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[发明专利]一种锗氮共掺的碳化硅单晶材料的生长方法-CN201710229299.1有效
发明人：陈秀芳;李天;徐现刚;胡小波 -专利权人：山东大学
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗氮共掺的碳化硅单晶材料生长方法。该方法采用PVT法，在掺锗碳化硅体单晶生长过程中，将特定比例的氮气通入生长气氛中，通入氩气作为载气压力控制在700～850mbar，氩气流量为15‑30sccm，氮气流量为0.5‑2sccm；得到锗氮共掺杂的碳化硅单晶
一种锗氮共掺碳化硅材料生长方法

[发明专利]一种偏晶向重掺单晶的拉制方法-CN201310381232.1有效
发明人：陈澄;张雪囡;张长旭;朱鹏浩;张磊;刘一波;李亚哲 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明提供一种偏晶向重掺单晶的拉制方法，包括装料、装入偏晶向籽晶、抽空、化料、掺杂、稳温、引晶、扩肩、转肩、等径和收尾等过程，上述拉制方法使用偏晶向籽晶拉制单晶。本发明利用简单的方法有效降低了重掺单晶的RRV，改善重掺单晶的径向电阻率均匀性。
一种重掺单晶拉制方法

[发明专利]一种生长直拉硅单晶的重掺杂方法及掺杂装置-CN03126463.8在审
发明人：屠海令;吴志强;戴小林;方锋;张果虎;周旗钢 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2003-09-28 - 公布日： 2005-03-30 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及自熔融提拉法单晶中的掺杂工艺及设备。该法将掺杂剂置于石英舟中，当硅单晶体形成圆柱体后，其圆柱体长度处于0－200毫米之间的任一长度时，在拉制硅单晶体的同时，将掺杂剂加热形成气体，扩散到硅熔体中，使掺杂剂全部挥发成气体过程中，继续进行硅单晶的拉制，至硅单晶拉制完成。本法用于重掺杂，简化工艺，减少了回熔系数。
一种生长直拉硅单晶掺杂方法装置

[实用新型]一种提高重掺锑硅单晶氧含量的石英环-CN202120487013.1有效
发明人：潘金平;肖世豪;张立安;吴雄杰;沈益军;饶伟星;苏文霞;白超;王志雄;陈伯弘 -专利权人：浙江海纳半导体股份有限公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及硅单晶技术领域，具体的说是一种提高重掺锑硅单晶氧含量的石英环。包括防浮骨架，在防浮骨架上固定石英，石英包裹防浮骨架构成石英环体。
一种提高重掺锑硅单晶氧含量石英

[发明专利]一种提高区熔硅单晶电阻率均匀性的行波磁场法-CN201210059753.0无效
发明人：李建宏;张雪囡;菅瑞娟;王遵义;刘铮;王刚;赵宏波 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高区熔硅单晶电阻率均匀性的行波磁场法，其特征在于，在硅熔体外部安装行波磁场发生器，在区熔硅单晶拉晶过程中向硅熔体施加行波磁场；通过行波磁场加强区熔硅单晶中心部位硅熔体的纵向对流强度，进而带动硅熔体边缘部位的流动强度S极的间距为1～50cm，磁场的最大强度为400～800Gauss，磁场速度为1～4cm/s；通过控制行波磁场N极S极间距，调整对流路径和增加对流强度，最终使掺杂剂在硅熔体中的分布更加均匀，提高区熔气掺硅单晶的径向电阻率均匀性
一种提高区熔硅单晶电阻率均匀行波磁场

[发明专利]P型背面隧穿氧化钝化接触太阳能电池的制备方法-CN202211465660.8在审
发明人：钱洪强;周海龙;张俊巍;李怡洁;王晓蕾 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种P型背面隧穿氧化钝化接触太阳能电池的制备方法，所述方法包括对P型单晶硅片的背面进行氧化形成超薄隧穿氧化层和制备掺硼硅薄层、在所述掺硼硅薄层上形成磷掺杂硅薄膜层和第一钝化减反射层；且在所述氮化硅钝化减反射层开具孔洞，露出所述磷掺杂硅薄膜层；且在开具孔洞部位对应的磷掺杂硅薄膜层上进一步制备镍合金层；在单晶硅片的正面进行磷扩散，并制作选择性发射极；在磷扩散后的所述单晶硅片的正面形成第二钝化减反射层，在第二钝化减反射层的基础上形成N型重掺杂多晶硅层，进而减小了金属接触区域的复合损失，进而提升了电池的转换效率；且镍合金层十分致密，可以有效阻挡铝的穿透，从而保证电池具有良好的钝化性能。
背面氧化钝化接触太阳能电池制备方法

