“碳化硅管”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3452416个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[外观设计]碳化硅管-CN202130011358.5有效
发明人：柴晓明;鞠晓 -专利权人：潍坊中加碳化硅科技有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： 23-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：碳化硅管。2.本外观设计产品的用途：用于盛装腐蚀性流体的管。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
碳化硅

[实用新型]一种换热管-CN201220477503.4有效
发明人：王家邦;吉国青;郭森;安霓虹 -专利权人：王家邦;吉国青;郭森;安霓虹
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： F28F1/08 文献下载
摘要：本实用新型适用于换热设备技术领域，提供了一种换热管，所述换热管设有包括碳化硅外管和碳化硅内管的双层封闭套管结构，所述碳化硅外管设有出气口，所述碳化硅内管设有进气口，所述碳化硅内管穿过所述碳化硅外管的顶端并设有内管延伸机构，所述进气口设置在所述延伸机构的末端，所述碳化硅外管在所述出气口位置的下端设有隔离机构，所述隔离机构将所述碳化硅外管分为碳化硅外管上段和碳化硅外管下段，所述碳化硅外管下段的下端部和碳化硅内管的下端部形成一热交换空腔本实用新型提供的换热管设有包括碳化硅外管和碳化硅内管的双层封闭套管结构，碳化硅材料提高了换热管的换热效率，并提高换热管的使用寿命。
一种热管

[实用新型]一种增加热辐射的水泥余热锅炉-CN201621100971.4有效
发明人：杨立新;丛梦晓;任皓 -专利权人：中节能工业节能有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： F28D7/12 文献下载
摘要：本实用新型属于能源利用技术领域，具体涉及一种增加热辐射的水泥余热锅炉，包括翅片管，翅片管包括换热管和多个翅片，换热管包括碳化硅外管和碳化硅内管，碳化硅内管设于碳化硅外管内，碳化硅内管的进气口端伸出碳化硅外管的端部且该端部实现与碳化硅内管的封闭连接，碳化硅内管的出气口伸向碳化硅外管的末端，碳化硅外管的末端的内壁为封闭弧形面，碳化硅外管的内壁与碳化硅内管的外壁之间形成腔体结构，腔体的上端设有排气口；碳化硅外管上沿其长度方向对称设有两道弧面凹槽；采用本实用新型技术方案的增加热辐射的水泥余热锅炉
一种增加热辐射水泥余热锅炉

[实用新型]一种碳化硅管干燥用的支架-CN202321055139.7有效
发明人：尹邦进;邓磊 -专利权人：浙江吉成新材股份有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： F26B25/10 文献下载
摘要：本实用新型属于碳化硅管加工领域，具体是涉及到一种碳化硅管干燥用的支架，包括移动支架和碳化硅管放置件，移动支架包括移动底架、支撑杆和多个限位横杆，支撑杆倾斜设置在移动底架上，多个限位横杆设置在支撑杆上，限位横杆上设置有多个限位槽，碳化硅管放置件的一侧与限位槽可拆卸卡合连接，另一侧设置有用于容纳碳化硅管的放置槽。本实用新型所提供的碳化硅管干燥用的支架，每个碳化硅管竖向放置，可以有效避免碳化硅管的一侧壁由于压力导致变形，影响碳化硅管的椭圆度，另外单根碳化硅管通过一个碳化硅管放置件设置在移动支架上，便于单根碳化硅管的独立拆卸
一种碳化硅干燥支架

[发明专利]一种碳化硅场效应管的制备方法-CN202310733282.5在审
发明人：伊艾伦;欧欣;周民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅场效应管的制备方法，所述方法包括提供第一碳化硅衬底，在第一碳化硅衬底上外延碳化硅外延层；将轻离子注入碳化硅外延层，轻离子在碳化硅外延层内形成离子集聚区域，使得碳化硅外延层依次形成碳化硅薄膜层、离子集聚区和碳化硅键合层；提供第二碳化硅衬底，对第二碳化硅衬底与碳化硅键合层相互接触的表面进行导电处理；将第二碳化硅衬底与碳化硅键合层进行晶圆键合；将碳化硅键合层与离子集聚区域剥离，得到第一碳化硅衬底、碳化硅薄膜层和离子集聚区域形成的第一衬底结构以及第二碳化硅衬底与碳化硅键合层形成的第二衬底结构，并对第一衬底结构进行回收处理；基于第二衬底结构进行场效应管的制备，得到碳化硅场效应管。
一种碳化硅场效应制备方法

