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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种Perovskite-MoS2-CN201810723439.5有效
发明人：刘志勇;刘凯凯;段君杰;刘鹏飞;虞登吉 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种Perovskite‑MoS2体异质结的钙钛矿太阳能电池的制备方法，具体过程为：1）PEDOT:PSS空穴传输层制备；2）MoS2缓冲层制备；3）Perovskite‑MoS2体异质结光活化层制备；4）PCBM电子传输层制备；5）Bphen空穴阻挡层制备；6）Ag本发明通过使用Perovskite‑MoS2体异质结结构作为钙钛矿光活性层，不仅可以改善钙钛矿光活性层的形貌，还能调节钙钛矿光活性层与PEDOT:PSS空穴层的能级匹配，同时使用MoS2作为缓冲层，可以有效地促进空穴被PEDOT:PSS的提取传输，从而很大程度上提高了钙钛矿太阳能电池的性能。
一种 perovskite mos base sub

[发明专利]一种原位生成钙钛矿异质结光催化剂、制备方法及应用-CN202210996078.8在审
发明人：盛剑平;雷奔;董帆 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： B01J27/138 文献下载
摘要：本发明属于光催化技术领域，公开了一种原位生成钙钛矿异质结光催化剂、制备方法及应用，原位生成钙钛矿异质结光催化剂以2D层状结构mpg‑C3N4和Cs3Bi2Br9两相构成异质结形式存在；原位生成钙钛矿异质结光催化剂中的:Sub>9以量子点形态存在，具有Cs3Bi2Br9钙钛矿量子点的基本特性本发明提出了一种能够提升光催化活性、改变钙钛矿量子点稳定性、合成操作简便且反应条件温和的两相钙钛矿异质结光催化剂的制备方法，未引进新的物质，克服了目前大多数钙钛矿量子点光催化活性低和稳定性差的问题，能够使得钙钛矿量子点材料具有广泛的应用前景
一种原位生成钙钛矿异质结光催化剂制备方法应用

[发明专利]一种锰掺杂纯无机钙钛矿-Au纳米晶异质结及其制备方法和应用-CN202010599721.4有效
发明人：陈威威;黄义;唐孝生 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明涉及一种锰掺杂纯无机钙钛矿‑Au纳米晶异质结及其制备方法和应用，属于纳米材料技术领域。本发明的锰掺杂纯无机钙钛矿‑Au纳米晶异质结，将球形的Au颗粒直接生长在锰掺杂纯无机钙钛矿形成的纳米晶上形成一种异质结，具有分散性好、结晶性好、光学性能优异的特点，同时还具有较好的光学稳定性，在太阳能电池或光催化等领域具有广泛的应用前景本发明一种锰掺杂纯无机钙钛矿‑Au纳米晶异质结的制备方法，具有制备方法简单、可控等优点，适合工业生产。
一种掺杂无机钙钛矿 au 纳米晶异质结及其制备方法应用

[发明专利]一种PtSe2-CN202011186185.1有效
发明人：张晗;林志滔;张家宜 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供了一种PtSe2/CsPbI3异质结光电探测器，包括硅基底以及设置于所述硅基底上的二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层上设有二硒化铂层，所述二硒化铂层上设有CsPbI3钙钛矿量子点层；所述二硒化铂层上还设有对电极，所述对电极设于CsPbI3钙钛矿量子点层的两侧本发明还提供了PtSe2/CsPbI3异质结光电探测器的制备方法和应用。本发明PtSe2/CsPbI3异质结光电探测器利用二硒化铂的高迁移率弥补钙钛矿量子点光电探测器响应慢的缺陷，同时钙钛矿量子点的高光吸收效率也弥补了二硒化铂光吸收率低的问题，通过将二硒化铂与钙钛矿量子点的互补作用，优化了PtSe2/CsPbI3异质结光电探测器的导电性和光响应特性。
一种 ptse base sub

[发明专利]钙钛矿与有机异质结复合的近红外光电探测器及制备方法-CN202310697433.6在审
发明人：冀婷;张海博;崔艳霞;郭嘉豪;李国辉;石林林;王文艳 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10K30/15 文献下载
摘要：本发明属于近红外快速响应光电探测器技术领域，具体是一种可实现近红外快速响应的钙钛矿与有机异质结复合的近红外的光电探测器及其制备方法，包括依次设置的阳极层，空穴传输层，界面修饰层，二维钙钛矿活性层，有机体异质结活性层，空穴阻挡层，阴极层，所述二维钙钛矿活性层的材料为二维钙钛矿(PEA)2(MA)4Pb5I16，所述有机体异质结活性层(5)的材料为：PTB7‑Th:Y6，所述界面修饰层的材料为Al2O
钙钛矿有机异质结复合红外光电探测器制备方法

