专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种金属陶瓷复合耐磨材料-CN200920025672.2无效
  • 孙俊生 - 山东大学
  • 2009-05-19 - 2010-02-24 - F16S1/00
  • 本实用新型公开了一种金属陶瓷复合耐磨材料。它解决了现有金属陶瓷复合材料中金属陶瓷的结合强度低、粘接剂易老化、耐磨陶瓷容易脱落、不适于高温工况等问题,具有可使金属陶瓷牢固焊接,从而提高复合材料耐磨性,降低使用成本,满足生产要求等优点。其结构为:它包括基板,所述基板上开设有若干个盲孔,在盲孔内设有与盲孔相匹配的耐磨陶瓷块,耐磨陶瓷块与盲孔焊接连接。
  • 一种金属陶瓷复合耐磨材料
  • [实用新型]场效应晶体管三相桥模块-CN201620823062.7有效
  • 董双福;白添淇;刘继红;闫俊华;李宫怀;吴红;郭志勇 - 阜新市天琪电子有限责任公司
  • 2016-08-02 - 2017-01-18 - H01L25/07
  • 本实用新型属于电力电子元器件,特别涉及一种场效应晶体管三相桥模块,金属陶瓷外壳(1)内腔底部真空焊接装有氮化铝陶瓷基片(2),氮化铝陶瓷基片(2)上面真空焊接装有多个场效应晶体管芯片(3),场效应晶体管芯片(3)与氮化铝陶瓷基片(2)之间、氮化铝陶瓷基片(2)与控制电极c6)之间、氮化铝陶瓷基片(2)与主电极(4)之间均用铝丝(5)连接,主电极(4)表面镀有镀金保护层(10),金属陶瓷外壳(1)与主电极(4)之间装有陶瓷绝缘环(9),金属陶瓷外壳(1)内腔用硅凝胶(7)灌封,金属陶瓷外壳(1)上端面与壳盖(8)之间焊接连接,场效应晶体管三相桥模块结构简单,体积小,散热好,耐三防,模块封装 氮气保护,有效提高产品的可靠性
  • 场效应晶体管三相模块
  • [实用新型]混凝土泵送用耐磨部件及混凝土泵送设备-CN201320515634.1有效
  • 卢尚文;欧耀辉;彭倩筠 - 三一汽车制造有限公司
  • 2013-08-22 - 2014-03-19 - F04B53/00
  • 本实用新型公开了一种混凝土泵送用耐磨部件及混凝土泵送设备;该混凝土泵送用耐磨部件包括本体和耐磨环,耐磨环焊接在本体上,且耐磨环包括Ti(C,N)金属陶瓷层;与现有技术相比,Ti(C,N)金属陶瓷具有高硬度、高耐磨性,而且Ti(C,N)金属陶瓷在与本体焊接过程中能大大减小耐磨环的耐磨面被氧化的可能,可明显提升耐磨环的耐磨面抗冲刷磨损的能力,从而提高了混凝土泵送用耐磨部件的使用寿命;另外,组成Ti(C,N)金属陶瓷的原料丰富,成本较低,降低了混凝土泵送用耐磨部件的使用成本。
  • 混凝土泵耐磨部件设备
  • [实用新型]一种耐高压的金属陶瓷封装外壳-CN201720918484.7有效
  • 张宝财;王迎春;周晓军;史伟伟;赵杰;赵晶 - 济南市半导体元件实验所
  • 2017-07-26 - 2018-04-10 - H01L23/08
  • 本实用新型提供了一种耐高压的金属陶瓷封装外壳,包括金属底板、金属框、金属盖板、若干块铜钼铜片、若干个陶瓷绝缘子以及若干根引线;本申请将陶瓷绝缘子的尺寸在允许的情况下尽可能地做大,来扩大金属之间的绝缘距离;本申请中将导电图形居中靠拢,在导电图形的周边空出较大的边缘距离,以免金属陶瓷封装外壳与导电图形之间发生空气击穿;本申请采用平行缝焊工艺将金属盖板与金属框密封焊接,保证了金属陶瓷封装外壳的气密性;经过实验验证,本申请提供的耐高压的金属陶瓷封装外壳可以在1200V的电压下正常工作,其外壳对地的绝缘耐压为3500V/DC。
  • 一种高压金属陶瓷封装外壳
  • [实用新型]金属陶瓷基复合密封垫片-CN201220032637.5有效
