专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种防虫防潮书画柜-CN202011582387.8有效
  • 张建园;席聂杆;熊四贤 - 江西元正木业有限公司
  • 2020-12-28 - 2022-04-29 - A47B63/00
  • 本发明公开了一种防虫防潮书画柜,属于书画柜领域,其包括柜体;其上具有一防虫装置,防虫装置包括转轴和驱动装置,转轴上活动设置有存放驱虫剂的释放球,释放球上设有释放孔;转轴为中空状结构,位于释放球内的转轴上设置有若干通风口;缓释腔从里至外依序包括至少可单独移动的第一释放、第二释放以及第三释放,第一释放、第二释放以及第三释放上具有通孔,第一释放、第二释放以及第三释放移动时,其上的通孔之间能够相互连通或相互封闭本发明通过多级控制驱虫剂的释放速率进行控制,一方面对驱虫剂的使用寿命得到大大延长,另一方面,能够控制驱虫剂的浓度,对柜体的环境具有一定的稳定作用。
  • 一种防虫防潮书画
  • [发明专利]发光二极管外延片的制备方法-CN201911337984.1有效
  • 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 - 华灿光电(苏州)有限公司
  • 2019-12-23 - 2021-08-03 - H01L33/00
  • 应力释放的生长温度从N型GaN的生长温度降低至第一生长温度,应力释放内积累的热应力的方向与N型GaN内热应力的方向相反,应力释放内的热应力与N型GaN内热应力相互抵消部分,应力释放内会积累的应力较少后续再使应力释放的生长温度从第一生长温度逐渐升高至第二生长温度,应力释放的生长温度从第二生长温度逐渐降低至有源的生长温度,应力释放内部的热应力可以自我抵消部分,使得应力释放内最终积累的应力较少,应力释放释放应力的效果较好,后续生长有源时会延伸至有源的应力少,可以提高有源的晶体质量。
  • 发光二极管外延制备方法
  • [发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法-CN201710400369.5有效
  • 刘华容;万林;胡家辉 - 华灿光电(浙江)有限公司
  • 2017-05-31 - 2019-05-14 - H01L33/12
  • 外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲、未掺杂氮化镓、N型氮化镓、缺陷阻挡、第一应力释放、第二应力释放、第三应力释放、发光和P型氮化镓,缺陷阻挡为掺杂硅的铝镓氮,第一应力释放为掺杂硅的氮化镓,第二应力释放包括交替层叠设置的多个第一子和多个第二子,第一子为未掺杂的铟镓氮,第二子为掺杂硅的氮化镓,第三应力释放为掺杂硅的铟镓氮;缺陷阻挡中硅的掺杂浓度低于第一应力释放,第一应力释放中硅的掺杂浓度高于各个第二子,各个第二子中硅的掺杂浓度低于第三应力释放
  • 一种发光二极管外延及其制备方法
  • [发明专利]一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法-CN201911040056.9有效
  • 王东雷 - 武汉华星光电技术有限公司
  • 2019-10-29 - 2023-09-26 - H01L27/12
  • 显示面板包括阵列基板,阵列基板设有显示区、行驱动区以及位于行驱动区背离所述显示区一侧的静电释放区,在所述静电释放区内设有静电释放单元;所述静电释放区包括层叠设置的缓冲、半导体、栅极绝缘、栅极金属间绝缘以及平坦;所述栅极金属的投影与所述半导体的投影相离设置,且所述栅极金属的投影靠近所述行驱动区;其中所述半导体、所述栅极绝缘以及所述栅极金属形成所述静电释放单元。本发明通过在显示区以外设置静电释放区来诱发静电释放,避免了在显示区内的有源和栅极金属之间发生静电释放炸伤阵列基板,避免了在显示区产生亮点,保证了显示效果。
