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[发明专利]一种钙钛矿双层异质结及其制备方法和应用-CN202210350539.4在审
发明人：王亚飞;邹涛;邹天成 -专利权人：王亚飞;邹涛;邹天成
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿双层异质结及其制备方法和应用，包括：钙钛矿薄膜和钙钛矿衬底；使用溶剂溶解第一钙钛矿，制备钙钛矿溶液；通过气相沉积或气相辅助沉积的方法，将第二钙钛矿制备成钙钛矿衬底；将钙钛矿溶液通过溶液法沉积在第二钙钛矿衬底上，形成钙钛矿薄膜后，制备成钙钛矿双层异质结；钙钛矿薄膜由以范德华键为主要化学构成的由相比较第二钙钛矿包含范德华键至少1.2倍的第一钙钛矿制备而成；钙钛矿衬底由以离子键和/或共价键为主要化学构成的第二钙钛矿制备而成；钙钛矿双层异质结用于制备太阳能电池、光电探测器、发光二极管、发光三极管等，本发明提到的双层异质结提高了光电器件的性能，以及降低了钙钛矿双层异质结的制备成本。
一种钙钛矿双层异质结及其制备方法应用

[发明专利]一种钙钛矿异质结及其制备方法-CN202310199928.6在审
发明人：张伟;邹政;肖梓杰;钟健斌;关伯瑛;刘翠红 -专利权人：广州大学
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明涉及光电器件技术领域，尤其是涉及一种钙钛矿异质结及其制备方法，该钙钛矿异质结包括窄带隙钙钛矿单晶和宽带隙钙钛矿单晶，且宽带隙钙钛矿单晶负载在窄带隙钙钛矿单晶的表面；其中，窄带隙钙钛矿单晶材料的带隙为2.21eV‑2.34eV，宽带隙钙钛矿单晶材料的带隙为2.91eV‑3.29eV。本发明的钙钛矿异质结结构为宽带隙钙钛矿单晶包裹窄带隙钙钛矿单晶，因外层钙钛矿的带隙较宽，其吸光波长范围相比于内层窄带隙钙钛矿更窄，因此仅需选择合适波段的激光激发，便能避免外层钙钛矿信息的干扰而直接获取内层钙钛矿信息同时，因外层钙钛矿可以起到保护内层钙钛矿的作用，可在一定程度上钝化内部钙钛矿的表面缺陷并隔绝工作环境中水蒸气及氧气的影响。
一种钙钛矿异质结及其制备方法

[发明专利]一种光电器件的制备方法及光电器件-CN201910214087.5有效
发明人：金一政;刘杨 -专利权人：浙江大学;纳晶科技股份有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种光电器件，包括：衬底，还包括设置于衬底上方的钙钛矿膜层，钙钛矿膜层包括有机金属卤化物钙钛矿量子点和有机金属卤化物钙钛矿量子阱，钙钛矿量子点和钙钛矿量子阱具有能量偶联关系。该钙钛矿膜层包括钙钛矿量子阱和钙钛矿量子点，钙钛矿量子阱可以将能量转移给钙钛矿量子点，从而实现高效率发光。
一种光电器件制备方法

[发明专利]一种碳基钙钛矿电池及其制备方法-CN202310881658.7在审
发明人：李思齐;刘兴平;苏国良;吴翠姑;王晖;杨昊;薛曾恩;华康达 -专利权人：新特能源股份有限公司;新特硅基新材料有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10K30/15 文献下载
摘要：本发明提供一种碳基钙钛矿电池及其制备方法，所述电池中包括：从下至上依次设置的基底、电子传输层、第一钙钛矿层、第二钙钛矿层、第三钙钛矿层和碳电极；其中，所述第一钙钛矿层为硫氰酸铅掺杂的钙钛矿，所述第二钙钛矿层为卤化物钙钛矿，所述第三钙钛矿层为混合维度钙钛矿，所述混合维度钙钛矿为低维钙钛矿材料与卤化物钙钛矿反应的产物。本发明提供的碳基钙钛矿电池中，利用硫氰酸铅掺杂的钙钛矿提高钙钛矿薄膜的结晶度；利用混合维度钙钛矿强化了第二钙钛矿层与碳电极之间的接触，同时钝化了原本钙钛矿表面存在的缺陷，降低了钙钛矿薄膜表面的缺陷态密度，从而改善了碳基钙钛矿电池的性能。
一种碳基钙钛矿电池及其制备方法

