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[发明专利]金属层下介电层测试结构-CN201010123607.0有效
发明人：胡其欣;杨莉娟;何莲群 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种金属层下介电层测试结构，包括：衬底，位于所述衬底之上的栅极结构，位于所述衬底和所述栅极结构之上的多级金属连线层，位于所述多级金属连线层间的互连通孔和层间介电层，以及位于顶层金属层之上的压焊点，所述多级金属连线层间的互连通孔未实现各金属互连线层间的电性互连。本发明提供的金属层下介电层测试结构中，各层金属连线层间的互连通孔未实现各层金属互连线层间的电性互连，因此可避免在进行测试时，当在测试结构的压焊点上施加测试电压后，以斜坡电压法测试所述顶层金属层下的介电层的性能时不会造成测试结构中有源区至第一金属层间的部分烧坏的问题
金属层下介电层测试结构

[发明专利]一种多层交叠的铁电电容结构-CN201910230930.9有效
发明人：李建军;王森 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层交叠的铁电电容结构，包括电极1，电极2，金属层1，金属层2，金属层3……一直到金属层n，和没两层金属中间的铁电薄膜层，包括铁电薄膜层1，铁电薄膜层2，铁电薄膜层3……一直到铁电薄膜层n‑1；电极1连接金属层1，金属层3，金属层5……一直到金属层n‑1；电极2连接金属层2，金属层4，金属层6……直到金属层n(其中，n可以根据需求调整，且n不小于2)。本发明在实现保留较大的等效铁电电容面积的同时尽可能的缩小了铁电电容在芯片中的面积。
一种多层交叠电容结构

[发明专利]减小双层前金属介电质层开裂现象的方法-CN201210014805.2无效
发明人：徐强;张文广;郑春生;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种减小双层前金属介电质层开裂现象的方法、以及所述方法制备的MOS器件，在第一金属介电层和第二金属介电层之间，形成有过渡层，其中，过渡层材质与第二金属介电层材质之间的粘结性大于过渡层与第一金属介电层材质之间的粘结性，由于过渡层原位生长在第一金属介电层上，没有破真空，所以使得过渡层与第一金属介电层之间产生了很好的粘结性；同时过渡层与第二金属介电层性质接近，与第二金属介电层之间也具有良好的粘结性，从而缓解或消除了双层前金属介电层两层薄膜之间的开裂
减小双层金属介电质层开裂现象方法

[发明专利]一种改善平坦化工艺中金属挤压缺陷的方法-CN201910347751.3有效
发明人：于涛;曹秀亮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善平坦化工艺中金属挤压缺陷的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有金属层间介电质层，在所述金属层间介电质层内形成有独立的金属结构；刻蚀所述金属层间介电质层，使金属层间介电质层的上表面形成高度差，且所述金属结构上方对应的所述金属层间介电质层的高度，低于所述半导体衬底上所述金属结构以外的位置处对应的所述金属层间介电质层的高度；对所述金属层间介电质层进行平坦化处理。本发明通过增加刻蚀金属层间介电质层的步骤，使金属层间介电质层的上表面形成高度差，在后续的平坦化处理步骤中，研磨的应力主要集中在金属结构以外的位置处，有效减小了金属结构所受应力，从而改善金属挤压缺陷。
一种改善平坦化工金属挤压缺陷方法

[发明专利]半导体装置-CN201711063342.8在审
发明人：杨仁盛;朱文定;张至扬;杨晋杰;涂国基;石昇弘;廖钰文;陈侠威;陈奕静 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含金属间介电层、记忆单元、储存单元、晶体管和介电层。记忆单元包含位于金属间介电层顶表面的金属‑绝缘体‑金属(metal‑insulator‑metal，MIM)结构。晶体管位于金属间介电层的下方。介电层在晶体管上延伸并沿着金属介电层的顶表面延伸。介电层自金属‑绝缘体‑金属结构分离。
金属间介电层介电层晶体管绝缘体半导体装置记忆单元顶表面金属金属介电层储存单元金属结构延伸