[发明专利]碳化硅单晶生长装置-CN202010987523.5在审
发明人：裴悠松;徐洙莹;李钟海 -专利权人：山东国晶电子科技有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅单晶生长装置，包括：用于容纳碳化硅原料和碳化硅籽晶的坩埚，所述坩埚外周包裹有隔热层，所述坩埚包括上部的碳化硅原料区和下部的碳化硅单晶生长区；在所述的碳化硅原料区，坩埚内外壁之间设置有开口向上的碳化硅原料槽，碳化硅原料槽内侧槽壁上端与坩埚上端内壁形成石墨通道；在所述的碳化硅单晶生长区，坩埚内腔中设置有石墨管，石墨管的管壁上端与碳化硅原料区的坩埚内壁下端无缝对接，碳化硅籽晶位于坩埚底部且位于石墨管的内腔中，石墨管的内腔构成碳化硅单晶生长室；经加热，升华的碳化硅原料通过石墨通道沿重力方向移动至碳化硅单晶生长室。本发明提供缩短工艺时间和降低成本的方式制造高品质碳化硅晶的装置。
碳化硅生长装置

[实用新型]碳化硅单晶生长装置-CN202022053597.X有效
发明人：裴悠松;徐洙莹;李钟海 -专利权人：山东国晶电子科技有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅单晶生长装置，包括：用于容纳碳化硅原料和碳化硅籽晶的坩埚，所述坩埚外周包裹有隔热层，所述坩埚包括上部的碳化硅原料区和下部的碳化硅单晶生长区；在所述的碳化硅原料区，坩埚内外壁之间设置有开口向上的碳化硅原料槽，碳化硅原料槽内侧槽壁上端与坩埚上端内壁形成石墨通道；在所述的碳化硅单晶生长区，坩埚内腔中设置有石墨管，石墨管的管壁上端与碳化硅原料区的坩埚内壁下端无缝对接，碳化硅籽晶位于坩埚底部且位于石墨管的内腔中，石墨管的内腔构成碳化硅单晶生长室；经加热，升华的碳化硅原料通过石墨通道沿重力方向移动至碳化硅单晶生长室。本发明提供缩短工艺时间和降低成本的方式制造高品质碳化硅晶的装置。
碳化硅生长装置

[实用新型]用于碳化硅MOS管的驱动装置以及车辆-CN202221111262.1有效
发明人：吴爱亮 -专利权人：北汽福田汽车股份有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于碳化硅MOS管的驱动装置以及车辆。其中，装置包括：隔离电源电路，用于提供驱动电压；推挽放大电路，与隔离电源电路连接，并与碳化硅MOS管的栅极连接，推挽放大电路用于在控制信号和驱动电压的作用下控制碳化硅MOS管的开通和关断；短路保护电路，与推挽放大电路连接，并与碳化硅MOS管的源极和漏极连接，短路保护电路用于在碳化硅MOS管开通时，从推挽放大电路获取供电电压，并在供电电压的作用下对碳化硅MOS管进行短路保护；栅极保护电路，与碳化硅MOS管的栅极连接，用于在碳化硅MOS管关断时，对碳化硅MOS管进行栅极保护。该装置可以实现对碳化硅MOS管的驱动与保护。
用于碳化硅 mos 驱动装置以及车辆

[实用新型]一种结构紧凑的碳化硅肖特基二极管-CN202121600638.0有效
发明人：刘建军 -专利权人：东莞市佳骏电子科技有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L23/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种结构紧凑的碳化硅肖特基二极管，包括塑封外壳，所述塑封外壳内设有第一碳化硅芯片、第二碳化硅芯片、第三碳化硅芯片，所述第一碳化硅芯片、第二碳化硅芯片、第三碳化硅芯片呈倒“品”字形结构设置本实用新型的碳化硅肖特基二极管，将三个碳化硅芯片设计成倒“品”字形结构摆放，减小了碳化硅肖特基二极管的体积，结构紧凑，有利于当今电子设备的轻薄化发展趋势。
一种结构紧凑碳化硅肖特基二极管

[发明专利]碳化硅套管换热器-CN201910148016.X在审
发明人：杨园园;徐鹏飞;李志刚 -专利权人：无锡英罗唯森科技有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： F28D7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅套管换热器，属于换热器技术领域，碳化硅套管换热器包括壳体，壳体内设置碳化硅换热管，碳化硅换热管上穿设折流板，碳化硅换热管包括碳化硅套管和内管，内管两端开口，碳化硅套管一端开口，内管的一端通过碳化硅套管的开口伸入碳化硅套管内，内管的另一端伸出碳化硅套管，壳体的一端设置封头，封头上设置冷媒进口，冷媒进口连通内管，封头和壳体之间设置第一密封组件和第二密封组件，第一密封组件和第二密封组件之间设置管程管箱，内管的一端设置在第一密封组件内，碳化硅套管的开口端设置在第二密封组件内，管程管箱上设置冷媒出口，冷媒出口连通碳化硅套管的开口端。
碳化硅套管密封组件内管换热器碳化硅换热管壳体管程管箱冷媒出口冷媒进口一端设置开口端封头连通传热效率单端密封两端开口体内流体一端开口制造成本折流板穿设伸入开口体内伸出

