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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]利用原子层淀积工艺形成导电层的方法-CN98108477.X有效
发明人：姜尚范;蔡允淑;朴昌洙;李相忍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1998-05-14 - 公布日： 2003-11-19 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：一种采用原子层淀积工艺形成导电层的方法，通过将含有金属的母物与一种还原气体起反应，在半导体衬底上形成一层牺牲金属原子层，通过使该牺牲金属原子层与金属卤化物气体反应，在该半导体衬底上、在淀积由金属卤化物气体溶解的金属原子的位置形成一种金属原子层另外，采用一种硅源气体，在该金属原子层上形成硅原子层，从而交替地层叠金属原子层和硅原子层。
利用原子层淀积工艺形成导电方法

[发明专利]电路板-CN202080046790.0在审
发明人：金勇锡;李东华 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H05K3/38 文献下载
摘要：根据实施例的一种电路板包括：绝缘层；置放在绝缘层的上表面上或者下表面下的电路图案；以及置放在绝缘层和电路图案之间的缓冲层，缓冲层包括碳原子、氮原子、氧原子、硅原子、硫原子和金属原子，其中：碳原子与金属原子的比率((碳原子/铜原子)*100)为5‑7；氮原子与金属原子的比率((氮原子/铜原子)*100)为1.5‑7；氧原子与金属原子的比率((氧原子/铜原子)*100)为1.1‑1.9；以及硅原子与金属原子的比率((硅原子/铜原子)*100)为0.5‑0.9；以及硫原子与金属原子的比率((硫原子/铜原子)*100)为0.5‑1.5。
电路板

[发明专利]金属的原子层蚀刻-CN202080063444.3在审
发明人：尼廷·迪帕克;普雷纳·桑塔利亚·戈拉迪亚 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本公开内容一般涉及用于选择性地蚀刻在基板半导体制造应用上的铜、钴和/或铝层的方法。将包括一个或多个铜层、钴层或铝层的基板传送到处理腔室。氧化所述铜、钴或铝层的表面。所述氧化的铜、钴或铝表面与所述六氟乙酰丙酮蒸气的所述反应选择性原子层蚀刻所述铜、钴或铝表面。
金属原子蚀刻

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201910550405.5在审
发明人：刘继宇;李华 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请公开了一种太阳能电池及其制造方法，太阳能电池包括硅基底、以及形成在所述硅基底上的栅线电极；所述栅线电极包括：第一金属层，直接形成于所述硅基底上，所述第一金属层含有钴原子；第二金属层，层叠于所述第一金属层上，所述第二金属层含有铜原子。太阳能电池的制造方法，包括以下步骤：在硅基底上形成第一金属层；所述第一金属层含有钴原子；在所述第一金属层上形成第二金属层；所述第二金属层含有铜原子。本申请可以有效阻挡铜原子进入硅基底中，从而避免形成复合中心。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池模块及其制造方法-CN201710541346.6有效
发明人：樋口洋;根上卓之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：太阳能电池模块所具有的第1单元电池和第2单元电池各自依次包括：第1电极层、包含第1金属原子的氧化物的第1半导体层、第2半导体层、以及第2电极层；第1单元电池的第2电极层的一部分位于将第1单元电池的第2半导体层和第2单元电池的第2半导体层分隔的沟槽内；第1单元电池的第2电极层经由第2单元电池的第1半导体层中俯视看来与沟槽重叠的第1部分而与第2单元电池的第1电极层电连接；第1部分包含与第1金属原子不同的第2金属原子，第1部分中的第2金属原子的原子数相对于所有金属原子的原子数的合计之比A比第1半导体层中除第1部分以外的第2部分的第2金属原子的原子数相对于所有金属原子的原子数的合计之比B更大。
太阳能电池模块及其制造方法

