专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果1408386个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种多金属矿中低含量铋的选矿方法-CN201210036062.9无效
  • 朱一民;周菁;韦华祖;杨烨逵;朱璐 - 湖南有色金属研究院
  • 2012-02-17 - 2012-07-18 - B03D1/00
  • 本发明公开了一种多金属矿中低含量铋的选矿方法,给料通过磨矿后,添加调整剂、捕收剂、起泡剂进行铋硫混合浮选,经过1次粗选1~8次精选1~4次扫选获得铋硫混合精矿;混合精矿添加调整剂、捕收剂进行铋-硫分离浮选,经过1次分离粗选1~8次精选1~4次扫选获得铋精矿及硫精矿;铋精矿添加调整剂、捕收剂进行-铋分离浮选,铋分离经过1次粗选1~8次精选1~4次扫选获得精矿及铋精矿。该工艺技术可使多金属矿中有价矿物、铋得到有效综合回收,并且不需添加有毒氰化钠药剂,降低环镜污染,同时简化老的生产工艺,提高资源综合利用率。
  • 一种金属矿中低含量选矿方法
  • [发明专利]一种制备大面积高性能n型二维碲化场效应晶体管阵列的方法-CN202111361183.6在审
  • 戴伦;程智轩;贾雄辉 - 北京大学
  • 2021-11-17 - 2022-03-11 - H01L21/34
  • 本发明公开了一种制备大面积高性能n型二维碲化场效应晶体管阵列的方法。该方法先在衬底上生长半导体相碲化薄膜,再图案化半导体相碲化薄膜并生长钨薄膜,得到金属钨和半导体相碲化相间的薄膜,继而通过化学气相沉积法使钨薄膜变为半金属相碲化钨薄膜;再次图案化后得到分立的以半导体相碲化为沟道、以半金属相碲化钨为电极的器件阵列;最后通过原子层沉积氧化铪薄膜对器件实现n型掺杂,并制备图案化的顶栅金属电极,获得大面积高性能n型二维碲化场效应晶体管阵列。该方法对二维碲化n型掺杂效果理想,掺杂程度可调,同时所制备的器件源漏电极接触电阻低,提高了器件性能,为二维半导体材料在集成电路等领域的应用提供了基础。
  • 一种制备大面积性能二维碲化钼场效应晶体管阵列方法
  • [发明专利]一种镧和铜共掺杂的镍析氢电极及其制备方法和应用-CN202310334038.1在审
  • 程义;陈丽芳;蒋淋颖;郑和成 - 湖南中驰氢能科技有限公司
  • 2023-03-31 - 2023-07-14 - C25B11/089
  • 本发明提供镧和铜共掺杂的镍析氢电极的制备方法,包括:将可溶性镍盐、可溶性盐、可溶性镧盐、可溶性铜盐、柠檬酸或柠檬酸盐溶于水,并将pH值调节至7‑10,配制镀液;以泡沫金属为基体,以石墨棒为阳极,在电镀液中进行电沉积通过在镍基体引入铜,能降低电极的电阻,改变镍镀层的微观结构和表面形貌,且使得泡沫金属表面活性材料颗粒增多,进而提高电极析氢性能;通过掺杂镧,由于镧的4f电子轨道可与过渡金属3d电子轨道结合,且镧与过渡金属结合能够有效地调节材料的电子和晶体结构;另一方面具有较大半径的镧元素可填充在镍晶体的缺陷处,使镍合金发生晶格膨胀,引起电荷不平衡,进一步改善电极催化性能。
  • 一种掺杂镍钼析氢电极及其制备方法应用
  • [实用新型]一种燃油泵外壳内腔耐腐蚀储油设备-CN202020817978.8有效
  • 赵诗篇 - 瑞安市万润汽摩配有限公司
  • 2020-05-15 - 2021-02-26 - F02M37/00
