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[发明专利]半导体装置和制作半导体装置的方法-CN201611142856.8有效
发明人：汉斯-马丁·里特;约阿希姆·乌茨格;法兰克·伯迈斯特;霍德弗里德·亨克里斯·约瑟夫斯·诺特曼斯;约亨·韦南茨;雷内·明茨拉夫 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体装置和制作半导体装置的方法。该装置包括基板，该基板包括主表面和背面。该装置还包括介电分隔，该介电分隔用于将基板的第一部分与基板的第二部分电隔离。介电分隔从主表面延伸穿过基板到背面。
半导体装置制作方法

[发明专利]静电放电保护器件-CN201510632924.8有效
发明人： 霍德弗里德·亨克里斯·约瑟夫斯·诺特曼斯;汉斯-马丁·里特 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种静电放电(ESD)保护器件。所述静电放电保护器件可以包括：半导体控制型整流器以及p‑n二极管。在半导体衬底的主表面上横向一体布置所述半导体控制型整流器和所述二极管；并且所述半导体控制型整流器的电流通路与所述二极管的电流通路相分离。
静电放大保护器件

[发明专利]半导体器件-CN201510251633.4有效
发明人： 霍德弗里德·亨克里斯·约瑟夫斯·诺特曼斯;汉斯-马丁·里特 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2015-05-18 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种半导体器件(300a)，包括具有第一表面(303)的衬底(302)；n型阱(304)，从第一表面(303)延伸到衬底(302)中并被配置为在衬底(302)中形成包围n型阱(304)的耗尽区(306)；绝缘层(340)，在衬底(302)的第一表面(303)上从n型阱(304)延伸，绝缘层(340)被配置为在衬底(302)中形成从与第一表面(303)邻接的n型阱(304)延伸的反型层(342)；其中设置p型浮动沟道挡块(370a)，p型浮动沟道挡块被配置为延伸穿过反型层(342)，以降低n型阱(304)和反型层(342)的至少一部分之间的耦合，并与衬底在所述耗尽区(306)外部的剩余部分(320)电断开。
半导体器件