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[发明专利]一种具有无金属侧壁交叉盲槽板的生产方法-CN202110425448.8在审
发明人：卢锴;关志锋;李超谋;刘国汉;房鹏博 -专利权人：珠海杰赛科技有限公司;广州杰赛科技股份有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H05K3/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种无金属侧壁交叉盲槽板的生产方法，在加工出盲槽后钻出盲槽内的通孔，采用电镀沉铜工艺实现盲槽和槽内通孔金属化，将需要保留金属侧壁和金属面的部分覆盖上防护层，经过减铜线后褪去防护层，实现盲槽侧壁非金属化本发明克服了盲槽在含有金属化孔时无法实现侧壁非金属化的技术问题，消除玻纤材料中盲槽侧壁因金属化产生铜瘤的缺陷，提高盲槽与后续元器件的可装配性，还消除了侧壁金属化所带来的镀铜厚度不均的隐患，显著提高了盲槽的尺寸精度
一种有无金属侧壁交叉盲槽板生产方法

[实用新型]不对称式T型薄膜电容-CN200820105088.3无效
发明人：王培钟 -专利权人：台金科技股份有限公司
申请日： 2008-04-22 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：一种不对称式T型薄膜电容，使用于薄膜电容中，包括第一层金属化膜和第二层金属化膜，其特征在于：所述第一层金属化膜是在塑胶膜表面蒸着金属电极，且设有并联连续不对称的区块；所述第二层金属化膜的上端设置成型为空白区，且其余部分蒸着为金属电极；所述第二层金属化膜和所述第一层金属化膜重叠卷折而成一电容器，且在所述电容器侧喷涂金属融层容置入所述电容器。
不对称薄膜电容

[实用新型]一种介质波导滤波器-CN202023039182.3有效
发明人：郑纬宇;张安学;舒敏杰;陈建忠;陈源宝 -专利权人：人民华智通讯技术有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种介质波导滤波器，其包括至少三个互连的介质波导谐振腔和金属化盲孔。金属化盲孔具有至少一排，每排金属化盲孔具有至少两个。周期排列的金属化盲孔与介质波导滤波器的金属化顶面构成人工导磁体结构。人工导磁体结构是一种电磁带隙结构，在电磁带隙结构的阻带内，电磁波通过该周期排列的金属化盲孔将会指数式衰减，即电磁带隙结构的阻带可以阻碍电磁波的传播。且对于该周期排列的金属化盲孔，电场分布于金属化盲孔和介质波导滤波器的金属顶面之间，因而在该相邻的两个介质波导谐振腔间产生了负耦合。利于提高陶瓷介质波导滤波器的选择性和实现滤波器的小型化。
一种介质波导滤波器

[发明专利]在多晶硅栅电极中具有金属填充的凹槽的半导体器件-CN201310717033.3有效
发明人： O·布兰克;R·西米尼克;L·J·叶 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在多晶硅栅电极中具有金属填充的凹槽的半导体器件。该器件进一步包括衬底上的介电层、位于介电层上并覆盖衬底的一部分的栅极金属化层以及位于介电层上并电连接至源极区的源极金属化层。源极金属化层与栅极金属化层间隔开，且与栅极金属化层相比，源极金属化层覆盖衬底的不同部分。多晶硅栅电极中的金属填充的凹槽电连接至栅极金属化层并沿着源极金属化层的至少一部分下方的沟槽的长度延伸。
多晶电极具有金属填充凹槽半导体器件