[实用新型]碳化硅套管换热器-CN201920258930.5有效
发明人：杨园园;徐鹏飞;李志刚 -专利权人：无锡英罗唯森科技有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： F28D7/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种碳化硅套管换热器，属于换热器技术领域，碳化硅套管换热器包括壳体，壳体内设置碳化硅换热管，碳化硅换热管上穿设折流板，碳化硅换热管包括碳化硅套管和内管，内管两端开口，碳化硅套管一端开口，内管的一端通过碳化硅套管的开口伸入碳化硅套管内，内管的另一端伸出碳化硅套管，壳体的一端设置封头，封头上设置冷媒进口，冷媒进口连通内管，封头和壳体之间设置第一密封组件和第二密封组件，第一密封组件和第二密封组件之间设置管程管箱，内管的一端设置在第一密封组件内，碳化硅套管的开口端设置在第二密封组件内，管程管箱上设置冷媒出口，冷媒出口连通碳化硅套管的开口端。
碳化硅套管密封组件内管换热器碳化硅换热管壳体管程管箱冷媒出口冷媒进口一端设置开口端封头连通本实用新型传热效率单端密封两端开口体内流体一端开口制造成本折流板穿设伸入开口体内伸出

[实用新型]一种氮化硅结合碳化硅管-CN202121102697.5有效
发明人：刘得顺;李治桐 -专利权人：唐山正益科技有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： F16S5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化硅结合碳化硅管，包括氮化硅结合碳化硅管本体和防护绝缘管；防护绝缘管套合在氮化硅结合碳化硅管本体内部，并且防护绝缘管至少一端延伸出氮化硅结合碳化硅管本体。本实用新型在氮化硅结合碳化硅管本体内增设防护绝缘管，提高在高温环境下使用器件的防护效果；防护绝缘管与氮化硅结合碳化硅管本体以套合方式连接，防护绝缘管端部延伸出氮化硅结合碳化硅管本体，当防护绝缘管损坏时，方便对防护绝缘管进行更换。
一种氮化结合碳化硅

[实用新型]一种高效防腐气体分布器装置-CN202321203131.0有效
发明人：刘明;刘务栋;徐超 -专利权人：淄博煜邦化工设备有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B01F23/231 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高效防腐气体分布器装置，包括两端均开口的碳化硅分布内管，所述碳化硅分布内管外侧滑动安装有顶端封口的碳化硅分布外管，所述碳化硅分布内管和碳化硅分布外管上均匀开设有若干个分布孔，且碳化硅分布内管上分布孔的间距与碳化硅分布外管上分布孔的间距相同，所述碳化硅分布内管外侧安装有法兰，所述碳化硅分布内管底端外侧设置有固定圆盘，且固定圆盘安装在搪瓷管箱和搪瓷压盖之间；通过装置单独的进气头进入碳化硅分布器内，再由碳化硅分布器均匀分布的气孔排出，达到气体在液体内均匀分布
一种高效防腐气体分布装置

[发明专利]一种高粉源利用率PVT法生长碳化硅坩埚结构及其生长方法-CN202210774249.2在审
发明人：高冰 -专利权人：浙江晶越半导体有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高粉源利用率PVT法生长碳化硅坩埚结构，包括坩埚本体，坩埚本体内设有石墨管，石墨管置于碳化硅粉源内部，石墨管的管外壁开均匀的气体逸出孔。使用其坩埚结构的碳化硅生长方法为将碳化硅粉源放入坩埚结构内，预设温度，对坩埚结构进行加热，经退火处理得到碳化硅晶体。在原有坩埚基础上，本发明在坩埚中心处增加了石墨管，有利于高温升华后的碳化硅气流在中心处的对流，增加中心处碳化硅粉末的温度，提高中心处碳化硅的升华效率。同时，石墨管增加了碳化硅粉末与高温气流的接触面积，有利于碳化硅粉源内部的碳化硅气体逸出，进一步提高碳化硅的升华效率。
一种高粉源利用率 pvt 生长碳化硅坩埚结构及其方法

[发明专利]一种碳化硅薄壁管及其制造方法及设备-CN202211033485.5在审
发明人：闫永杰;张俊良 -专利权人：南通三责精密陶瓷有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本申请涉及材料制备领域，具体公开了一种碳化硅薄壁管及其制造方法及设备。一种碳化硅薄壁管，原料包括以下组分：碳化硅；塑化剂，所述塑化剂的用量为碳化硅的10‑13wt%；新型坯甲基CMC‑BL，所述新型坯甲基CMC‑BL的用量为碳化硅的0.2‑2 wt%；润滑剂，所述润滑剂的用量为碳化硅的1‑4wt%；分散剂，所述分散剂的用量为碳化硅的10‑20wt%；水的用量为碳化硅的20‑30wt%。本申请可以制备得到壁厚0.3mm的碳化硅薄壁管，而且碳化硅薄壁管的性能优异且均匀性高；碳化硅薄壁管的不圆度0.05mm，直线度1.0mm/m，壁厚差0.03mm，便于碳化硅薄壁管的装配，而且耐磨耐腐蚀性能优异
一种碳化硅薄壁及其制造方法设备

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条