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[发明专利]一种热释电柔性复合膜及其制备方法-CN201611218447.1有效
发明人：王进;杨清华;石志勇 -专利权人：清华大学深圳研究生院
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种热释电柔性复合膜，其由钛酸铅单晶纳米线和具有热释电性能的VDF(偏二氟乙烯)的共聚物复合热压而成，其中，所述钛酸铅单晶纳米线占10wt％‑45wt％，余量为所述VDF的共聚物，所述VDF本发明的热释电柔性复合膜可同时满足对高热释电性能和高柔韧性的要求，其热释电探测优值可以高达26.98×10‑6Pa‑1/2
一种热释电柔性复合及其制备方法

[发明专利]一种铌镁酸铅－钛酸铅热释电单晶材料及其应用-CN200410089072.4无效
发明人：罗豪甦;赵祥永;唐艳学;徐海清;贺天厚;林迪 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2004-12-03 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌镁酸铅－钛酸铅(PMNT)热释电单晶材料及其应用，属于热释电单晶领域。该材料组成为(1－x)PMN－xPT，在化学组成x处于0.24－0.38之间和晶体学方向为<111>，<011>和<001>方向时，热释电系数达到了950μC/m²K，电流响应优值达到了而且该PMNT单晶使用温度可以达到80℃，室温性能稳定，易于加工。使用该PMNT单晶作为热－电转换的响应元可以制备成性能优异的热释电探测器，应用于红外探测和成像器件。
一种铌镁酸铅钛酸铅热释电单晶材料及其应用

[发明专利]一种铌锌酸铅-钛酸铅单晶材料及其热释电应用-CN201110417766.6无效
发明人：方必军;潘姗姗;丁建宁;罗豪甦 -专利权人：常州大学
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌锌酸铅-钛酸铅（PZNT）热释电单晶材料及其应用，属于热释电单晶领域。该单晶材料的化学组成为(1-x)Pb(Zn_1/3Nb_2/3)O₃-xPbTiO₃（0<x≤0.20），分别利用异质同构的当化学组成x≤0.20、晶体学方向为<001>、<110>、<111>时，PZNT单晶的热释电系数达到1875≤C/m²·K、电流响应优值达到781.3pmPZNT单晶室温性能稳定，易于加工，作为热释电材料使用时使用温度可以达到100℃。利用PZNT单晶作为热-电转换的响应元可以制备高性能的热释电探测器，在便携式、非制冷红外探测和成像器件方面能够获得应用。
一种铌锌酸铅钛酸铅单晶材料及其热释电应用

[发明专利]一种单晶锆钛酸铅薄膜及其制备和应用-CN202110532288.7有效
发明人：韩高荣;林宸;任召辉;陈嘉璐;周迪逵;曹海文 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶锆钛酸铅薄膜及其制备和应用。该薄膜是在掺铌钛酸锶基底上外延生长的大面积高质量的锆钛酸铅单晶薄膜，具有面积接近cm2级别的宏观尺寸，厚度可达微米级，且在铁电极化方向上锆离子和钛离子比例呈梯度变化该单晶锆钛酸铅薄膜是通过将共沉淀反应和水热反应结合，在远低于居里温度的环境中制备得到的，工艺过程简单、可控，成本低，易于规模化生产，在铁电存储器、热释电传感器和电光探测器等领域具有广泛的潜在应用前景。
一种单晶锆钛酸铅薄膜及其制备应用

[发明专利]一种镍掺杂钛酸铅单晶薄膜及其制备和应用-CN202110532409.8有效
发明人：任召辉;陈嘉璐;林宸;杨倩;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍掺杂钛酸铅单晶薄膜及其制备和应用。该薄膜为表面光滑平整的镍掺杂钛酸铅单晶薄膜，其具有平整的界面，厚度为200nm～3000nm。本发明是以钛酸四正丁酯、硝酸铅、六水合硝酸镍为主要原料，以氢氧化钾为矿化剂，引入共沉淀法，并以掺铌的钛酸锶为基板，在200～220℃下进行水热反应，制备得到镍掺杂钛酸铅单晶薄膜。本发明制得的表面平整光滑的大面积异质外延薄膜，在铁电存储器、热释电传感器、光波导、光探测和电光开关等领域具有广泛的潜在应用前景。本发明方法的工艺过程简单，易于控制，成本低，易于规模化生产。
一种掺杂钛酸铅单晶薄膜及其制备应用