  • 一种阵列显示面板制造方法
  • [发明专利]一种高ESD的Mini LED的外延结构生成方法-CN202211606157.X在审
  • 贺卫群;刘恒山;马昆旺;邹声斌 - 福建兆元光电有限公司
  • 2022-12-14 - 2023-03-28 - H01L33/02
  • 本发明涉及LED芯片技术领域,具体涉及一种高ESD的Mini LED的外延结构生成方法,包括如下步骤:S2:在多量子阱有源区上生长的第一静电释放,在第一静电释放上生长第二静电释放,在第二静电释放上生长第三静电释放;所述第二静电释放的Mg掺杂浓度为1.1‑5E+16atom/cm3,第一静电释放的Mg掺杂浓度是第三静电释放Mg掺杂浓度的1.1‑5倍,第二静电释放的Mg掺杂浓度是第一静电释放的Mg掺杂浓度的0.1%‑2%;本发明的原理或有益效果说明:由于Mini LED相比于常规LED尺寸减小的情况下,ESD性能显得尤为重要,本发明提供的高ESD的Mini LED
  • 一种esdminiled外延结构生成方法
  • [发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法-CN201710388642.7有效
  • 武艳萍 - 华灿光电(浙江)有限公司
  • 2017-05-27 - 2020-03-27 - H01L33/00
  • 外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲、成核、未掺杂氮化镓、N型氮化镓、多量子阱和P型氮化镓,外延片还包括应力释放,应力释放为氮化镓,应力释放层层叠在成核中,或者应力释放层层叠在成核和未掺杂氮化镓之间,或者应力释放层层叠在未掺杂氮化镓中,或者应力释放层叠在未掺杂氮化镓和N型氮化镓之间。本发明通过在成核和未掺杂氮化镓之间插入应力释放,可以对衬底和氮化镓材料之间晶格失配产生的应力进行释放,避免应力影响外延片的翘曲度,衬底的表面平整,多量子阱受热均匀,外延片发光波长的均匀性提高。
  • 一种发光二极管外延及其制备方法
  • [发明专利]压力传感器及其制造方法-CN201110124603.9有效
  • 康晓旭 - 上海集成电路研发中心有限公司
  • 2011-05-13 - 2011-12-14 - B81C1/00
  • 该压力传感器制造方法,其特征在于包括:在衬底上自下而上依次形成顶层通孔图形和顶层金属图形;在顶层金属上形成牺牲;在牺牲中形成支撑槽;沉积释放保护;在支撑槽中的释放保护中形成接触孔图形;沉积金属上电极,并实现金属上电极的图形化以形成金属上电极,所述的金属上电极通过接触孔与顶层金属图形相连;进一步沉积释放保护,并实现释放保护图形化;在释放保护中形成释放孔;以及完成释放工艺并沉积封盖材料
  • 压力传感器及其制造方法
  • [发明专利]谐振器的制备方法和谐振器-CN201911237645.6在审
  • 程诗阳;吴珂;李杨;王超 - 瑞声科技(新加坡)有限公司
  • 2019-12-05 - 2020-04-10 - H03H9/17
  • 本发明提供了谐振器的制备方法和谐振器,谐振器的制备方法包括空腔形成步骤,提供基层材料,自所述基层材料的顶面开设空腔,并在空腔内沉积第一牺牲释放槽形成步骤,在基层材料的顶面沉积形成与空腔对应的第一底电极,同时形成位于第一底电极上的释放槽,释放槽的投影至少部分位于空腔上,在释放槽内沉积第二牺牲释放孔形成步骤,在基层材料和第一底电极上成型压电,在压电上开设贯穿其的释放孔,释放孔的投影至少部分位于释放槽上;通过释放孔蚀刻释放第一牺牲和第二牺牲,制得谐振器。本发明谐振器的制备方法在制造谐振器时,不用在空腔的边缘向外延伸释放槽,减小了空腔需要释放的体积,从而有效提升了牺牲释放效率。
  • 谐振器制备方法

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