  • 乐贤君 - 岱山县联合汽车配件制造有限公司
  • 2012-02-02 - 2012-09-19 - F02F11/00
  • 本实用新型涉及汽车发动机密封垫片领域,尤其涉及一种金属陶瓷基复合密封垫片,它包括上层金属陶瓷基复合层和下层金属陶瓷基复合层,所述上层金属陶瓷基复合层和下层金属陶瓷基复合层之间复合有带冲刺孔的中心片,通过该中心片将上层金属陶瓷基复合层和下层金属陶瓷基复合层复合在一起金属陶瓷基复合密封垫片是由上下表面的金属陶瓷基板材与冲刺中心片复合后的复合材料,两片金属陶瓷基在冲刺中心片的复合下,它既可以增加了产品柔韧性问题,同时也结束了金属陶瓷基材料不能复合的历史。
  • 金属陶瓷复合密封垫片
  • [发明专利]一种大规格金属陶瓷惰性电极及其制备方法-CN202110473801.X有效
  • 熊慧文;李志友;张雷;周科朝 - 中南大学
  • 2021-04-29 - 2022-12-16 - B22F1/12
  • 本发明公开了一种大规格金属陶瓷惰性电极及其制备方法,所述制备方法为:将原料粉末、分散剂、有机单体,加入有机溶剂中获得混合料,然后于混合料中加入粘接剂,球磨获得金属陶瓷有机浆料,喷雾造粒,获得金属陶瓷复合粉末,成型获得金属陶瓷生坯,再将金属陶瓷生坯置于交联剂蒸汽中,反应,机加工,获得阳极生坯,脱脂、烧结即得大规格金属陶瓷惰性电极。该制备方法获得的金属陶瓷惰性具有如下效果,其中金属陶瓷的两相组织均匀,金属相因润湿性不好的烧结溢出问题得到明显缓解;金属陶瓷压坯经强化后具有较好的强度可满足机加工要求,金属陶瓷的轮廓形貌可为曲面等复杂形态,且金属陶瓷的最大等效外径可在150~400mm的尺寸。
  • 一种规格金属陶瓷惰性电极及其制备方法
  • [实用新型]一种新式真空封装半导体器件-CN202321150792.1有效
  • 胡相荣 - 广东福流半导体有限公司
  • 2023-05-15 - 2023-10-27 - H01L23/02
  • 本实用新型公开了一种新式真空封装半导体器件,其包括封装外壳、半导体晶片及第一、二金属引线,半导体晶片位于封装外壳的密闭腔室内;封装外壳包括金属陶瓷管及第一、二金属盖板电极,第一金属盖板电极通过第一焊接组件密封焊接金属陶瓷管的一端部,第二金属盖板电极通过第二焊接组件密封焊接金属陶瓷管的另一端部;第一金属盖板电极与半导体晶片的一接电端焊接,第二金属盖板电极与半导体晶片的另一接电端焊接;第一金属引线焊接于第一金属盖板电极外表面,第二金属引线焊接于第二金属盖板电极外表面
  • 一种新式真空封装半导体器件
  • [发明专利]组装体-CN201580080123.3有效
  • 中泽辽马;吉留和宏 - TDK株式会社
  • 2015-12-11 - 2019-06-28 - B22F7/08
  • 本发明提供一种具有充分的接合强度的金属构件和金属陶瓷构件的组装体。组装体具有金属陶瓷构件、金属构件和中间层。金属陶瓷构件包含金属陶瓷氧化物相和金属陶瓷金属相。金属陶瓷氧化物相包含含有Ni的氧化物或含有Fe的氧化物。金属陶瓷金属相含有Ni。中间层含有Cu。将从金属陶瓷构件和中间层的界面向金属陶瓷构件侧离开10、50、100、1000μm的点处的金属陶瓷金属相中的Cu的质量比率设为C10、C50、C100、C1000(质量%)。将从界面向金属陶瓷构件侧离开10、100μm的点处的氧化物相中的Cu的质量比率设为M10、M100(质量%),此时,C10>C50>C100>C1000且5>M10‑M100>‑5。
  • 组装

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