  • 本实用新型公开了一种燃油泵外壳内腔耐腐蚀储油设备,包括本体,所述本体的内腔通过电镀工艺连接有耐腐蚀金属层,所述耐腐蚀金属层的表面通过电镀工艺连接有哈氏合金金属涂料层,所述哈氏合金金属涂料层的表面且远离耐腐蚀金属层的一侧通过电镀工艺连接有镍合金金属涂料层本实用新型通过哈氏合金金属涂料层的表面且远离耐腐蚀金属层的一侧通过电镀工艺连接有镍合金金属涂料层,镍合金金属涂料层的表面且远离哈氏合金金属涂料层的一侧通过电镀工艺连接有过氯乙烯漆层,过氯乙烯漆层的表面且远离镍合金金属涂料层的一侧通过电镀工艺连接有环氧
  • 一种燃油外壳内腔耐腐蚀储油设备
  • [发明专利]一种陶瓷气体放电管用干压瓷管的金属化烧结方法-CN201510735481.5有效
  • 林迎政 - 孝感正华电真空材料有限责任公司
  • 2015-11-03 - 2018-12-28 - C04B41/88
  • 本发明涉及一种陶瓷气体放电管用干压瓷管的金属化烧结方法,包括a将金属化膏剂涂敷在瓷管表面,将瓷管摆放至表面经刻划或粘沙处理的板上;b将摆好瓷管的板逐层码放在舟内,相邻两个板间用高度大于瓷管高度的白瓷支撑;c将专用氢气保护炉温度设置为1350‑1500℃,湿氢桶温度设置为为30‑50℃,氢气流量设置为0.5‑1M3/h,将舟放入其中烧结;d烧结完成后取出。本发明提供的陶瓷气体放电管用干压瓷管金属化烧结方法克服了传统金属化工艺存在的不足,具有金属化质量好、金属化层与陶瓷粘结良好等优点,在强度测试时都是端面附近陶瓷发生断裂,采用该瓷管生产的陶瓷气体放电管漏气率低
  • 一种陶瓷气体放电管用干压瓷管金属化烧结方法
  • [发明专利]一种片状半金属MoTe2-CN201910935641.9有效
  • 贺海燕;贺祯;沈清 - 陕西科技大学
  • 2019-09-29 - 2022-04-19 - C25B11/075
  • 本发明公开了一种片状半金属MoTe2:Cu和片状半金属MoTe2:Cu/RGO的制备方法,将碲粉和硼氢酸钾加入到去离子水中并置于密封环境反应,得Te2‑前驱体水溶液;将仲钼酸铵和醋酸铜加入到10ml溶剂中溶解后加入柠檬酸,得离子源前驱体溶液;将Te2‑前驱体水溶液和离子源前驱体溶液置入反应釜中室温下保持后梯度升温至155~165℃水热反应,冷却至室温,过滤并对过滤物清洗后干燥,得Cu离子掺杂的片状半金属二碲化和Cu离子掺杂的片状半金属二碲化与石墨烯的复合物。其能够直接生产半金属结构的金属二碲化且其制备工艺简单。
  • 一种片状金属motebasesub
  • [实用新型]采用压紧连接结构的高温烧结炉U形金属钨发热体-CN202021467301.2有效
  • 柳天聪;田国华;胡毅淼 - 沈阳拓普新材料有限公司
  • 2020-07-22 - 2021-03-19 - F27D11/02
  • 采用压紧连接结构的高温烧结炉U形金属钨发热体,属于加热炉技术领域,克服了现有U形金属钨发热体采用钨棒夹持,经焊接成为一体,使用时经常发生在焊接位置开裂的情况,严重影响生产的连续性,增加了高温烧结炉的维护成本的问题,特征是每2个相邻的U形金属钨发热体之间通过前后2个压板的圆弧凹槽夹持,在压板加工的左右2个螺柱安装孔中安装有双头螺柱,在双头螺柱的前后两端分别用螺母锁紧,有益效果是,解决了U形金属钨发热体焊接连接结构容易造成焊接位置强度不足的问题,提高了U形金属钨发热体的使用周期和寿命,延长了U形金属钨发热体的维修周期,降低了高温烧结炉的维修及维护成本,提高了生产效率。
  • 采用压紧连接结构高温烧结炉金属发热

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top