[发明专利]金属－绝缘体－金属电容结构及其制法-CN200310117088.7有效
发明人：高境鸿 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2003-12-03 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明提供一种金属－绝缘体－金属(MIM)电容，包含有一第一金属层；一第一电容介电层，设于该第一金属层上；一第二金属层，叠设于该第一电容介电层上，其中该第一金属层、该第一电容介电层及该第二金属层构成一下电容结构；一第二电容介电层，设于该第二金属层上；以及一第三金属层，叠设于该第二电容介电层上，其中该第二金属层、该第二电容介电层及该第三金属层构成一上电容结构；其中该第一金属层及该第三金属层电连接该MIM电容的第一电容端点，而该第二金属层则电连接该MIM电容的第二电容端点。
金属绝缘体电容结构及其制法

[发明专利]用于蚀刻金属互连层的方法-CN202010278389.1在审
发明人： P·费尔南德斯;B·斯里尼瓦桑;S·W·杰森;G·S·马图尔 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了用于蚀刻金属互连层的方法。在一些示例中，一种方法(100)包括：获得具有沉积在衬底(402)上方的金属互连层的衬底；在金属互连层(404)上形成第一介电层(406)；在第一介电层上形成第二介电层(408)；在第二介电层上形成电容器金属层；将电容器金属层和第二介电层图案化和蚀刻至第一介电层，以将电容器金属层和第二介电层的部分留在第一介电层上(410)；形成抗反射涂层以覆盖电容器金属层和第二介电层的部分，并覆盖金属互连层(412)；以及图案化金属互连层以形成第一金属层和第二金属层
用于蚀刻金属互连方法

[发明专利]金属层间介电结构-CN02127646.3有效
发明人：赖经纶;王锡伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-08-06 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种金属层间介电结构，是形成于一半导体基底表面上。半导体基底表面上包括有：复数个金属层，一金属层间介电层，覆盖金属层以及半导体基底的表面至一预定高度，以及一具有高压缩应力的氧化物盖层，覆盖金属层间介电层的表面。其中，金属层间介电层以及氧化物盖层的压缩应力的总值需接近于金属层的伸张应力，以防止金属层以及介电层的应力相差过大而造成裂缝现象。本发明使用高密度电浆－源射频(HDP－SRF)方法形成氧化物盖层，可大幅提高氧化物盖层的压缩应力，以解决常见的裂缝缺陷以及气泡问题，另，可使氧化物盖层内部具有更多的悬浮键(dangling bond)，
金属层间介电结构

[发明专利]具有四重金属性层的太阳控制涂层-CN201980016137.7在审
发明人： P·费希尔;P·A·梅德维克;A·瓦格纳;A·D·波尔辛 -专利权人：维特罗平板玻璃有限责任公司
申请日： 2019-02-04 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：涂覆制品包括基材、第一介电层、第一金属性层、第二介电层、第二金属性层、第三介电层、第三金属性层、第四介电层、第四金属性层和第五介电层。金属性层中至少一个是具有不连续的金属性区域的不连续的金属性层。任选的底漆位于任何金属性层上方。任选地，提供保护层作为在第五介电层上方的最外层。
具有重金属性太阳控制涂层

[发明专利]封装基板及其制造方法-CN201110161551.2有效
发明人：朴珠炫;洪荣文;金锡奉 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-06-02 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：封装基板包括一第一介电层、一第一金属层、一第二金属层、一第三金属层、一第二介电层及一第四金属层。第一介电层具有一第一凹槽、一第二凹槽及一第三凹槽。第三凹槽位于第一凹槽及第二凹槽之间。第一金属层内埋于第一凹槽内。第二金属层内埋于第二凹槽内。第三金属层内埋于第三凹槽内。第三金属层的上表面低于第一介电层的上表面。第二介电层设置于第二凹槽内，并覆盖至少部份的第三金属层。第四金属层覆盖部份的第一介电层及第二介电层，并电性连接第一金属层及第二金属层。
封装及其制造方法