[实用新型]一种用于电机的高散热性能多层印制线路板-CN201821648618.9有效
发明人：叶何远;赖新建;张惠琳 -专利权人：信丰福昌发电子有限公司;深圳市福昌发电路板有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H05K1/16 文献下载
摘要：本实用新型属于印制线路板技术领域，具体提供一种用于电机的高散热性能多层印制线路板，包括一个非金属化中心安装孔、至少三个非金属化安装定位孔、至少三个金属化插件孔、若干个金属化通槽，该多层印制线路板层数在十层以上所述金属化通槽连接多层印制线路板各层间线路，并通过金属化通槽对外散热。该线路板内层线路设置为仿线圈绕组线路，代替了传统的线圈，使得绕组体积极大缩小，从而使得电机更加小型化、扁平化；该线路板设置大量金属化通槽，不仅可以使得内层线路相连，还可以散热，使得电机整体散热性能得以得高
线路板金属化多层通槽电机印制高散热性能非金属化内层线路线圈绕组散热整体散热性能安装定位孔中心安装孔线路板层线路设置印制线路扁平化插件孔传统的层间

[发明专利]碳纳米管表面金属化的方法-CN201510073157.1在审
发明人：刘丹丹;周世武;张永毅;李清文;金赫华 -专利权人：苏州捷迪纳米科技有限公司
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： C23C18/18 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管表面金属化的方法，其包括以下步骤：对碳纳米管依次进行蚀刻、敏化、活化、还原的预处理，得到具有均匀催化中心的碳纳米管；对所述具有均匀催化中心的碳纳米管进行化学镀，使得碳纳米管表面金属化；烘干所述表面金属化的碳纳米管。与现有技术相比，通过本发明中的方法将碳纳米管表面金属化，得到的金属化纤维致密，均匀，碳纳米管表面金属化后具有高电导率、高强度，柔性好等优点。
纳米表面金属化方法

[发明专利]在端子的脚部下方的金属化层中具有凹陷的功率半导体模块-CN201880046301.4在审
发明人： M.马莱基;F.菲舍尔;D.特吕泽尔;R-A.吉耶曼;D.施奈德 -专利权人： ABB电网瑞士股份公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种功率半导体模块（10）包括：绝缘衬底（14），所述绝缘衬底（14）具有顶部金属化层（22）；半导体芯片（40），所述半导体芯片（40）接合到顶部金属化层（22）；以及端子（12），所述端子（12）利用脚部（28）焊接到顶部金属化层（22）并且电互连到半导体芯片（40）。顶部金属化层（22）和衬底（14）的与顶部金属化层（22）相对设置的底部金属化层（44）中的至少一个包括多个凹陷（34），所述多个凹陷（34）在焊接脚部（28）下方和/或在焊接脚部（28）周围分布在连接区域
端子部下金属化具有凹陷功率半导体模块

[发明专利]金属化膜及金属化薄膜电容器-CN202110338464.3在审
发明人：陈渊伟;向艳雄;陈文耀 -专利权人：厦门法拉电子股份有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属化膜及具有该金属化膜的金属化薄膜电容器，其中金属化膜包括：薄膜介质层、第一电极层和第二电极层；其中，所述第一电极层蒸镀在所述薄膜介质层一侧外表面上，所述第二电极层与所述薄膜介质层相对蒸镀在所述第一电极层外表面上；所述第二电极层包括加厚部和渐变部；能够使得金属化膜与电流密度分布相吻合，减小最终金属化薄膜电容器电场畸变、层间气隙，提高电容器的寿命。
金属化薄膜电容器

[发明专利]一种局部互联晶硅电池结构及其制备方法-CN202210286237.5在审
发明人：杨飞飞;张波;赵科巍;李雪方;郭丽 -专利权人：山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：一种局部互联晶硅电池结构，包括从下而上的背面金属化图案、激光烧蚀穿透结构、正面金属化图案，背面金属化图案和正面金属化图案都被分割成同等数量且对应的独立区块金属化图案，任意一个背面独立区块图案与该背面独立区块图案相邻的一个背面独立区块图案对应的正面独立区块图案通过激光烧蚀穿透结构连接构成互联区块，多个互联区块通过互联图案构成两个独立区块金属化图案数量相同的串联的图案作为晶硅电池的正负极输出。
一种局部互联晶硅电池结构及其制备方法