[发明专利]钙钛矿薄膜的制备方法及钙钛矿太阳能电池的制备方法-CN202111446417.7在审
发明人：孙越;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明适用钙钛矿太阳能电池技术领域，提供了一种钙钛矿薄膜的制备方法及钙钛矿太阳能电池的制备方法，钙钛矿薄膜的制备方法包括以下步骤：将钙钛矿前驱液涂敷于基底上，得到钙钛矿湿膜；将所述钙钛矿湿膜放置在含有添加剂、并用于萃取所述钙钛矿前驱液的溶剂的反溶剂中，并同时对所述反溶剂进行超声波处理及加热处理，以使所述钙钛矿湿膜结晶得到钙钛矿薄膜。本发明提供的钙钛矿薄膜的制备方法可以减少钙钛矿薄膜缺陷，提升钙钛矿薄膜的质量，从而提升应用该钙钛矿薄膜的钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。
钙钛矿薄膜制备方法太阳能电池

[发明专利]钙钛矿薄膜的制备方法及钙钛矿太阳能电池的制备方法-CN202111466671.3在审
发明人：孙越;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明适用钙钛矿太阳能电池技术领域，提供了一种钙钛矿薄膜的制备方法及钙钛矿太阳能电池的制备方法，钙钛矿薄膜的制备方法包括以下步骤：将钙钛矿前驱液涂敷于基底上，得到钙钛矿湿膜；将所述钙钛矿湿膜放置在含有添加剂、并用于萃取所述钙钛矿前驱液的溶剂的反溶剂中，并对所述反溶剂进行超声波处理；将处理后的所述钙钛矿湿膜进行退火，以得到钙钛矿薄膜。本发明提供的钙钛矿薄膜的制备方法可以减少钙钛矿薄膜缺陷，提升钙钛矿薄膜的质量，从而提升应用该钙钛矿薄膜的钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。
钙钛矿薄膜制备方法太阳能电池

[发明专利]一种钙钛矿器件的制备方法-CN202211553984.7在审
发明人：毕恩兵;文芳;巴前凯 -专利权人：宣城先进光伏技术有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明提供一种钙钛矿器件的制备方法，包括以下步骤：配制钙钛矿前驱体溶液，所述钙钛矿前驱体溶液中含有添加剂，所述添加剂为双胍盐酸盐；采用所述钙钛矿前驱体溶液形成钙钛矿液膜；对所述钙钛矿液膜进行退火得到固态的钙钛矿膜通过在钙钛矿前驱体溶液中添加双胍盐酸盐，使得形成钙钛矿膜之后，钙钛矿晶界处均匀分布有双胍盐酸盐，不仅抑制了相分离现象，提高了钙钛矿晶体结构的稳定性，还提高了钙钛矿膜的结晶性，增大了钙钛矿晶粒的尺寸，降低钙钛矿膜内的缺陷态密度，从而同时提高了钙钛矿太阳能电池的光电转换性能和稳定性。
一种钙钛矿器件制备方法

