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[发明专利]一种硫化铋-过渡金属碳化物纳米材料、制备方法及应用-CN202011074463.4有效
发明人：吴水林;李建房;刘想梅;崔振铎;杨贤金 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫化铋‑过渡金属碳化物纳米材料，所述硫化铋‑过渡金属碳化物纳米材料包括过渡金属碳化物及硫化铋；所述过渡金属碳化物为层状纳米结构或片状纳米结构，所述硫化铋为棒状纳米结构；所述硫化铋中的铋离子与所述过渡金属碳化物之间通过静电力吸附结合，所述硫化铋与过渡金属碳化物之间形成异质界面；所述过渡金属碳化物为碳化钛、碳化铌、碳化钒、碳化钽或碳化钼。本发明还公开了该纳米材料制备方法，包含步骤一，过渡金属碳化物制备；步骤二，制备硫化铋‑过渡金属碳化物纳米材料。还提供一种硫化铋‑过渡金属碳化物纳米材料在抗菌、杀菌材料中的应用。
一种硫化过渡金属碳化物纳米材料制备方法应用

[实用新型]一种硼掺杂金刚石电极-CN202020330028.2有效
发明人：王玲 -专利权人：吕梁学院
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C02F1/461 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硼掺杂金刚石电极，涉及新型电极材料领域，包括基层，所述基层的外表面设置有硼掺杂金刚石薄膜层，所述基层由第一被碳化金属层、第二被碳化金属层、第三被碳化金属层和第四被碳化金属层组成，所述第二被碳化金属层设置在第一被碳化金属层的外表面，所述第三被碳化金属层设置在第二被碳化金属层的外表面。本实用新型通过设置第一被碳化金属层、第二被碳化金属层、第三被碳化金属层和第四被碳化金属层，基层由多层被碳化金属材料组成，增强了金刚石与基层的附着力，使得结构更稳定，通过设置圆柱状的基层、凸起和修复层，大大增强了电极的比表面积
一种掺杂金刚石电极

[发明专利]一种含金属类导电物质高容量锂离子电池-CN201110252488.3有效
发明人：张潘毅;张贵萍 -专利权人：张潘毅;潘杰民
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本发明公开了一种含金属类导电物质高容量锂离子电池，包括正极片、负极片、隔膜、电解液、粘合剂和密封材质，所述正极片的导电物质含有金属碳化物、金属硼化物或金属氮化物，所述负极片的导电物质含有金属碳化物、金属硼化物或金属氮化物；所述金属碳化物为碳氮化钛、碳化钨或碳化钛，碳化钒，碳化钽，碳化钨与碳化钛的共熔体，所述金属硼化物为硼化钼、硼化钨或硼化钒，所述金属氮化物为氮化钛、氮化钨或氮化钽。所述正极片的导电物质还可以为含有粉状金属，所述负极片的导电物质含有粉状金属；所述粉状金属为镍粉、铜粉或铬粉。
一种金属导电物质容量锂离子电池

[发明专利]石墨‑金属导热复合材料及其制备方法-CN201410215665.4有效
发明人：马洪兵;白华;江南;李进;王栋;邹煌辉;杨科;褚伍波 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： B22F7/02 文献下载
摘要：本发明涉及石墨‑金属复合材料及其制备方法。具体地，本发明提供了一种石墨‑金属复合材料及其制备方法，所述石墨‑金属复合材料包括金属基体和分布于所述金属基体内部和/或表面的石墨复合体；所述石墨复合体包括石墨颗粒、碳化物层和碳化物形成元素层，其中，所述碳化物层结合于所述石墨粉颗粒表面，所述碳化物形成元素层结合于碳化物层表面；所述碳化物形成元素选自下组B、Si、Cr、W、Mo；所述碳化物选自下组碳化硼、碳化硅、碳化钨、碳化铬、碳化钼；所述石墨复合体通过碳化物形成元素层与所述金属基体结合
石墨金属导热复合材料及其制备方法