[发明专利]一种大面积卤化物钙钛矿单晶异质结及其生长方法与在核辐射探测器中的应用-CN202211116050.7在审
发明人：张国栋;崔富财;华云秋;孙雪;李想;陶绪堂 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种大面积卤化物钙钛矿单晶异质结及其生长方法与在核辐射探测器中的应用。该大面积卤化物钙钛矿单晶异质结的生长方法，包括步骤如下：将经预处理的溴铅铯或溴铋铯衬底置于装有钙钛矿前驱体溶液的试剂瓶中，之后密封；将上述密封的试剂瓶固定在水槽中，通过逆温结晶法或降温结晶法在衬底上进行大面积卤化物钙钛矿单晶薄膜的外延生长，得到大面积卤化物钙钛矿单晶异质结。本发明的方法具有成本低、简单、高效的优点；本发明的钙钛矿单晶异质结探测器在反向偏压下可有效抑制离子迁移引起的暗电流漂移，从而获得高灵敏度、低检测限的探测效果。
一种大面积卤化物钙钛矿单晶异质结及其生长方法核辐射探测器中的应用

[发明专利]一种高效多孔可见光催化分解H2-CN202111265783.2在审
发明人：王民;许金山;余汉涛;白志敏;王昊;姜建波;薛红霞 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司齐鲁分公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：其中所述催化剂为多孔型金属硫化物@钙钛矿氧化物异质结催化剂；其中，所述金属硫化物负载在多孔型钙钛矿氧化物上。该制备方法通过在SiO2模板上形成钙钛矿氧化物，之后将模板去除，得到多孔型钙钛矿氧化物，再将金属硫化物负载在多孔型钙钛矿氧化物上，最终得到多孔型金属硫化物@钙钛矿氧化物异质结催化剂，这有效提升了催化剂与光的接触面积，进而显著提升了异质结催化剂的光催化反应效率。
一种高效多孔可见光催化分解 base sub

[发明专利]一种钙钛矿铜铟镓硒叠层电池遂穿复合层及其制备方法-CN202211535447.X在审
发明人：王奇;李仁龙 -专利权人：泰州锦能光电有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿铜铟镓硒叠层电池遂穿复合层及其制备方法，包括遂穿复合层本体，遂穿复合层本体设置在钙钛矿铜铟镓硒叠层电池的CIGS电池与钙钛矿电池之间；遂穿复合层本体包括依次设置的n型层、第一高阻层、n+型层、低阻层、p型层和界面钝化层，n型层与CIGS电池连接形成PN结，n+型层形成梯度分布的PN结，p型层通过界面钝化层与钙钛矿电池连接成为钙钛矿电池的空穴传输层。本发明在n+型层与p型层之间设置低阻层，防止n+型层与p型层形成反结；在p型层上设置界面钝化层；对n+型层表面进行表面处理，去除表面污染物；整体提升叠层电池的开路电压Voc和填充因子FF，提升叠层电池的整体性能
一种钙钛矿铜铟镓硒叠层电池复合及其制备方法

[发明专利]一种同时提高全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池开路电压和稳定性的方法-CN202111435120.0在审
发明人：姚凯;李庆成;涂彬斌 -专利权人：南昌大学
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：一种同时提高全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池开路电压和稳定性的方法属于太阳能电池技术领域。该太阳能电池由晶硅底电池、微晶硅隧穿复合层和钙钛矿顶电池三部分组成，钙钛矿顶电池的二维/三维钙钛矿体相异质结光吸收层是基于真空辅助两步法制备，第一步通过热蒸发真空沉积设备同时气相沉积碘化铅和溴化铯，形成一层碘化铅和溴化铯混合的无机化合物薄膜胍阳离子的引入可以抑制甲脒基三维钙钛矿薄膜中卤素离子的迁移，基于噻吩类有机铵的二维钙钛矿在晶界处原位的形成，从而实现了高性能全绒面钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的制备。
一种同时提高全绒面钙钛矿晶硅叠层太阳能电池开路电压稳定性方法

[发明专利]一种双异质结钙钛矿光电器件及其制备方法-CN201810466984.0有效
发明人：贾仁需;李欢;汪钰成;庞体强 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种双异质结钙钛矿光电器件及其制备方法，所述制备方法包括：选取Si衬底；在Si衬底的一侧表面沉积金属Al形成下电极；在Si衬底的另一侧表面沉积金属氧化物形成界面缓冲层；在界面缓冲层上沉积CH3NH3PbI3形成光吸收层；在光吸收层上沉积金属Au形成上电极，形成双异质结钙钛矿光电器件该双异质结钙钛矿光电器件依次包括上电极、CH3NH3PbI3光吸收层、界面缓冲层所述双异质结钙钛矿光电器件在Si衬底与CH3NH3PbI3之间包括界面缓冲层，降低Si衬底与CH3NH3PbI3光吸收层之间的能量失配，减少光生电子与光生空穴的复合
一种双异质结钙钛矿光电器件及其制备方法