[发明专利]一种钙钛矿薄膜制备设备、方法及钙钛矿太阳能电池-CN202111451993.0在审
发明人：孙越;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明适用钙钛矿太阳能电池技术领域，提供了一种钙钛矿薄膜制备设备、方法及钙钛矿太阳能电池，钙钛矿薄膜制备设备包括：钙钛矿涂布装置，用于在基底上涂布钙钛矿前驱体溶液，以在基底上涂布形成钙钛矿湿膜；萃取容器，内装有含添加剂的反溶剂；转移装置，用于将钙钛矿涂布装置涂布形成钙钛矿湿膜的基底转移至萃取容器内，以使钙钛矿湿膜浸泡在含添加剂的反溶剂中；超声波加热装置，用于对萃取容器内的反溶剂进行超声波振动处理及加热处理，以使钙钛矿湿膜结晶得到钙钛矿薄膜。本发明提供的钙钛矿薄膜制备设备可提升制得钙钛矿薄膜的结晶质量，从而提升应用该钙钛矿薄膜的钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。
一种钙钛矿薄膜制备设备方法太阳能电池

[发明专利]一种具有复合结构的钙钛矿太阳能电池及制备方法-CN202211437039.0有效
发明人：史彦涛;董庆顺 -专利权人：无锡众能光储科技有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：一种具有复合结构的钙钛矿太阳能电池及制备方法，该钙钛矿太阳能电池包括依次层叠设置的导电基底层、空穴传输层、复合钙钛矿层、电子传输层和背电极层；其中，复合钙钛矿层为二维钙钛矿和三维钙钛矿的复合结构，二维钙钛矿穿插于三维钙钛矿的晶界处，二维钙钛矿n值为1且层数可控。本发明利用包含长链和短链铵盐的钙钛矿前驱体溶液制备钙钛矿薄膜，该薄膜结构包括三维钙钛矿和二维钙钛矿，二维钙钛矿嵌入三维钙钛矿晶界中，n值为1且层数可调，可有效提升钙钛矿薄膜弹性，消除三维钙钛矿薄膜内部残余应力，提升薄膜机械稳定性，提升钙钛矿太阳能电池长期稳定性和机械稳定性，从而增强钙钛矿太阳能电池的使用可靠性。
一种具有复合结构钙钛矿太阳能电池制备方法

[发明专利]一种钙钛矿墨水及钙钛矿薄膜的制备方法-CN202210098181.0有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：深圳黑晶光电技术有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10K71/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿墨水及钙钛矿薄膜的制备方法，其方法包括：取钙钛矿前驱体、配体溶剂以及载体溶剂混合均匀，制得以上所述的钙钛矿墨水；采用喷墨打印工艺在制备环境下将所述钙钛矿墨水打印至基板上，得到钙钛矿湿膜；在基板上方保持气体流速，使钙钛矿湿膜自然成核，形成钙钛矿预结晶干膜；在退火条件下，使得所述的钙钛矿预结晶干膜结晶固化形成钙钛矿薄膜。本发明通过配置钙钛矿墨水，使得钙钛矿薄膜能通过喷墨打印技术快速成型，并实现了对钙钛矿薄膜的精准控制。
一种钙钛矿墨水薄膜制备方法

[发明专利]一种甲脒基钙钛矿薄膜、钙钛矿电池组件及其制备方法-CN202110109281.4在审
发明人：黄福志;卜童乐;程一兵 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种甲脒基钙钛矿薄膜、钙钛矿电池组件及其制备方法，所述甲脒基钙钛矿薄膜的制备原料包括甲脒基钙钛矿前驱体溶液，所述钙钛矿前驱体溶液包含钙钛矿组分和高施主数溶剂；将所述甲脒基钙钛矿前驱体溶液进行涂布，经干燥、退火处理后得到甲脒基钙钛矿薄膜。本发明的钙钛矿前驱体溶液中含有高施主数溶剂，所述高施主数溶剂与钙钛矿前驱体溶液中的钙钛矿组分按照特定比例进行组合，能够在成膜过程中形成稳定致密的过渡相晶核，并抑制非活性的黄相甲脒基钙钛矿的生成，有利于提高大面积钙钛矿薄膜的质量，从而提高钙钛矿电池组件的光电转化效率。
一种甲脒基钙钛矿薄膜钙钛矿电池组件及其制备方法