[发明专利]一种金属-金属碳化物包覆碳颗粒的复合粉末及其制备方法-CN201910034405.X有效
发明人：肖鹏;方华婵 -专利权人：中南大学
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属‑金属碳化物包覆碳颗粒的复合粉末及其制备方法，属于金属粉末技术领域。所述金属‑金属碳化物包覆碳颗粒包括金属层、金属碳化物层、碳颗粒组成；所述金属碳化物层包覆在碳颗粒表面；所述金属层包覆在金属碳化物层表面；所述复合粉末以超细碳颗粒和基体金属粉末为原料，过机械力，使得超细碳颗粒贯穿和/或镶嵌于基体金属粉末中；然后通过原位碳化得到金属碳化物层其制备方法为：先通过将脱胶处理的短碳纤维与金属粉末机械球磨得到超细碳颗粒大量均匀嵌入的金属粉末，之后分离并通过高温退火，使碳颗粒与周围金属发生固相反应，得到碳颗粒表面均匀包覆金属碳化物的金属‑碳颗粒复合粉末。
一种金属碳化物包覆碳颗粒复合粉末及其制备方法

[发明专利]一种埃米尺度碳化物及其制备方法-CN201510234061.9在审
发明人：闫早学;谢吉民;张美萍;章明美;高丽娜 -专利权人：江苏大学
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： B01J27/22 文献下载
摘要：本发明属于材料领域，具体公开了一种埃米级过渡金属碳化物及其制备方法，通过如下技术方案实现：首将过渡金属前驱体配制成溶液，然后加入离子交换树脂作为碳源，混合搅拌，再将固、液两相分离，收集固相，最后将固相干燥、焙烧即得到埃米级过渡金属碳化物。这种过渡金属碳化物以碳为基体，包含碳化钨，碳化钼，碳化锌，碳化铬，碳化镍、碳化铁，碳化钴、碳化钛中的一种或多种成分。
一种米尺碳化物及其制备方法

[实用新型]带有碳化钨表层的金属工件-CN200720186907.7无效
发明人：陈建国 -专利权人：陈建国
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有碳化钨表层的金属工件，属于一种带有高硬度、高耐磨、耐高温表层材料的金属工件。结构是在其断面上分为碳化钨层、金属与碳化钨接合相的熔融层、金属层。工件的碳化钨表层可以是平面或者是曲面；是工作面的全部表面或者是局部表面；是单层碳化钨与金属工件接合或者是碳化钨与金属相间的多层接合。这种带有碳化钨表层的金属工件其碳化钨表层与金属接合强度高，可以适应不同的工件表面形状，使用范围广泛，成本大大降低。
带有碳化表层金属工件

[发明专利]碳化硅-金属复合翅片式换热管及其制备方法-CN201810338570.X在审
发明人：陈剑雄 -专利权人：陈剑雄
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： F28F1/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅‑金属复合翅片式换热管，包括碳化硅管、粘合层和金属管，金属管套于碳化硅管的外侧，粘合层置于金属管和碳化硅管之间，粘合层为金属层或合金层，金属管的外侧设置翅片。本发明的碳化硅‑金属复合翅片式换热管在金属管和碳化硅管之间设置包含金属或合金的粘合层，用导热性和耐热性优良的金属或合金作为粘合层填充了金属管和碳化硅管之间的空气层，并把碳化硅管和金属管粘合成为一个复合的整体，可以填补碳化硅管外表面的凹凸不平，使碳化硅管、金属管与粘结层之间实现了连续性的面接触，克服了碳化硅管和金属管间因点接触而传热效率低的缺点，强化了传热效果，解决了换热管内的热酸液与外部气体间换热效率低的问题
碳化硅管金属管粘合层翅片式换热管金属复合碳化硅合金导热性耐热性凹凸不平金属传热效果传热效率金属管套外部气体外侧设置热效率点接触合金层换热管金属层空气层面接触粘结层粘合翅片热酸制备填充复合填补

