专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]半幅面金属安全薄膜-CN201120484480.5有效
  • 周峰 - 安徽赛福电子有限公司
  • 2011-11-29 - 2012-08-29 - H01G4/06
  • 本实用新型涉及一种半幅面金属安全薄膜,所述经蒸镀出来的金属安全薄膜上的一半幅面为带有多个微型保险丝的金属安全膜区域,另一半幅面为普通的金属膜区域,且两区域间通过留边区分隔。本实用新型的积极效果在于:由于在金属膜真空蒸镀时,在基膜的一半幅面上使用油屏蔽技术或带屏蔽技术,使多个不相连的细小图案区域镀不上金属,从而形成多个微型保险丝,而另一半幅面不进行屏蔽处理,形成整块的金属区域,因此,薄膜蒸镀完成后进行分切就可以得到一对性能完全一致的配对金属安全膜和普通金属膜,用它们制成的金属安全膜电容器性能一致性和稳定性好,电容器寿命大幅度提高。
  • 幅面金属化安全薄膜
  • [实用新型]一种波浪分切薄膜电容-CN202223468726.7有效
  • 姜燚;陆建红;姜佳佳;马梦娟;姜珊 - 南通日精电子有限公司
  • 2022-12-26 - 2023-08-15 - H01G4/33
  • 本实用新型涉及一种波浪分切薄膜电容,包括电容芯,其特征在于:所述电容芯由依次堆叠设置的双面金属膜、光膜和单面金属膜卷绕而成,所述双面金属膜的两侧边缘为波浪形;所述光膜的两侧边缘均为波浪形;所述光膜两侧边缘的最大宽度与单面金属膜的的最大宽度相同,单面金属膜的绝缘介质层宽度大于金属层的宽度;所述光膜两侧边缘的最大宽度小于双面金属膜两侧边缘的最小宽度,双面金属膜在光膜的两侧均留边。优点是:相较单面金属膜具有更高的耐电流能力,能够使电极与喷金层的有效接触面积更大,光膜边缘的波浪形设计既能够确保有效接触面积,又能够在热定型时避免双面金属膜倒边现象。
  • 一种波浪薄膜电容
  • [发明专利]嵌入T线圈内的峰电感器-CN202010120404.X在审
  • 文卡塔·N·R·法努卡鲁;U·K·舒克拉;S·托加尔 - 格芯公司
  • 2020-02-26 - 2020-10-09 - H01L23/522
  • 本发明涉及嵌入T线圈内的峰电感器,揭示包括峰电感器及T线圈的结构,以及与形成此类结构关联的方法。后端工艺互连结构包括第一金属层级、第二金属层级,以及设置于该第一金属层级与该第二金属层级之间的第三金属层级。该T线圈包括具有设置于该第一金属层级中的第一线圈的第一电感器以及具有设置于该第二金属层级中的第二线圈的第二电感器。峰电感器包括设置于该第三金属层级中的线圈。该第一电感器的该第一线圈、该第二电感器的该第二线圈,以及该峰电感器的该线圈以叠置布置堆叠于该后端工艺互连结构中。
  • 嵌入线圈电感器
  • [发明专利]一种实现盲槽底部图形的加工方法-CN201310605514.5有效
  • 唐有军;关志锋;黄德业;詹世敬 - 广州杰赛科技股份有限公司
  • 2013-11-26 - 2014-03-26 - H05K3/00
  • 本发明公开了一种实现盲槽底部图形的加工方法,用于采用常规流程生产制作盲槽侧壁非金属,槽底部有金属通孔及线路图形的印制板,其先制作盲槽内金属孔及图形并在盲槽内线路加设电镀导线,使盲槽内图形与电路板外层导通,层压后正常经过沉铜将外层通孔金属,再将非盲槽区域用干膜覆盖保护,减去盲槽内的沉铜层,使之露出内层完整线路图形和金属孔,加工得到盲槽侧壁非金属,槽底通孔部有金属及线路图形的线路板。采用本发明的方法只要通过线路板常规流程就可实现盲槽侧壁非金属,槽底部有金属通孔及线路图形的生产,有效的解决了这类盲槽板不能按PCB常规加工工艺生产的局面,提高了产品合格率。
  • 一种实现底部图形加工方法
  • [实用新型]一种金属薄膜电容器-CN201220603927.0有效
  • 迟庆国;高亮;陈明华;孙嘉;王暄;雷清泉 - 哈尔滨理工大学
  • 2012-11-15 - 2013-04-03 - H01G4/14
  • 一种金属薄膜电容器,涉及电容器领域。本实用新型是要解决现有的金属薄膜电容器,存在存储容量低、耐电压能力差和耐电流能力差的技术问题。一种金属薄膜电容器,由壳体、引线和电容器芯子组成,其中,所述的电容器芯子是由上层单面双留边金属薄膜、中间层双面金属薄膜和下层单面双留边金属薄膜依次叠压卷制而成;所述的上层单面双留边金属薄膜为在薄膜的上表面的中间部分镀上第一金属层,两边留空不镀;所述的中间层双面金属薄膜为在薄膜的上表面镀上第二金属层,在薄膜的下表面镀上第三金属层,均不留空;所述的下层单面双留边金属薄膜为在薄膜的下表面的中间部分镀上第四金属层,两边留空不镀。
  • 一种金属化薄膜电容器
  • [发明专利]测试结构及测试半导体衬底的方法-CN200910057966.8有效
  • 阮玮玮;龚斌;施雯 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2009-09-28 - 2011-04-27 - H01L23/544
  • 根据本发明的测试结构的一个实施例包括金属层的一对互相交叉的梳状部分,所述金属层存在于形成在多晶硅加热器元件上的间层电介质(ILD)的凹陷中。所述金属层的第三部分包括插入所述梳状部分之间的蛇形金属线。在各金属部分的各个节点处的强制电压的施加以及读出电压的检测使得能够识别以下各项:(1)各金属部分中金属的电迁移;(2)金属从一个金属部分伸出而接触到另一金属部分;(3)ILD的依赖于时间的电介质击穿(TDDB)及击穿电压(Vbd);(4)移动离子对各金属部分的污染;及(5)ILD的介电常数k值和k值的漂移。
  • 测试结构半导体衬底方法
  • [发明专利]一种金属薄膜制作方法-CN201610732825.1有效
  • 宋仁祥;宋仁喜;罗章;朱杰;董志乐 - 安徽省宁国市海伟电子有限公司
  • 2016-08-27 - 2017-09-29 - C22C1/02
  • 本发明涉及一种金属薄膜制作方法,将Al、Sn、Na、K、Si熔炼制成金属丝,再将金属丝送入真空镀膜机中进行真空蒸镀作业制成原料膜,原料膜经过分切后即制成金属薄膜。该金属薄膜的自愈能量低,发热量小,自愈时间很短,自愈的灵敏性很高,对疵点隔离优良,对疵点附近的绝缘介质损伤小,避免发生多层绝缘介质连续击穿造成大面积灼伤的现象,该金属薄膜的使用寿命高,安全性好。当该金属薄膜在85~100℃的高温环境下使用时,由于该金属薄膜能够快速自愈且发热量低,高温环境对该金属薄膜的影响小。
  • 一种金属化薄膜制作方法

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