[发明专利]钙钛矿薄膜的生产方法及钙钛矿太阳电池的制备方法-CN202010753687.1在审
发明人：徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本申请提供钙钛矿薄膜的生产方法及钙钛矿太阳电池的制备方法，涉及薄膜生产技术领域。钙钛矿薄膜的生产方法包括如下步骤：提供基板；提供钙钛矿溶液；其中，钙钛矿溶液中的溶剂包括N，N‑二甲基甲酰胺和醇形成的混合物；将钙钛矿溶液涂布在基板上，得到钙钛矿液膜；固化钙钛矿液膜，得到钙钛矿薄膜。钙钛矿溶液的表面张力小，与基板形成良好浸润，容易形成均匀的钙钛矿液膜，降低了成膜难度，提高了钙钛矿溶液的利用率，减少了钙钛矿溶液的用量，减少了材料浪费，减少了环境污染。随着成膜难度的降低，使用涂布方式即可生产得到均匀的钙钛矿液膜，利于大面积钙钛矿薄膜的量产。
钙钛矿薄膜生产方法太阳电池制备

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202111382441.9在审
发明人：陈炜;胡晓东;蒋昭毅 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及制备方法，包括钙钛矿光吸收层，所述钙钛矿光吸收层是由钙钛矿薄膜经过退火处理再进行热压处理形成的钙钛矿光吸收层，所述钙钛矿光吸收层的晶粒尺寸为800nm～1000nm；所述制备方法包括制备获得钙钛矿光吸收层的步骤，所述制备获得钙钛矿光吸收层的步骤包括：制备形成钙钛矿薄膜；对所述钙钛矿薄膜进行退火处理；对退火处理后的所述钙钛矿薄膜进行热压处理，获得所述钙钛矿光吸收层。本发明提供的钙钛矿太阳能电池中，经过热压处理的钙钛矿光吸收层具有晶粒尺寸大，晶粒大小均匀，晶粒之间致密性高的优点，能够提高钙钛矿太阳能电池的电性能。
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]钙钛矿薄膜、钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202210214886.4在审
发明人：朱桂;安扬;袁晨辰;陈加坡;陈伟中;田清勇;范斌 -专利权人：昆山协鑫光电材料有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿薄膜、钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所述钙钛矿薄膜的制备方法包括：提供钙钛矿前驱体溶液，所述钙钛矿前驱体溶液包括钙钛矿前驱体、溶剂以及交联剂；将所述钙钛矿前驱体溶液覆设于基底上，移除至少部分溶剂，形成钙钛矿薄膜前体；使所述钙钛矿薄膜前体预加热至80‑120℃；使预加热后的钙钛矿薄膜前体加热至300‑400℃退火，退火时间为5‑15s，以在所述基底上形成钙钛矿薄膜。本发明所制备的钙钛矿薄膜有效提高了钙钛矿的结晶性，减少了晶界，从而提高钙钛矿太阳能电池的效率及稳定性；并且该制备方法能有效缩短钙钛矿薄膜的制备时间，大大提高了生产效率。
钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]钙钛矿薄膜制备方法、钙钛矿薄膜及光电器件-CN202310355020.X在审
发明人：杨晓宇;马莉;卢长军 -专利权人：利亚德光电股份有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿薄膜制备方法、钙钛矿薄膜及光电器件，钙钛矿薄膜制备方法包括以下步骤：提供基底，并在基底上形成第一钙钛矿薄膜；提供具有图案化的第一表面的印章体，并在第一表面上形成第二钙钛矿薄膜，第二钙钛矿薄膜包括第二钙钛矿材料；在预设压力下，将印章体的第二钙钛矿薄膜压印于第一钙钛矿薄膜中，以使第二钙钛矿材料中的离子扩散至所对应的压印位置的第一钙钛矿薄膜中，以在压印位置形成第三钙钛矿材料，第三钙钛矿材料的溶解度大于第一钙钛矿材料的溶解度；利用溶剂去除第三钙钛矿材料，以形成图案化的第一钙钛矿薄膜。
钙钛矿薄膜制备方法光电器件

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