[发明专利]功率半导体芯片的铜金属化结构及其制备方法-CN201410213230.6有效
发明人：刘国友;覃荣震;黄建伟 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体芯片的铜金属化结构及其制备方法，所述铜金属化结构包括依次位于衬底上方的阻挡层、籽铜层和铜金属化层，还包括：增强层；其中，所述增强层位于所述籽铜层和所述铜金属化层之间；或者，所述增强层位于所述阻挡层和所述籽铜层之间；或者，所述增强层位于所述铜金属化层上方。该结构有利于减少铜金属化层的厚度，有利于降低工艺难度和成本，并且能够保证铜引线键合点的寿命与可靠性。
功率半导体芯片金属化结构及其制备方法

[发明专利]半导体装置-CN200910134054.6有效
发明人：陈明发;陈承先 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-04-08 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种形成凸块下金属化层的系统与方法与其所形成的半导体装置，其减少凸块下金属化层(under bump metallization，UBM)、直通硅晶穿孔(through silicon via，TSV)一优选实施例包括于多个直通硅晶穿孔上形成一凸块下金属化层，而该凸块下金属化层只连接至全部直通硅晶穿孔的部分，且凸块下金属化层位于其上。该凸块下金属化层之下可额外形成连接至直通硅晶穿孔的引线于以于裸片的表面上保留更多空间。
半导体装置

[发明专利]使用锡焊膏进行的基板与焊件的接合方法-CN201310063158.9有效
发明人：石川雅之;中川将 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2009-06-12 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：在使用该锡焊膏进行的基板与焊件的接合方法中，在形成于上述基板上的金属化镀层与形成于上述焊件上的金属化镀层之间搭载或涂抹上述锡焊膏，然后在非氧化性气氛中进行回流焊处理，将上述基板与上述焊件接合。在上述基板的表面上形成的上述金属化镀层具有平面形状，该平面形状包含面积比上述焊件的上述金属化镀层面积小的金属化镀层本体部分和自上述金属化镀层本体部分的周围突出的锡焊引导部。
使用锡焊膏进行接合方法

[发明专利]包括互连区的单面电子模块的制造方法-CN201680004744.8有效
发明人： S.奥托邦;L.多塞托;L.查理斯;T.拉维龙 -专利权人：格马尔托股份有限公司
申请日： 2016-02-09 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子芯片模块（17）的制造方法，所述电子芯片模块（17）包括金属化以及集成电路芯片，可从金属化的第一侧接入该金属化，集成电路芯片被从所述金属化的与所述第一侧相对的第二侧部署。所述方法的特征在于，其包括形成电互连元件（9C、19C、30）的步骤，所述电互连元件（9C、19C、30）不同于所述金属化，直接与所述芯片相连并且被从所述金属化的第二侧部署。
包括互连单面电子模块制造方法

[实用新型]一种金属化复合介质膜电容器芯子-CN201120222375.4无效
发明人：汪秀义;牧运荣;郜源锋 -专利权人：铜陵源丰电子有限责任公司
申请日： 2011-06-28 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属化复合介质膜电容器芯子，所述的芯子由两层平行的金属化膜和两层介质层[3、6]卷绕而成，一层介质层位于一层金属化膜的下方构成一组，所述的介质层[3、6]为聚酯薄膜，所述的金属化膜为聚丙烯薄膜[2、5]上蒸镀金属化层[1、4]，金属化层与聚丙烯薄膜之间设有留边。
一种金属化复合介质电容器芯子

[发明专利]使用锡焊膏进行的基板与焊件的接合方法-CN200980120436.1有效
发明人：石川雅之;中川将 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2009-06-12 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：在使用该锡焊膏进行的基板与焊件的接合方法中，在形成于上述基板上的金属化镀层与形成于上述焊件上的金属化镀层之间搭载或涂抹上述锡焊膏，然后在非氧化性气氛中进行回流焊处理，将上述基板与上述焊件接合。在上述基板的表面上形成的上述金属化镀层具有平面形状，该平面形状包含面积比上述焊件的上述金属化镀层面积小的金属化镀层本体部分和自上述金属化镀层本体部分的周围突出的锡焊引导部。
使用锡焊膏进行接合方法