[发明专利]硅单晶棒回收装置及方法、液氮供应装置-CN201510661933.X有效
发明人：张汝京;林志鑫;肖德元 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅单晶棒回收装置及方法、液氮供应装置，其中，所述硅单晶棒回收装置包括用于盛装待回收的硅单晶棒的硅单晶棒容器；用于盖住并密封所述硅单晶棒容器的盖体；穿过所述盖体与所述硅单晶棒容器连通的第一管路；一端与所述硅单晶棒容器的侧壁连通的第二管路；一端与所述硅单晶棒容器的侧壁连通的第三管路；与所述硅单晶棒容器的侧壁连通的第四管路。液氮从第二管路流入硅单晶棒容器后，热去离子水通过第一管路流入硅单晶棒容器对其中的硅单晶棒淬火，淬火完成后的水通过第四管路排出，即可收集无污染的硅单晶碎块。在整个过程中，不会引入其他杂质，实现了无污染且快速的回收硅单晶棒，方便后续使用，降低了成本，提高了效益。
硅单晶棒回收装置方法液氮供应

[发明专利]一种制造掺镓单晶硅太阳能电池的磷扩散方法-CN200910024890.9有效
发明人：王立建;王栩生;章灵军 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司
申请日： 2009-03-02 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造掺镓单晶硅太阳能电池的磷扩散方法，包括如下6个步骤：热处理、第一次磷扩散、第一次驱入处理、第二次磷扩散、第二次驱入处理、保温，从而完成掺镓单晶硅片的磷扩散处理。本发明的磷扩散方法降低了掺镓单晶硅片的表面复合，提高了其光电转换效率，降低了效率的衰减；实际应用证明，采用本发明的方法得到电池片与常规扩散处理得到的电池片相比，其光电转换效率可提高0.5％左右，具有显著的积极意义
一种制造单晶硅太阳能电池扩散方法

[发明专利]掺磷单晶硅生产中防尘爆的抽真空方法及应用其的掺磷单晶硅生产方法-CN202010024633.1有效
发明人：万军召 -专利权人：郑州合晶硅材料有限公司
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺磷单晶硅生产中防尘爆的抽真空方法，用于生产掺磷单晶硅的单晶炉包括相互连通的主室和副室，所述副室设于所述主室上方；所述抽真空方法包括以下步骤：S1、采用第一管道将主阀和主泵依次连通到所述主室，并关闭所述主阀和主泵；S2、采用第二管道将辅助阀和副泵依次连通到所述副室，采用第三管道将快充阀连通至所述主室或所述副室；打开所述辅助阀和副泵将所述单晶炉内的空气抽出，控制所述快充阀向所述单晶炉内通入惰性气体通过上述抽真空方法，可以实现逐渐减少炉内的空气含量，在抽真空的同时不满足尘爆条件；本发明中还提供了应用该防尘爆的抽真空方法的掺磷单晶硅生产方法，提供了安全生产掺磷单晶硅的保证。
单晶硅生产防尘真空方法应用

[发明专利]一种高压超快恢复二极管芯片及其制造方法-CN202110170304.2有效
发明人：郭晓丽;王启进;马爱玲;高燕红;宋传利 -专利权人：临沂卓芯电子有限公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高压超快恢复二极管芯片及其制造方法，包括：1)、预清洗；2)、烘干；3)、光刻；4)、第一次刻槽：第一次腐蚀液按体积比配酸：H2SO4:HNO3:CH3COOH:HF＝9:9:12:4,把高阻硅单晶片上的沟槽腐蚀到120±5微米；5)、第二次刻槽：第二次腐蚀液按体积比配酸：HNO3:CH3COOH:HF＝5:3:3，把高阻硅单晶片上的沟槽腐蚀到145±5微米；6)、冲水去胶；7)、去损伤清洗：把高阻硅单晶片在体积比为
一种高压恢复二极管芯片及其制造方法

