专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于首饰的紫色K及其制备方法-CN201610674912.6有效
  • 金亦丁;金明江 - 金亦丁;金明江
  • 2016-08-16 - 2019-06-07 - C22C1/04
  • 本发明提供一种用于首饰的紫色K的制备方法,其加工工艺为:利用真空感应熔炼技术获得合金,成分配比为纯金:74.0%~78.5%,高纯铝21.5%~26.0%;然后机械研磨成粉体,粉体直径为0.2~100微米;最后将合金粉体与少量粉体混合均匀,使用的粉体材料重量比例为0.3%~2.0%,颗粒尺寸为0.1~50微米;并用真空热压烧结成型,烧结温度为185℃~210℃,压力为0.5MPa~10.0MPa本发明提供的紫色K材料强度和韧性良好,呈现出鲜艳的紫色,可以用于制作彩色首饰。
  • 用于首饰紫色及其制备方法
  • [发明专利]一种高纯度高硬度合金材料及其制备方法-CN201910398023.5有效
  • 刘雄军;李志斌;王辉;吴渊;吕昭平 - 北京科技大学
  • 2019-05-14 - 2021-07-20 - C22C5/02
  • 本发明提供了一种高纯度、高硬度合金及其制备方法,该合金的组分按质量分数表示为:99.00‑99.30%的、0.10‑0.20%的锗、0.05‑0.20%的铟、0.30‑0.55%的钴、0‑0.2%。该合金的制备方法主要为:采用高纯氩气氛真空电弧熔炼的方法,熔炼得到的质量分数不低于99.00%的合金。本发明的优点是:1)高纯度,的质量分数不低于99.00%;2)高硬度,铸态下合金维氏硬度不低于75Hv,是足金的2倍以上;3)工艺简单操作方便,适用于提高不同纯度合金的硬度;4)加入的合金元素价格便宜且对人体无害,在满足市场上对纯度以及硬度要求的基础上,可有效降低加工成本。
  • 一种纯度硬度合金材料及其制备方法
  • [发明专利]一种微型芯片电容及其制造方法-CN202011029235.5有效
  • 刘凯;丁蕾;叶雯燚;陈靖;任卫朋;王立春 - 上海航天电子通讯设备研究所
  • 2020-09-25 - 2023-04-25 - H01L23/64
  • 该芯片电容包括:依次层叠的预制焊料层、预制焊料层、阻挡层、铝硅合金衬底、粘结层、导电层、介质层,电极层。其制造方法包括:S1:提供一铝硅合金衬底并前处理;S2:在所述铝硅合金衬底的第一表面制备阻挡层;在所述铝硅合金衬底的第二表面制备粘结层;S3:在所述阻挡层上镀金,形成预制焊料层;在所述黏结层上镀上导电层;S4:在导电层上溅射介质层、电极层;S5:在所述预制焊料层上通过电沉积,形成预制焊料层;S6:划片得到独立的微型芯片电容。本发明以铝硅合金作为衬底,衬底无需抛光、无需溅射打底层、电容面积大、制作周期短,降低了微型芯片电容的装配难度。
  • 一种微型芯片电容及其制造方法
  • [发明专利]一种纳米多孔@有序多孔镍复合材料及其制备方法和应用-CN201710469237.8在审
  • 柯曦;程乙峰;施志聪;刘军;王乃光 - 广东工业大学
  • 2017-06-20 - 2017-12-08 - C25C5/02
  • 本发明公开了一种纳米多孔@有序多孔镍复合材料的制备方法,该方法包括S1)在导电基底上自组装聚苯乙烯胶态晶体模板;S2)在自组装了聚苯乙烯胶态晶体模板的导电基底上电沉积镍;S3)将电沉积镍后的导电基底进行退火处理去除聚苯乙烯微球模板,得到有序多孔镍;S4)在有序多孔镍上电沉积合金;S5)将电沉积合金的有序多孔镍进行去合金处理,得到纳米多孔@有序多孔镍复合材料。本发明结合模板法、电化学沉积和去合金化法,在纳米多孔镍结构中均匀地生长纳米多孔材料,利用纳米多孔镍大的比表面积,增加了纳米多孔的活性位点,提高了纳米多孔的催化活性,极大地减少了的使用量,降低了制备成本
  • 一种纳米多孔有序复合材料及其制备方法应用
  • [发明专利]一种除铜渣熔炼渣电炉富冶炼方法-CN202210907131.2在审
  • 周笛;陈虎龙;王笑笑 - 安徽华铂再生资源科技有限公司
  • 2022-07-29 - 2022-10-18 - C22B25/02
  • 本发明公开一种除铜渣熔炼渣电炉富冶炼方法,涉及熔炼渣冶炼技术领域。本发明用于解决现有技术中没有通过对多种含渣进行合理调控并进行电极可调节的加热熔炼,实现良好的渣分离,得到含量高的合金的技术问题;通过调控再生铅精炼除铜渣熔炼渣、渣、黄渣和烟灰多种含渣的配比,复配熔炼造渣剂与还原煤粉,熔炼得到含量高的合金,降低了再生铅精炼除铜渣熔炼渣的还原精炼温度,提高了熔炼速率,适合大规模产业化应用;石墨电极随着滑动杆进行水平、竖直方向的移动,实现对熔炼炉内不同位置和深度的加热熔炼,促进金属熔炼腔涌动,实现良好的渣分离效果。
  • 一种熔炼电炉冶炼方法
