质量比为0.01～0.25:1，钛酸盐选自钛酸锆、钛酸钙、钛酸锶、钛酸铜钙及钛酸锶钡中的至少一种
氧化锆陶瓷及其制备方法

[发明专利]用于SOFC阴极的各向异性的CTE LSM-CN201080063978.2无效
发明人： F·M·玛哈内;Y·纳伦达;H·黄 -专利权人：圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01M8/12 文献下载
摘要：一种固体氧化物燃料电池（SOFC）的各向异性的热膨胀系数（CTE）的阴极是通过将一种钙钛矿粉末层置于两个台板之间，并且在烧结该层的同时对这些台板施加压力而形成的，由此形成了各向异性的CTE阴极。该钙钛矿可以是锰酸镧锶（LSM）。
用于 sofc 阴极各向异性 cte lsm

[发明专利]铌酸钾钠-锆钛酸铋钾/锂系无铅压电陶瓷-CN201310198923.8有效
发明人：肖定全;王卓;肖敏;吴波;吴家刚;朱建国;余萍 -专利权人：四川大学
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿结构环境协调性压电陶瓷领域，特别涉及一种铌酸钾钠-锆钛酸铋钾/锂系无铅压电陶瓷，该无铅压电陶瓷由通式(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xBi0.5M0.5Zr1-yTiyO3表示，式中本发明所述无铅压电陶瓷具有良好的压电和介电性能，所用原料价格相对低廉，不含贵金属或有毒金属原料。
铌酸钾钠锆钛酸铋钾锂系无铅压电陶瓷

[发明专利]一种高介电性能的氧化钛基陶瓷填料及其制备方法-CN202210089819.4有效
发明人：宋锡滨;聂晓江;潘光军;王海超 -专利权人：山东国瓷功能材料股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：本发明提供一种高介电性能的氧化钛基陶瓷填料及其制备方法。所述高介电性能的氧化钛基陶瓷填料以二氧化钛为主体，还包括三氧化二铋和钛酸锶，所述二氧化钛的质量百分比为60～70％，所述三氧化二铋的质量百分比为10～30％，所述钛酸锶的质量百分比为10～30％。本发明通过将二氧化钛、三氧化二铋和钛酸锶三者合理复配，所得氧化钛基陶瓷填料在高频下实现介电常数≥13.5、介电损耗≤5×10‑4、τf介电性能的氧化钛基陶瓷填料。
一种高介电性能氧化陶瓷填料及其制备方法

[发明专利]一种低介电损耗的钛酸铜钐锂钠巨介电陶瓷材料及其制备方法-CN201810710417.5在审
发明人：刘展晴 -专利权人：渭南师范学院
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电损耗的钛酸铜钐锂钠巨介电陶瓷材料及其制备方法。sub>1/2Cu₃Ti₄O₁₂前驱粉体，0.05≤X≤0.20；将前驱粉体球磨、造粒、压片后，在1050℃烧结8小时后得到低介电损耗的>x/2Na_(1‑x)/₂Sm_1/2Cu₃Ti₄O₁₂巨介电陶瓷材料当＝0.015时，本发明钛酸铜钐锂钠巨介电陶瓷材料在10kHz下的介电常数达到了11292，介电损耗达到了0.027，制备方法更优。
巨介电陶瓷材料低介电损耗钛酸铜锂钠制备前驱粉体无水乙醇溶解小时形成凝胶乙醇水溶液介电常数介电损耗烧结陈化混匀凝胶球磨压片预烧造粒

[发明专利]陶瓷电子组件-CN202210780785.3在审
发明人：郑东俊;郑惠眞;王志鹏;朴眞完;金珉会;李种晧;吴相虎 -专利权人：三星电机株式会社;成均馆大学校产学协力团
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：所述陶瓷电子组件，包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述介电层包括主相，所述主相具有由通式ABO3表示的钙钛矿结构，并且包括溶有Dy的区域。在溶有Dy的区域中，溶在所述钙钛矿结构的A位中的Dy含量与溶在所述钙钛矿结构的B位中的Dy含量的原子比大于等于1.6且小于等于2.0。
陶瓷电子组件