[发明专利]电阻式存储装置以及其制作方法-CN202010395986.2在审
发明人：刘宇恒;符云飞;黄志坚;黄国良;谈文毅 -专利权人：联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开一种电阻式存储装置以及其制作方法，其中该电阻式存储装置包括第一电极、第二电极、第一金属氧化物层、第二金属氧化物层以及多层绝缘体结构。第一金属氧化物层于垂直方向上设置于第一电极与第二电极之间。第二金属氧化物层于垂直方向上设置于第一金属氧化物层与第二电极之间。多层绝缘体结构于垂直方向上设置于第一金属氧化物层与第二金属氧化物层之间。第一金属氧化物层包括多个第一金属原子，第二金属氧化物层包括多个第二金属原子，而多层绝缘体结构包括多个第三金属原子。各第三金属原子与各第二金属原子相同，且第三金属原子在多层绝缘体结构中的原子百分比于垂直方向上逐渐改变。
电阻存储装置及其制作方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202110733061.9在审
发明人：前田秋生;石原典隆;福本敦之;山阪司祐人 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够形成适合用来将半导体层内的金属原子去除的层的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法包含如下步骤：在衬底上形成包含多个金属原子的半导体层；及在所述半导体层上形成包含多个硅原子及多个氮原子的第1层。所述方法还包含如下步骤：使所述半导体层内的所述金属原子的至少一部分向所述第1层内移动；及在使所述半导体层内的所述金属原子的至少一部分移动到所述第1层内之后，将所述第1层去除。进而，所述第1层内的氮原子的个数相对于硅原子及氮原子的个数的比率小于4/7。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种固态隔膜及其制备方法和设有其的气体传感器-CN202210100182.4在审
发明人：张宾;赵罗恒;朱瑞;谢傲臻;张伟 -专利权人：广州奥松电子股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G01N27/409 文献下载
摘要：本发明涉及传感器及其部件的技术领域，公开了一种固态隔膜，包括衬底和贵金属层，所述贵金属层交替复合在衬底上，所述贵金属层包括至少两种由单一贵金属原子组成的贵金属原子层；所述贵金属原子层通过原子层层积技术沉积于衬底上，形成上、下层叠且紧密结合的贵金属层，相邻两个材质不同的贵金属原子层保持各自原有的贵金属特性。本发明通过原子层沉积技术实现贵金属催化层的形成，其制备的贵金属层结构厚度可控，不影响气体的透过率，且催化活性极高，响应速度快，同时贵金属层在衬底上的附着优良，能在长期高温环境和高浓度电解液下测试，且催化活性保持不变
一种固态隔膜及其制备方法设有气体传感器

[发明专利]金属接合体和金属接合体的制造方法以及半导体装置和波导路-CN201880097386.9有效
发明人：井岛乔志;山崎浩次 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： B23K20/00 文献下载
摘要：金属接合体，是在Ag‑Cu‑Zn层(7)的两面接合有Cu‑Zn层(6)的金属接合体(5)，Ag‑Cu‑Zn层(7)在将整体设为100原子％时，使Cu成分为1原子％以上且10原子％以下，使Zn成分为1原子％以上且40原子％以下，使余量为Ag成分，Cu‑Zn层(6)在使整体设为100原子％时，使Zn成分为10原子％以上且40原子％以下，使余量为Cu成分。因此，并不限于铝系，能够将金属基材彼此接合，同时能够得到机械强度高的金属接合体(5)。
金属接合制造方法以及半导体装置波导

[发明专利]一种基于林德曼指数的纳米金属球形颗粒原子物态层区分方法-CN202210348007.7在审
发明人：付桂翠;张钟庆;万博 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米金属球形颗粒原子物态层区分方法，包括以下步骤利用分子动力学模拟软件，获得典型升温速率下的纳米金属球形颗粒原子运动轨迹文件；计算运动轨迹文件中原子的林德曼指数；根据温度与原子平均林德曼指数的变化特点，确定其熔化温度范围；分析林德曼指数波动情况，确定稳定层与预熔层的决断半径，得到纳米金属球形颗粒的稳定层；比较系统原子平均林德曼指数与每个原子林德曼指数的大小，确定预熔层与熔化层的决断半径，得到纳米金属球形颗粒的预熔层和熔化层本发明旨在提供一种原子物态层区分方法，这将有助于了解纳米金属球形颗粒升温时的颗粒熔化状态。
一种基于林德曼指数纳米金属球形颗粒原子物态区分方法

