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[发明专利]太阳能电池以及太阳能电池模块-CN201810584996.3有效
发明人：西原孝史;藤村慎也;根上卓之 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明提供可以具有高光电转换效率的太阳能电池以及太阳能电池模块。所述太阳能电池具有：第1电极；第1空穴传输层，其位于所述第1电极上且含有镍；无机材料层，其位于所述空穴传输层上且含有钛；光吸收层，其位于所述无机材料层上，与所述无机材料层接触并将光转换为电荷；以及第2电极，其位于所述光吸收层上且与所述第1电极相对置；其中，所述光吸收层含有在将A设定为1价阳离子、将M设定为2价阳离子、将X设定为1价阴离子时，用组成式AMX3表示的钙钛矿型化合物。
太阳能电池以及模块

[发明专利]太阳能电池-CN201810588206.9有效
发明人：西原孝史;藤村慎也;根上卓之 -专利权人：松下控股株式会社
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10K30/00 文献下载
摘要：本发明提供可以具有高光电转换效率的太阳能电池。所述太阳能电池具有：第1电极；空穴传输层，其位于所述第1电极上且含有镍、锂以及氧；光吸收层，其位于所述空穴传输层上并将光转换为电荷；以及第2电极，其位于所述光吸收层上；其中，所述光吸收层含有在将A设定为1价阳离子、将M设定为2价阳离子、将X设定为1价阴离子时，用组成式AMX3表示的钙钛矿型化合物；在所述空穴传输层内，面向所述光吸收层的部分的锂浓度小于面向所述第1电极的部分的锂浓度。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池-CN202180029364.0在审
发明人：松井太佑;樋口洋;河野谦司;松下明生;根上卓之 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：太阳能电池(100)依次具备第1基板(1)、第1电极层(2)、第1电子传输层(3)、第1光电转换层(4)、第1空穴传输层(5)、第2电极层(6)、第3电极层(7)、第2电子传输层(8)、第2光电转换层(9)、第2空穴传输层(10)、第4电极(11)及第2基板(12)。第1光电转换层(4)包含第1钙钛矿型化合物，第2光电转换层(9)包含第2钙钛矿型化合物。第1钙钛矿型化合物的带隙大于第2钙钛矿型化合物的带隙。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池模块及其制造方法-CN201710541346.6有效
发明人：樋口洋;根上卓之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：太阳能电池模块所具有的第1单元电池和第2单元电池各自依次包括：第1电极层、包含第1金属原子的氧化物的第1半导体层、第2半导体层、以及第2电极层；第1单元电池的第2电极层的一部分位于将第1单元电池的第2半导体层和第2单元电池的第2半导体层分隔的沟槽内；第1单元电池的第2电极层经由第2单元电池的第1半导体层中俯视看来与沟槽重叠的第1部分而与第2单元电池的第1电极层电连接；第1部分包含与第1金属原子不同的第2金属原子，第1部分中的第2金属原子的原子数相对于所有金属原子的原子数的合计之比A比第1半导体层中除第1部分以外的第2部分的第2金属原子的原子数相对于所有金属原子的原子数的合计之比B更大。
太阳能电池模块及其制造方法

[发明专利]太阳能电池模块-CN201980096278.4在审
发明人：山本辉明;根上卓之 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明提供一种可具有高耐久性的太阳能电池模块。本发明的太阳能电池模块(100)具备：第一基板(1)、设在与第一基板(1)相对置的位置上的第二基板(2)、在第一基板(1)上且设在第一基板(1)与第二基板(2)之间的太阳能电池(3)、充满第一基板(1)与第二基板(2)之间的空间的填充材料(4)及设在太阳能电池(3)的表面中的面向第二基板(2)的主表面(3a)上的保护层(5)。太阳能电池(3)具有层叠结构，其包含含有钙钛矿型化合物的光电转换层(6)、空穴传输层(7)及电子传输层(8)。保护层(5)含有聚酰亚胺。保护层(5)由被覆太阳能电池(3)的主表面(3a)的第一区域(9)和使主表面(3a)露出的第二区域(10)构成。保护层(5)中离散地配置有第一区域(9)或第二区域(10)。
太阳能电池模块

