专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种LED芯片电极及其制造方法-CN201610156747.5在审
  • 李庆;刘撰;陈立人 - 聚灿光电科技股份有限公司
  • 2016-03-18 - 2016-05-18 - H01L33/40
  • 本发明公开了一种LED芯片电极及其制造方法,所述电极包括第一金属粘附、设于第一金属粘附上的第二金属粘附、设于第二金属粘附上的金属保护、以及设于金属保护上的金属打线,所述第二金属粘附的材料为金属Cr,金属保护的材料为金属Ti,第二金属粘附金属保护熔合形成Cr-Ti接触电阻。本发明在电极中形成材料为Ti的金属保护,电极中的第二金属粘附金属保护能够熔合形成Cr-Ti接触电阻,有效提高了LED芯片的横向扩展能力,提高了LED芯片的发光亮度。
  • 一种led芯片电极及其制造方法
  • [发明专利]金属互连结构的形成方法-CN202211203122.1在审
  • 范思苓;倪立华;蔡毅;许隽;吴坚;周军 - 华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-09-29 - 2022-12-27 - H01L21/768
  • 本申请公开了一种金属互连结构的形成方法,包括:在第一介质上形成第二介质,第一介质中形成有第一金属连线;在第二介质中形成通孔,通孔底部的第一金属连线暴露;形成粘附粘附包括钛;在粘附表面形成氮化钛;在氮化钛表面形成阻挡;在阻挡表面形成第一金属,第一金属与第一金属连线的构成材料不同;进行平坦化,去除通孔外的粘附、氮化钛、阻挡和第一金属,通孔内的粘附粘附表面的氮化钛、阻挡和第一金属形成接触孔本申请通过在接触孔最外侧的粘附形成后,在粘附表面形成氮化钛,因此能够阻挡后续工艺中的氯元素穿透粘附与其下方的第一金属连线发生反应。
  • 金属互连结构形成方法
  • [发明专利]一种柔性电极及其制备方法-CN201911285531.9有效
  • 吴天准;黄兆岭;曾齐 - 深圳先进技术研究院
  • 2019-12-13 - 2023-06-06 - B81B7/02
  • 本发明提供了一种柔性电极,包括柔性基底层以及依次层叠设置在所述柔性基底层表面的聚多巴胺粘附金属电极,其中,所述聚多巴胺粘附具有三维多孔网格结构,所述金属电极金属纳米线交叉而成,所述聚多巴胺粘附与羟基化的所述柔性基底层通过共价键连接,在所述聚多巴胺粘附与所述金属电极的界面处,所述聚多巴胺粘附螯合有金属原子。金属电极与柔性基底层的粘附力大,交叉的金属纳米线和多巴胺粘附的多孔网格结构在很大程度上降低了所述柔性电极的电阻抗,还提高了其拉伸功能。本发明还提供了一种柔性电极的制备方法,该制备方法简单易操作。
  • 一种柔性电极及其制备方法
  • [发明专利]接触孔结构的制作方法及半导体器件-CN201410785409.9在审
  • 周真;徐俊;吕乐 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-12-16 - 2016-07-13 - H01L21/768
  • 该制作方法包括以下步骤:在半导体基体上形成接触孔,并在位于接触孔内的半导体基体上形成金属硅化物;在金属硅化物上以及接触孔的内壁上形成粘附金属;执行氮等离子体处理,以在粘附金属中形成金属氮化物;在金属氮化物上形成扩散阻挡该制作方法通过执行氮等离子体处理以在粘附金属中形成金属氮化物,减少了所形成的粘附金属的厚度,从而减少了粘附金属金属硅化物的反应,并减少了由于粘附金属金属硅化物反应导致的金属硅化物中硅的损失,进而提高了金属硅化物的电阻率,并进一步降低了所形成半导体器件的失效率。
  • 接触结构制作方法半导体器件
  • [发明专利]防止金属剥离的工艺方法-CN202211129335.4在审
  • 陆文杰;祝友鹏;钟飞 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-09-16 - 2023-01-03 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种防止金属剥离的工艺方法,包括:步骤一、对晶圆进行脱气工艺。步骤二、将晶圆降温到第一温度以下,将降温后的晶圆移动到离子注入腔中并采用离子注入工艺形成粘附,通过第一温度调节粘附和半导体衬底之间的粘附力。步骤三、形成阻挡。步骤四、形成金属。步骤五、采用化学机械研磨工艺对金属进行平坦化,粘附力大于化学机械研磨工艺产生的压力。本发明能提高金属和半导体衬底之间的粘附力且保证粘附最弱位置处的粘附力大于金属的化学机械研磨工艺产生的压力,从而能防止参数金属剥离并提高产品良率。
  • 防止金属剥离工艺方法
  • [发明专利]有机发光显示装置及其制造方法-CN201610415681.7有效
  • 金贞娟 - 乐金显示有限公司
  • 2016-05-31 - 2020-08-28 - H01L27/32
  • 提供了一种包括具有网络结构的粘附膜的OLED装置及其制造方法。该OLED装置包括:保护,该保护覆盖基板上的有机发光元件;金属,该金属层位于所述保护上;以及粘附膜,该粘附膜位于所述金属和所述保护之间,以将所述金属附接到所述保护。所述粘附膜包括由具有网络结构的第一聚合物构成的第一粘附、以及由水分吸收剂和具有网络结构的第二聚合物构成的第二粘附。所述第一聚合物的网络结构与所述第二聚合物的网络结构在所述第一粘附和所述第二粘附之间的界面处结合。
  • 有机发光显示装置及其制造方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201310064743.0有效
  • 周鸣 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2013-02-28 - 2017-03-29 - H01L21/768
  • 其中,所述半导体结构包括半导体衬底;位于所述半导体衬底上的间介质;位于所述间介质中的金属;位于所述金属上的粘附;位于所述间介质粘附上的阻挡;其中,与所述金属接触的粘附的表面包含导电材料,与所述阻挡接触的粘附的表面包含绝缘材料。本发明提高了半导体结构中金属与阻挡之间的粘附性,避免金属与阻挡之间发生脱,进而提高所形成半导体结构的成品率和电学性能。
  • 半导体结构及其形成方法

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