[发明专利]一种单晶钛酸铅薄膜的制备方法-CN201910234845.X在审
发明人：任召辉;武梦姣;陈嘉璐;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶钛酸铅(PbTiO₃)薄膜的制备方法。该方法是以硝酸铅(Pb(NO₃)₂)和钛酸四正丁酯(TBOT)作为主要原料，氢氧化钾(KOH)作为矿化剂，通过调配各项原料物质的量，采用水热法实现了单晶PbTiO这种高质量的钛酸铅薄膜有望在铁电存储器，热释电传感器和通讯领域有广泛的应用前景。
单晶薄膜钛酸铅薄膜制备复合薄膜表面热释电传感器钛酸四正丁酯铁电存储器厚度可控氢氧化钾通讯领域界面处矿化剂水热法硝酸铅钛酸铅平整调配合成应用

[发明专利]铌镁酸铅-钛酸铅二元系高热释电陶瓷材料及其制备工艺-CN200710043899.5无效
发明人：孙大志;朱杰;朱玉丹;张兰兰;钱娟娟 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2007-07-17 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： C04B35/472 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌镁酸铅-钛酸铅二元系高热释电陶瓷材料，所述陶瓷材料是以铌镁酸铅(PMN)-钛酸铅(PT)二元系为基元组成构成的单组分线性热释电陶瓷材料或多组分非线性热释电陶瓷材料，基元组成配方为：xPb本发明的热释电系数比一般传统的热释电陶瓷材料高，热释电陶瓷的介电系数在1000～8000之间可调，适宜与红外焦平面器件匹配。本发明的制备工艺比凝胶注模成型法操作简单，原料处理方便，而且成本低廉。
铌镁酸铅钛酸铅二元高热陶瓷材料及其制备工艺

[发明专利]一种氧化镁改性的锆钛酸铅热释电陶瓷材料及其制备方法-CN201210514211.8无效
发明人：董显林;王军霞;陈学锋;王根水;聂恒昌 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化镁改性的锆钛酸铅热释电陶瓷材料及其制备方法，所述热释电陶瓷材料是以掺铌的锆钛酸铅Pb0.99(ZrxTi1-x)0.98Nb0.02O3为基体，采用氧化镁进行改性的陶瓷材料；具有如下组成通式本发明的MgO改性锆钛酸铅热释电陶瓷材料的FRL-FRH相变温度降低至10～55℃,甚至能够移到室温（20～33℃）；在室温下介电常数和损耗变化小，而且具有较高的热释电性能，可以满足制作高性能单元热释电探测器的性能要求
一种氧化镁改性锆钛酸铅热释电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]铁电半导体/铁磁单晶薄膜异质结及制备方法和应用-CN202210100485.6在审
发明人：任召辉;陈嘉璐;林宸;田鹤;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了铁电半导体/铁磁单晶薄膜异质结及制备方法和应用。该异质结是以生长有单晶镧锶锰氧的钛酸锶单晶基板作为基底，并在镧锶锰氧层外延生长钛酸铅单晶薄膜而形成的钛酸铅/镧锶锰氧单晶薄膜异质结。该异质结中，外延钛酸铅单晶薄膜的表面平整，外延钛酸铅单晶薄膜的内部晶格排列整齐，钛酸铅/镧锶锰氧异质结界面呈原子级平整。本发明异质结通过水热方法制备得到，其具有优异的光伏性能，且在光照条件下电阻受磁场影响显著，可用作无源光电探测器或光控磁电探测设备。本发明异质结在铁电半导体存储器、磁电存储和电光开关等领域也具有广泛的潜在应用前景。
半导体铁磁单晶薄膜异质结制备方法应用

[发明专利]一种钛酸锶钡-钛酸铅热释电陶瓷及其制备方法-CN201110340843.2有效
发明人：张约品;王实现;王冲;夏海平 -专利权人：宁波大学
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锶钡-钛酸铅热释电陶瓷及其制备方法，具体步骤为①按(1-y)Ba1-xSrxTiO3-yPbTiO3化学式比例将硝酸铅、硝酸钡、硝酸锶溶于去离子水中，再加入与金属离子摩尔比为1∶2的柠檬酸得到混合溶液；将钛酸丁酯溶于乙二醇中得到钛酸丁酯溶液；将上述的混合溶液与钛酸丁酯溶液混合搅拌，调节pH值，得到前驱液；将前驱液烘干成凝胶；②将凝胶放入马弗炉内煅烧，合成钛酸锶钡-钛酸铅粉体；③将钛酸锶钡-钛酸铅粉体压制成坯体，铅气氛保护烧结，制得钛酸锶钡-钛酸铅热释电陶瓷，优点在于在BST陶瓷基上掺入适量PT，制成得到性能更好的复合陶瓷铁电驰豫材料，所用方法可以将粉体钙钛矿相的合成温度大幅降低，粉体颗粒尺寸小一个数量级，颗粒分布均匀
一种钛酸锶钡钛酸铅热释电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种制备功能陶瓷材料的方法-CN200710052746.7有效
发明人：谢甜甜;姜胜林;曾亦可;张海波 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： C04B35/632 文献下载
摘要：本发明制备出大尺寸高性能铌锌酸铅－锆钛酸铅压电陶瓷、钛酸锶钡系热释电陶瓷、铌锰酸铅－锑锰酸铅－锆钛酸铅系热释电陶瓷。
一种制备功能陶瓷材料方法