[发明专利]太阳能电池-CN201910048481.6在审
发明人：松井太佑;根上卓之;关口隆史 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本公开提供一种具有高的转换效率、并且具有高的耐久性的钙钛矿太阳能电池。本公开的太阳能电池，具备第1电极、第2电极、位于第1电极与第2电极之间的钙钛矿光吸收层、位于第1电极与光吸收层之间的第1半导体层、以及位于第2电极与光吸收层之间的第2半导体层。第1半导体层含有Li。第2半导体层含有LiN(SO₂CF₃)₂。第2半导体层含有聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺]。在第2半导体层中，LiN(SO₂CF₃)₂相对于聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺]的摩尔比为0.15以上且0.26以下。
半导体层电极太阳能电池光吸收层三甲基苯基钙钛矿苯基转换效率摩尔比

[发明专利]半导体膜以及太阳能电池-CN201180034692.6无效
发明人： 根上卓之;山本辉明 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-06-07 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明提供一种成为带隙和电阻率、或者带隙和载流子浓度都适于太阳能电池的值的半导体膜。在本发明中，半导体膜由以用下述组成式(1)示出的比例来含有IB族元素、IIB族元素、IIIA族元素以及VIA族元素的半导体而构成。AxByCzDw (1)(在组成式(1)中，A表示IB族元素，B表示IIB族元素，C表示IIIA族元素，D表示VIA族元素。x、y、z以及w是表示组成比的数、且x和z满足x/z＞1的关系)。
半导体以及太阳能电池

[发明专利]复合半导体膜、太阳能电池及其制备方法-CN200480017508.7无效
发明人：桥本泰宏;佐藤琢也;根上卓之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-11-30 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明涉及由复合物形成的复合半导体膜，所述复合物含有：A.至少一种选自锌、锡、镉、铟和镓的元素；B.至少一种选自氧和硫的元素；和C.IIa族的元素。太阳能电池被构造为包括：基体(11)；在基体(11)上形成的导电层(12)；在导电层(12)上形成的吸光层(13)，所述吸光层用含有Ib族元素、IIIa族元素和VIa族元素的复合半导体形成；形成于所述吸光层(13)之上的上述复合半导体膜(14)；和形成于所述复合半导体膜(14)之上的透明导电层(16)。所述构造提供了具有低电阻率的复合半导体膜。另外，通过利用具有低电阻率的所述复合半导体膜作为太阳能电池的缓冲层，提高了太阳能电池的能量转化效率。
复合半导体太阳能电池及其制备方法

[发明专利]太阳能电池-CN200480009521.8无效
发明人：佐藤琢也;根上卓之;桥本泰宏 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-04-09 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：提供了包含具有黄铜矿结构的化合物半导体的光吸收层并且具有优良特性例如转换效率的太阳能电池。该太阳能电池包括第一电极层，第二电极层，放置于第一电极层和第二电极层的p－型半导体层，和放置于p－型半导体层和第二电极层之间的n－型半导体层。该p－型半导体层包括含有Ib族元素，IIIb族元素，VIb族元素并且具有黄铜矿结构的化合物半导体。该p－型半导体层的带隙从n－型半导体层侧向第一电极层侧单调增加。p－型半导体层在n－型半导体层侧主表面上的带隙至少是1.08eV，并且p－型半导体层在第一导体层侧主表面上的带隙是至少1.17eV。在该p－型半导体层中，在n－型半导体层侧的第一区域和在第一电极层侧的第二区域在p－型半导体层的厚度方向上的带隙增加率各自不同。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN03821566.7无效
发明人： 根上卓之;岛川伸一;佐藤琢也;林茂生 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-09-10 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种太阳能电池，包括导电基板和在该导电基板上设置的绝缘层、导电层和半导体层。形成通孔以穿透该绝缘层和导电层，用构成所述半导体层的半导体填充通孔。从构成所述导电基板的元素中选出的至少一种元素扩散到用于填充通孔的半导体中。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]半导体膜及制造方法、使用其的太阳能电池及制造方法-CN200410079736.9无效
发明人： 根上卓之;佐藤琢也;桥本泰宏 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-09-16 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：一种半导体膜具有如下成分：其中Ia族元素和Vb族元素添加到具有包含Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的黄铜矿结构的化合物半导体中。这允许提供可以有效地控制其载流子密度的半导体膜。本发明的太阳能电池(1)包括：衬底(11)和设置在衬底(11)上作为光吸收层(13)的本发明的半导体膜。通过这种结构，可以提供可有效地控制其载流子密度的光吸收层，由此可提供具有高能转换效率的太阳能电池。
半导体制造方法使用太阳能电池