[发明专利]金属互连结构的制备方法、金属互连结构及半导体组件-CN202310516214.3在审
发明人：栾庆洁;项金娟;袁鹏;焦正赢;王桂磊;赵超 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及金属互连技术领域，提供了一种金属互连结构的制备方法、金属互连结构以及半导体组件。该制备方法包括如下步骤：提供电介质层，电介质层中具有互连凹槽；在互连凹槽中制备金属互连层；以及，采用包括钴有机化合物的原料，通过原子层沉积法在金属互连层上制备钴金属层，在钴有机化合物中，钴原子与四个氮原子以单键键合，四个氮原子两两成对，每对氮原子之间以有机基团相连接。相较于传统技术，通过原子层沉积法的方式制备钴膜，能够有效提高钴膜的制备可控性以及薄膜质量。
金属互连结构制备方法半导体组件

[发明专利]一种单原子电极及其制备方法与应用-CN202111440750.7在审
发明人：张礼知;么艳彩 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C02F1/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种单原子电极及其制备方法与应用，电极包括金属基底及其表面的原生氧化层，原生氧化层富缺陷，在缺陷处锚定有单原子金属；制备方法包括以下步骤：(1)将表面具有原生氧化层的金属在还原气氛中高温处理，形成富缺陷的金属基底；(2)向富缺陷的基底表面滴涂金属前驱体溶液，干燥后在还原气氛中高温处理，得到单原子电极，可用于催化处理废水。与现有技术相比，本发明独特的利用金属表面原生氧化层作为单原子载体，发展了富缺陷的氧化层固定单原子的制备工艺，易于后期扩大生产，可实现单原子电极的大规模制备，单原子电极的金属基底和原生氧化层之间具备很强的键合力
一种原子电极及其制备方法应用

[实用新型]太阳能电池-CN201920953937.9有效
发明人：刘继宇;李华 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请公开了一种太阳能电池，包括硅基底、以及形成在所述硅基底上的栅线电极；所述栅线电极包括：第一金属层，直接形成于所述硅基底上，所述第一金属层含有镍原子；第二金属层，层叠于所述第一金属层上；所述第二金属层含有钴原子；以及第三金属层，层叠于第二金属层上；所述第三金属层含有铜原子。本申请提高了第一金属层的扩散阻挡效果。
太阳能电池

[发明专利]制作半导体元件的方法-CN201710116620.5有效
发明人：吴佳臻;陈品宏;张凯钧;黄怡安;蔡志杰;陈姿洁;郑存闵;陈意维 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：再于导电区域上沉积一金属层，其中该金属层与导电区域的硅反应形成一第一硅化金属层，其具有一第一金属原子百分比。接着于金属层上沉积一氮化钛层。再于氮化钛层上沉积一介电盖层。再进行退火制作工艺，将第一硅化金属层转变成具有一第二金属原子百分比的一第二硅化金属层，其中该第二金属原子百分比小于该第一金属原子百分比。
金属原子硅化金属层导电区域金属层沉积半导体元件退火一氮化钛层氮化钛层制作工艺电盖基底制作

[发明专利]低成本燃料电池双极板及其制造方法-CN200910117968.1有效
发明人： G·V·达赫奇;T·A·特拉博德;M·H·阿布德埃尔哈米德 -专利权人：通用汽车环球科技运作公司
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01M4/88 文献下载
摘要：通过使用原子层沉积法在金属板上沉积无针孔耐蚀和/或导电层来制造燃料电池双极板。在一个实施例中，使用原子层沉积法在阳极化金属板上沉积导电层。在另一实施例中，使用原子层沉积法在金属板上分别沉积至少一个耐蚀金属氧化物层和至少一个导电层。在又一实施例中，使用原子层沉积法在金属板上沉积耐蚀且导电的金属氮氧化物层。
低成本燃料电池极板及其制造方法

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