[发明专利]铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜材料及制备与应用-CN202110981620.8有效
发明人：王飞飞;杨嘉倩;段志华;李传青;赵祥永;王涛;唐艳学;石旺舟 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅铁电薄膜材料及其制备与应用，所述铁电薄膜材料包含自下而上依次设置的衬底、导电缓冲层和薄膜层，所述薄膜层为铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅，化学组成为(1‑x‑y)Pb(Sub>2/3)O3‑xPbTiO3，其中，x＝0.20～0.40，y＝0.18～0.60，所述铁电薄膜材料采用溶胶凝胶方法制备与现有技术相比，本发明制备的薄膜具有纯钙钛矿结构，且具有优异的铁电、压电和热释电性能，以及高的居里温度，适用于新型的压电、热释电集成器件。
铌铟酸铅铌镁酸铅铅铁薄膜材料制备应用

[发明专利]一种铁酸铋/钛酸铅单晶异质结的制备方法-CN201611113463.4有效
发明人：韩高荣;李玮;任召辉;李铭;沈烨婷;沈鸽 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开一种铁酸铋/钛酸铅单晶异质结的制备方法。本发明采用二次水热法首次制得了铁酸铋/钛酸铅单晶异质结。该方法采用的是水热反应，以九水合硝酸铁、五水合硝酸铋作为主要原料，氢氧化钾作为矿化剂，钛酸铅纳米片作为铁电基板，室温下强力搅拌，然后将其在高温下进行水热处理，得到铁酸铋/钛酸铅单晶异质结。
钛酸铅单晶铁酸铋异质结制备九水合硝酸铁五水合硝酸铋自旋电子器件规模化生产异质结界面产品形成工艺过程强力搅拌氢氧化钾水热处理水热反应信息存储二次水矿化剂纳米片铁磁性铁电基钛酸铅传感器热法应用

[发明专利]梯度分布铁电相变型铌镁酸铅-钛酸铅陶瓷材料-CN201010278531.9无效
发明人：孙大志;唐艳学;马丽;宫兆泉;金国玺;刘永勤;陈岭娣;吴晓波 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2010-09-10 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于一种铁电材料，梯度分布铁电相变型铌镁酸铅-钛酸铅陶瓷材料。已有铁电材料的缺点是：热释电系数低；凝胶注模法工艺复杂；La2O3稀土原料成本高。制备方法为：碱式MgCO3和Nb2O5反应，制备MgNb2O6；制备铌镁酸铅-钛酸铅粉体；将粉体填入模具，加压成型；烧结；被银后极化制成。本发明的优点是：热释电系数比现有热释电陶瓷材料高100％以上；介电系数在1000-4000之间可调；制备简单，成本低廉。
梯度分布相变型铌镁酸铅钛酸铅陶瓷材料

[发明专利]一种一维四方相钛酸铅单晶纳米纤维/聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法-CN201410055997.0无效
发明人：韩高荣;虞婷婷;任召辉;尹思敏;杨鑫;李翔;徐刚;沈鸽 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种一维四方相钛酸铅单晶纳米纤维/聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法，该方法首先采用高分子辅助水热反应法及高温煅烧法制备出一维四方相钛酸铅单晶纳米纤维，其次将四方相钛酸铅单晶纳米纤维溶于二甲基甲酰胺中将初步制备好的复合薄膜在60-90℃下烘干，得到一维四方相钛酸铅单晶纳米纤维/聚偏氟乙烯复合薄膜。本发明工艺过程简单，易于控制，无污染，成本低，易于大规模生产；制得的一维四方相钛酸铅单晶纳米纤维长径比大，在复合薄膜中分散均匀；制得的一维四方相钛酸铅单晶纳米纤维/聚偏氟乙烯复合薄膜均匀度高，介电性能良好
一种四方相钛酸铅单晶纳米纤维聚偏氟乙烯复合薄膜制备方法

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