[发明专利]一种碳化硅基半导体器件的制备方法-CN202210245817.X有效
发明人：何佳;张长沙 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅基半导体器件的制备方法，包括：取一碳化硅外延片；在碳化硅外延片表面刻蚀出碳化硅沟槽；在碳化硅外延片上生长一层屏蔽电场介质层；整片刻蚀，只保留侧壁部分，最终形成所需的屏蔽电场介质层；清洗碳化硅外延片，然后淀积肖特基金属，最终形成只在碳化硅沟槽内部的肖特基金属一，快速退火，使肖特基金属一与碳化硅沟槽底部的碳化硅形成肖特基接触；在碳化硅外延片正面涂胶保护，背面淀积金属，与碳化硅外延片形成欧姆接触金属；清洗碳化硅外延片，然后在碳化硅外延片表面淀积肖特基金属，形成肖特基接触金属二，快速退火，与碳化硅外延片表面形成肖特基接触；在反向时，可以有效的屏蔽电场，提高器件的可靠性。
一种碳化硅半导体器件制备方法

[发明专利]一种碳化物负载金属催化剂的制备方法及应用-CN202210690541.6在审
发明人：程年才;王延东 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-06-18 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C25B11/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化物负载金属催化剂的制备方法及应用，具体步骤包括：先制备得到金属碳化物，随后将金属颗粒负载在金属碳化物表面，制备得到碳化物负载金属催化剂。本发明制备得到的碳化物负载金属颗粒催化剂，由于金属与碳化物之间的电负性差异，导致两者之间发生电子转移，调节了碳化物本身的电子结构，使其表面的氢吸附过程得到优化，激活了碳化物本征性能，从而具有优异的析氢催化性能
一种碳化物负载金属催化剂制备方法应用

[发明专利]一种金属复合碳化硅陶瓷叶轮及其制造方法-CN202110868446.6有效
发明人：黄涛;李秋南;姜晓灵;刘凯;许斌;陈敬;王为民;季伟;王惠民;童捷;姜红霞;李再勇;阳白梅;张升玥;赵涛 -专利权人：汉江弘源襄阳碳化硅特种陶瓷有限责任公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： F04D29/02 文献下载
摘要：本发明涉及渣浆泵技术领域，公开了一种金属复合碳化硅陶瓷叶轮及其制造方法，包括碳化硅陶瓷和浇注在碳化硅陶瓷内部的金属骨架，碳化硅陶瓷包括前盖板、陶瓷叶片和后盖板，陶瓷叶片夹设在前盖板和后盖板之间，金属骨架与碳化硅陶瓷之间设置有耐高温缓冲层，耐高温缓冲层和碳化硅陶瓷内填充有有机无机复合填充剂。本发明具有以下优点和效果：金属复合碳化硅陶瓷叶轮由碳化硅陶瓷和浇注在碳化硅陶瓷内的金属骨架制成，在制备碳化硅陶瓷件时，在陶瓷件中心预留型腔，然后向预留型腔内浇注金属骨架，成型后的金属骨架与碳化硅陶瓷件贴合紧密，且无需铸造金属骨架，简化了工艺流程。
一种金属复合碳化硅陶瓷叶轮及其制造方法