  • [发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法-CN200410077378.8无效
  • 李刚;潘群峰;吴启保 - 方大集团股份有限公司
  • 2004-12-08 - 2006-06-14 - H01L33/00
  • 本发明涉及一种发光二极管芯片,包括蓝宝石衬底、在所述衬底上外延生长的N型氮化镓和P型氮化镓半导体材料,还包括在所述氮化镓半导体材料上制备的透明导电薄膜,所述透明导电薄膜包括氧化铟层和镍合金层。制备所述发光二极管芯片的步骤包括:1)刻蚀部分暴露N型氮化镓;2)在P型氮化镓上先后蒸镀或溅射镍,然后再进行合金;3)蒸镀或溅射氧化铟层,然后再进行合金;4)蒸镀或溅射PN电极。由于本发明的发光二极管芯片保留了传统的氧化镍与P型氮化镓接触,可以获得较理想的欧姆接触;并且在镍合金上加了一层较厚的氧化铟,有利于电流的横向传输,可以改善电流分布,对于整个发光二极管还可以保持较好的透光率
  • 一种发光二极管芯片及其制备方法
  • [发明专利]合金电镀工艺及合金-CN201510442815.X在审
  • 程才用 - 程才用
  • 2015-07-24 - 2015-11-04 - C25D5/14
  • 本发明涉及一种合金电镀工艺及合金。该合金电镀工艺包括:提供基体;对该基体进行表面除污处理;镀铜或者镀镍形成第一镀层;镀铜形成第二镀层;镀镍形成第三镀层;镀铜锌合金形成第四镀层。该合金包括基体,自基体的表面向外依次设有第一镀层、第二度层、第三镀层及第四镀层,第一镀层为铜层或者镍层,所述第二度层为铜层,所述第三镀层为镍层,第四镀层为铜锌合金层。本发明的合金电镀工艺,工序少,实施方便,通过这四层镀层的组合能够产生时尚、靓丽的玫瑰红色彩的视觉效果,并且通过使用铜锌合金来取代现有的纯金和铜组成的合金,很大程度地节约成本且环保,能够广泛应用于五制品领域本发明的合金能够广泛应用于五制品领域。
  • 合金电镀工艺
  • [实用新型]一种改性电极、LED芯片-CN202020249562.0有效
  • 黄瑄;李俊贤;刘英策;邬新根;周弘毅 - 厦门乾照半导体科技有限公司
  • 2020-03-04 - 2020-09-08 - H01L33/40
  • 本实用新型提供了一种改性电极、LED芯片,通过在所述电流扩展层表面依次堆叠的稳压层和金合金层,从而形成改性电极,能减少电极对LED芯片工作电压的影响。通过将其N型电极和P型电极采用上述的改性电极,并结合芯片内部的扩展电极及绝缘保护层的设计,使N型电极层叠于所述绝缘保护层,并覆盖所述第三通道与所述第一扩展电极形成电连接;使P型电极层叠于所述绝缘保护层在保障LED芯片内量子效率的同时,能减少电极对LED芯片工作电压的影响;并提高电极的粘附性,防止电极与外延叠层剥离,进而延长LED芯片的使用寿命。
  • 一种改性电极led芯片
  • [发明专利]一种无氰Au-Sn合金镀液及其制备方法和应用-CN201610343759.9有效
  • 黄明亮;黄斐斐;刘亚伟 - 大连理工大学
  • 2016-05-19 - 2018-05-04 - C25D3/62
  • 本发明涉及一种无氰Au‑Sn合金镀液及其制备方法,以及利用该无氰Au‑Sn合金镀液进行电镀的方法,属于电镀领域。一种无氰Au‑Sn合金镀液,由下述原料组分制得离子0.01~0.08mol/L,亚离子0.02~0.24mol/L,亚离子络合剂0.12~2.40mol/L,乙内酰脲及其衍生物0.08~1.50mol/L,亚硫酸盐0.06~2.00mol/L,稳定剂0.01~0.30mol/L,亚离子抗氧化剂0.02~0.06mol/L。本发明无氰镀液具有较高的稳定性、镀层成分可控、制备方法简便、易于操作、废液易于回收等特点,室温下镀液可以长期保存(2个月以上),因此有望应用于实际的生产中。
  • 一种ausn合金及其制备方法应用
  • [实用新型]硅基LED路灯光源-CN201420068605.X有效
  • 周锋;华利生 - 江苏新广联光电股份有限公司
  • 2014-02-18 - 2014-09-17 - F21V19/00
  • 本实用新型涉及一种硅基LED路灯光源,包括硅基本体,在硅基本体上设置若干过孔,过孔贯穿硅基本体的上下表面,在过孔中填充银、、铜或合金,在硅基本体的下表面设置光源焊盘;在所述硅基本体的上表面设置引线电极LED芯片连接;在所述硅基本体上表面设置荧光胶,荧光胶覆盖住LED芯片和硅基本体的上表面;其特征是:在所述硅基本体的上表面引线电极以外的区域设置镀银层,在硅基本体上表面与引线电极接触的区域设置镀金层或镀金合金层所述光源焊盘的材质为银、合金。本实用新型所述硅基LED路灯光源可以降低芯片与路灯成品散热基板的热阻,使灯具的散热性能更好,寿命更长。
  • 硅基led路灯光源

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