[发明专利]一种高纯碳化硅单晶衬底-CN201811204666.3有效
发明人：高超;柏文文;张红岩 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种高纯碳化硅单晶衬底，属于半导体材料领域。该高纯碳化硅单晶衬底至少包括碳化硅单晶衬底表层和碳化硅单晶衬底主体层，该碳化硅单晶衬底表层的本征点缺陷浓度小于该碳化硅单晶衬底本体层的本征点缺陷浓度，所述碳化硅单晶衬底具有半绝缘性。该高纯碳化硅单晶衬底表层的本征点缺陷的低浓度，使得高纯碳化硅单晶作为GaN外延的基底时，GaN和碳化硅单晶的晶格适配度更高，使得制备的GaN外延层的质量更佳；且高纯碳化硅单晶的主体层具有一定浓度的内部点缺陷，可以保持高纯碳化硅单晶衬底的半绝缘特性。
一种高纯碳化硅衬底

[实用新型]硅单晶棒运输冷却车装置-CN200920186922.0无效
发明人：刘天贵;马青;李春雷;高熙礼 -专利权人：合肥景坤新能源有限公司
申请日： 2009-08-13 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及硅单晶棒运输冷却车装置，包括有箱体形式的硅单晶护套，硅单晶护套上连接有车架，车架顶端设有车扶手，硅单晶护套底部安装有车轮，硅单晶护套顶面开有开孔，硅单晶棒可沿着车架通过开孔放入硅单晶护套中本实用新型可以根据硅单晶棒的长度调节硅单晶棒固定套的高度；本实用新型在操作全过程避免了硅单晶棒与金属车直接接触，因此避免了由于局部冷速过快而导致位错增加以及硅单晶的隐裂的问题；同时本实用新型设计了平衡滑轮
硅单晶棒运输冷却装置

[发明专利]一种掺锗改善碳化硅单晶衬底面型参数的方法-CN202210551272.5在审
发明人：王蓉;许彬杰;皮孝东;徐所成;王亚哲;陈鹏磊;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺锗改善碳化硅单晶衬底面型参数的方法，在物理气相传输法(PVT)生长碳化硅单晶过程中掺入非电活性的锗杂质，锗杂质会钉扎硅核心不全位错，通过位错钉扎效应阻止Si核心不全位错的滑移，抑制单晶衬底在加工过程中的机械应力下的滑移，以实现改善碳化硅单晶衬底面型参数的目的。为了控制生长初期锗的高蒸汽压，防止锗原子在生长表面的团簇效应，并保证生长过程中锗源的持续供应，实现晶体生长过程中的均匀掺杂，本发明使用锗烷(GeH4)气体作为锗的掺杂源，在PVT单晶生长的同时
一种改善碳化硅衬底参数方法

[发明专利]一种拉制8英寸重掺砷硅单晶的热系统-CN201310058263.3有效
发明人：陈澄;王林;朱鹏浩;宋都明;李亚哲;刘一波 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2013-02-25 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明提供一种拉制8英寸重掺砷硅单晶的热系统，包括导流筒、保温盖和上保温筒，所述上保温筒上设有保温盖，所述保温盖的一端连接所述导流筒，其特征在于：所述上保温筒的高度为220mm，所述导流筒的高度为349mm
一种拉制英寸重掺砷硅单晶系统

[发明专利]硅单晶的制造方法-CN98100136.X有效
发明人：阿部孝夫;木村雅规 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 1998-01-16 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：在一种利用柴克劳斯基法制造硅单晶的方法中，使用一种具有尖点形状或是尖点截头之尖端的晶种。晶种尖端缓慢与硅熔体接触，并且以缓慢的速度降低晶种的高度，以便熔融晶种尖端部直到该尖端部的面积增加到预定值。接着慢慢将晶种向上提拉，以便生长出具有预定直径的硅单晶晶锭而不进行缩颈操作。此方法可以轻易地提拉出重的硅单晶，而不进行缩颈操作，同时不需要使用例如晶体固定机构等的复杂装置。
硅单晶制造方法

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