[发明专利]金属碳化物－第Ⅷ族金属的粉末及其制备-CN97196184.0无效
发明人： S·D·顿米德;M·J·罗马诺斯基 -专利权人： OMG美国公司
申请日： 1997-06-04 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：一种过渡金属碳化物-第VIII族金属的粉末，包括一种过渡金属碳化物和第VIII族金属的分散的颗粒，其中：基本所有的颗粒的尺寸为最大0.4微米；过渡金属碳化物选自钨、钛、钽、钼、锆、铪、钒、铌、铬及其混合物和固溶体中的碳化物；第VIII族金属选自铁、钴、镍及其混合物和固溶体。所说的粉末通过下列方法生产，即把包括一种最终碳源(例如乙炔黑)、一种第VIII族金属源(如Co₃O₄)和一种颗粒前驱体的混合物加热到1173K～1773K的温度，加热时间足以形成一种过渡金属碳化物-第VIII族金属的粉末，其中，在形成过渡金属碳化物-第VIII族金属的粉末的过渡金属碳化物的过程中，碳化物前驱体的至少25wt％被碳化。颗粒前驱体一般含有小于2.5wt％的氧，并含有进行碳化以形成过渡金属碳化物(如WC)-第VIII族金属粉末的化合物，如过渡金属(例如W)、低价过渡金属碳化物(W₂C)等。
金属碳化物粉末及其制备

[发明专利]碳化硅半导体装置的制造方法以及碳化硅半导体装置-CN201580007867.2有效
发明人：福田祐介;渡部善之;中村俊一 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种碳化硅半导体装置的制造方法，依次包含：研磨工序，通过从第二主面114侧对碳化硅半导体基体110进行研磨，从而在所第二主面形成凹凸；金属薄膜形成工序，在碳化硅半导体基体的第二主面上，形成由可形成金属碳化物的金属构成的金属薄膜118；激光照射工序，通过对金属薄膜进行可见区域或红外区域的激光照射将金属薄膜加热，从而在碳化硅半导体基体与金属薄膜的境界面形成金属碳化物120；蚀刻工序，将有可能形成在所述金属碳化物的表面侧的含金属副生成物层122利用非氧化性药液蚀刻去除，从而使所述金属碳化物露出于表面；以及电极形成工序，在金属碳化物上形成阴电极126。本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，是一种不存在碳析出问题，并且能够以低成本制造具有良好电阻特性以及粘着特性的欧姆电极的碳化硅半导体装置的制造方法。
碳化硅半导体装置制造方法以及

[发明专利]一种沟槽碳化硅MPS二极管结构及制备方法-CN202210504538.0在审
发明人：孟繁新;陆超;袁强;贺晓金;王海锐;王博;余文兴;张浩宇;何静 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽碳化硅MPS二极管结构及制备方法，包括：碳化硅欧姆接触金属，碳化硅欧姆接触金属位于P+沟槽区上，碳化硅欧姆接触金属与沟槽配合；碳化硅肖特基接触金属，碳化硅肖特基接触金属位于碳化硅外延层及碳化硅欧姆接触金属上方并沟槽配合；碳化硅肖特基接触金属与碳化硅外延层界面肖特基接触区的沟槽配合结构能够有效增大肖特基接触区的面积，从而有效进一步降低器件的正向导通压降，增大器件的电流密度；而P+沟槽区与碳化硅欧姆接触金属界面欧姆接触区的沟槽沟槽配合结构增加了欧姆接触区域的面积
一种沟槽碳化硅 mps 二极管结构制备方法

[实用新型]一种沟槽碳化硅MPS二极管结构-CN202221108279.1有效
发明人：孟繁新;陆超;袁强;贺晓金;王海锐;王博;余文兴;张浩宇;何静 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沟槽碳化硅MPS二极管结构，包括：碳化硅欧姆接触金属，碳化硅欧姆接触金属位于P+沟槽区上，碳化硅欧姆接触金属与沟槽配合；碳化硅肖特基接触金属，碳化硅肖特基接触金属位于碳化硅外延层及碳化硅欧姆接触金属上方并沟槽配合；碳化硅肖特基接触金属与碳化硅外延层界面肖特基接触区的沟槽配合结构能够有效增大肖特基接触区的面积，从而有效进一步降低器件的正向导通压降，增大器件的电流密度；而P+沟槽区与碳化硅欧姆接触金属界面欧姆接触区的沟槽沟槽配合结构增加了欧姆接触区域的面积
一种沟槽碳化硅 mps 二极管结构

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