[发明专利]太阳能电池-CN200410061868.9无效
发明人： 根上卓之;桥本泰宏 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-06-25 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高转换效率的CIS基太阳能电池，其通过省略窗口层降低了成本。该太阳能电池包括：具有半透明性和导电性的第一层；和靠近第一层设置的p型半导体层，通过第一层和p型半导体层形成结，其中p型半导体层包括具有含Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的黄铜矿结构的半导体，第一层具有10¹⁹/cm³或更大的载流子密度，第一层的带隙Eg₁ (eV)和p型半导体层的带隙Eg₂ (eV)满足由公式：Eg₁＞Eg₂表示的关系，并且第一层的电子亲合势X₁ (eV)和p型半导体层的电子亲合势X₂ (eV)满足由公式：0≤(X₂－X₁)＜0.5的表示关系。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池及其制备方法-CN200410030025.2有效
发明人：桥本泰宏;根上卓之;佐藤琢也 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-03-17 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种太阳能电池及其制备方法，所述电池包括含有Zn、Mg和O的层，并且它提高了效率。所述太阳能电池包括第一电极层、第二电极层、置于第一电极层和第二电极层之间的p－型半导体层、和置于第二电极层和p－型半导体层之间的层A，其中层A包括Zn、Mg、O和至少一种选自Ca、Sr、Ba、Al、In和Ga的元素M，并且由于从第二电极层侧入射的光而产生光电动势。
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]半导体薄膜及其制造方法以及使用该薄膜的太阳能电池-CN99104304.9有效
发明人：桥本泰宏;根上卓之;和田隆博;林茂生 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1999-03-24 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：提供了至少包含含有Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的n型化合物半导体层的半导体薄膜、其制造方法以及使用该半导体薄膜的太阳能电池。该太阳能电池包含有基板(71)，在基板(71)上顺序层合的背面电极(72)、p型半导体层(13)、n型化合物半导体层(12)、n型半导体层(14)、窗层(76)和透明导电膜(77)，p侧电极(78)，以及n侧电极(79)。n型化合物半导体层(12)含有Ib族元素、IIIb族元素、VIb族元素和II族元素，是载流子密度高的n型。
半导体薄膜及其制造方法以及使用太阳能电池

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN97126412.0有效
发明人：西谷干彦;根上卓之;小原直树;和田隆博;桥本泰宏 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1997-10-15 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池，包括以下部分：衬底；背电极，形成在所述衬底上；p型黄铜矿结构半导体膜，形成在所述背电极上；n型半导体膜，形成以与所述p型黄铜矿结构半导体膜形成pn结构；透明电极，形成在所述n型半导体膜上；其特征是：在所述p型黄铜矿结构半导体膜和所述n型半导体膜之间形成电阻率比所述p型黄铜矿结构半导体膜高的材料，该材料在p-型黄铜矿结构半导体膜表面上的多个晶界上形成岛状。
太阳能电池及其制造方法

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