[发明专利]一种异质结锡基钙钛矿薄膜的制备方法和产品-CN202110713882.6在审
发明人：陈宇晖;曹昆;程阳凤;陈淑芬 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结锡基钙钛矿薄膜的制备方法和产品，包括，配制锡基钙钛矿前驱体混合溶液：分别配制含有A和B不同组分的锡基钙钛矿前驱体溶液，待上述溶液完全溶解后，再将其按照一定的比例混合，得到包含两种不同组分(A/B)的钙钛矿前驱体溶液，称之为钙钛矿前驱体混合溶液；将钙钛矿前驱体混合溶液滴涂在衬底1上，利用一步旋涂法制膜，退火后即得到具有异质结结构的锡基钙钛矿薄膜2。本发明制备的异质结钙钛矿薄膜，能有效提升薄膜的结晶性，且晶粒尺寸更大。该方法简单实用，成本低，易推广，能够有效改善锡基钙钛矿光电器件性能。
一种异质结锡基钙钛矿薄膜制备方法产品

[发明专利]一种晶格匹配的异质结复合薄膜、制备方法及钙钛矿太阳能电池-CN202010545805.X有效
发明人：曾玮;伊海波;薛瑞;黄林生;阮莉敏;王思亮;徐超;梁栋 -专利权人：安徽大学
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶格匹配的异质结复合薄膜、制备方法以及采用该复合薄膜作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池，该复合薄膜含有纳米尺度的Bi烯‑SnO2异质结，制备时采用了旋涂及在空气中退火的工艺结果表明，以该复合薄膜为电子传输层的钙钛矿太阳能电池的能量转换效率为18.12‑19.38％，大于以纯SnO2为电子传输层的钙钛矿太阳能电池。而且以该钙钛矿太阳能电池能在35‑45％的湿度空气中，经过800小时，性能仍然能保持初始性能的80％以上，具有更优的稳定性。
一种晶格匹配异质结复合薄膜制备方法钙钛矿太阳能电池

[发明专利]一种埋栅硅钙钛矿太阳电池及其制备方法-CN201710435893.6在审
发明人：田汉民;苏天宇;戎小营 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明一种电极埋栅式薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，是一种将栅状电极直接接入电子传输层内部的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池。本发明采用电极埋栅结构减少了太阳电池的栅状电极的宽度的同时将电极直接接入到电子传输层的内部，增大其与电子传输层的接触面积，有效的提高了电子收集能力，另一方面大大增加了太阳光照射到电池的面积，提高了现在薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的光电转化效率
异质结太阳电池电子传输层电极钙钛矿晶硅薄膜栅状电极直接接入埋栅制备光电转化效率半导体器件太阳光照射电子收集光能转换埋栅结构硅钙钛矿电池

[发明专利]一种基于钙钛矿-有机半导体异质结的高性能光电晶体管及其制备方法-CN201910149922.1有效
发明人：罗林保;高阳;黄瑞;梁林 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于钙钛矿‑有机半导体异质结的高性能光电晶体管及其制备方法，其是以氧化硅片为衬底，在衬底上从下至上依次设置有钙钛矿‑PCBM体异质结薄膜和DNTT薄膜，在DNTT薄膜上沉积有金电极对；钙钛矿‑PCBM体异质结薄膜与DNTT薄膜形成垂直异质结。
一种基于钙钛矿有机半导体异质结性能光电晶体管及其制备方法

[发明专利]一种原位生成钙钛矿异质结光催化剂及其制备方法-CN202110536379.8有效
发明人：董帆;钟丰忆;盛剑平;孙艳娟;李解元 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： B01J27/135 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位生成钙钛矿异质结光催化剂，该光催化剂由CsPbBr3和CsPb2Br53钙钛矿量子点的3.63倍；同质异质结的成功构建，即保留了纯相CsPbBr3钙钛矿量子点所具有的小尺寸效应和颗粒限域效应，又提高了电子‑空穴的分离效率，增强了钙钛矿量子点材料的活性和稳定性。相对于其他专利所报道的异质结而言，原位生成CsPbBr3/CsPb2Br5钙钛矿异质结光催化剂本发明使得钙钛矿量子点材料具有广泛的应用前景，同时在方法学研究上具有理论意义。
一种原位生成钙钛矿异质结光催化剂及其制备方法

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