[发明专利]金属绝缘体金属电容器与其制造方法-CN201410621397.6有效
发明人：周志飙;吴少慧;古其发 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明公开一种金属绝缘体金属电容器与其制造方法。制造金属绝缘体金属电容器的方法包括以下步骤：提供五层双介电质结构于基板上。五层双介电质结构包括底部金属层、第一介电层、中间金属层、第二介电层以及上部金属层依序堆叠而上。第一介电层与第二介电层具有不同厚度。
金属绝缘体电容器与其制造方法

[发明专利]内连线结构的形成方法-CN202210677593.X在审
发明人：吴采伶;薛琇文;陈启平;黄柏翔;林其锋;杨能杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：方法包括形成金属层在基板上方，金属层包括第一金属；形成盖层在金属层上；图案化盖层及金属层，从而形成沟槽在金属层中；沉积第一介电层在沟槽中；移除盖层，使第一介电层突出于金属层的顶表面；沉积第二介电层在第一介电层及金属层上方；形成开口在第二介电层中，从而部分地露出金属层的顶表面；及形成导电部件在开口中并与金属层电性耦合，导电部件包含第二金属。
连线结构形成方法

[发明专利]增加金属－绝缘体－金属电容器的单位面积电容密度的方法-CN200310122877.X有效
发明人：史望澄;林永锋;陈真 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2003-12-29 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明揭示一种堆叠式金属－绝缘体－金属电容器的制造方法，包含步骤：a)依序沉积一底部金属层、一电容介电层于该底部金属层上、一中间金属层于介电层上；b)利用微影蚀刻法定义中间金属层与电容介电层；c)以微影蚀刻法定义底部金属层；d)沉积一金属层间介电材质层于该中间金属层与该底部金属层上，并平坦化该金属间介电材质层；e)在该金属间介电材质层中，以图案蚀刻进行多个介层窗的蚀刻，以相通至底部金属层与中间金属层；f)沉积一金属钨，以在介层窗内形成金属内连线，连接该底部金属层及该中间金属层并随后进行化学机械研磨；g)重复步骤a)至f)；及h)沉积一顶部金属层，图案蚀刻该顶部金属层。
增加金属绝缘体电容器单位面积电容密度方法

[发明专利]超低介电常数金属间介电层的形成方法-CN201710929998.7有效
发明人：施伯铮;周家政;李俊德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：超低介电常数金属间介电层的形成方法包含形成第一金属间介电层于基底上，第一金属间介电层包含多个介电料材层，形成粘着层于第一金属间介电层上，形成超低介电常数介电层于粘着层上，形成保护层于超低介电常数介电层上，形成硬遮罩于保护层上且将硬遮罩图案化以产生窗口，移除窗口下的层以产生开口，被移除的层包含保护层、超低介电常数介电层、粘着层和第一金属间介电层。在开口中形成金属层。
介电常数金属间介电层形成方法

[实用新型]一种再布线金属层和高密度再布线封装结构-CN201320742913.1有效
发明人：徐虹;张黎;陈栋;陈锦辉;赖志明 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种再布线金属层和高密度再布线封装结构，属于半导体封装技术领域。其中再布线金属层包括若干层介电层和设置于介电层内的金属层，每一所述介电层开设贯穿该介电层的线槽，所述线槽包括介电层横向线槽和介电层纵向线槽，所述介电层横向线槽和介电层纵向线槽呈上下分布，介电层横向线槽的深度小于介电层的厚度，所述介电层横向线槽的尺寸不小于介电层纵向线槽的尺寸，线槽内设置所述金属层，每一所述金属层与设置该金属层的介电层形成于同一层；所述高密度再布线封装结构采用上述再布线金属层结构。本实用新型减少了介电层的层数、使再布线金属层结构简洁，提高了单位空间内的再布线密度，有利于再布线高密度化进一步发展。
一种布线金属高密度封装结构

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