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[发明专利]碳化硅电池-CN202011308295.0有效
发明人：吴兆;徐琛;李子峰;靳金玲;解俊杰 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅电池，涉及太阳能光伏技术领域。碳化硅电池包括：电子选择性接触层、空穴选择性接触层、碳化硅吸收层；电子选择性接触层碳化硅吸收层之间具有第一界面层；和/或，空穴选择性接触层、碳化硅吸收层之间具有第二界面层；第一界面层、第二界面层的材料均选自碱金属第一界面层和/或第二界面层，钝化金属与碳化硅材料接触区域的缺陷，降低接触界面势垒，降低串联电阻，提升碳化硅电池的光电转换效率。
碳化硅电池

[发明专利]带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法-CN201310559750.8有效
发明人：刘新宇;许恒宇;汤益丹;蒋浩杰;赵玉印;申华军;白云;杨谦 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，包括：清洗碳化硅衬底；在碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜；采用LPCVD方法在得到的离子注入牺牲层薄膜上生长用于控制刻蚀工艺的选择性截止层；采用外延或者生长的方法，在选择性截止层上形成绝缘介质掩蔽层；在绝缘介质掩蔽层上匀光刻胶，并光刻显影出选择性离子注入区域窗口；从选择性离子注入区域窗口对绝缘介质掩蔽层进行干法刻蚀或者腐蚀直至选择性截止层的表面此种制作掩模的方法适用于碳化硅SBD、JBS二极管、MOSFET器件以及其他需要使用高温高能量离子注入的碳化硅器件。
带有选择性截止碳化硅高温离子注入制造方法

[发明专利]一种碳化钼（MoC）硫化氢选择性氧化脱硫催化剂及其制备方法-CN201910284632.8在审
发明人：雷永鹏;周科朝;刘毅 -专利权人：中南大学
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化钼(MoC)硫化氢选择性氧化脱硫催化剂及制备方法，属于催化剂合成技术领域。其特征在于所述的催化剂为氮掺杂碳上负载碳化钼(MoC),具体制备步骤为：先通过一次热处理制备出碳化二钼(Mo₂C),然后将Mo₂C与石墨相氮化碳混合后进行二次热处理制备出催化剂所述的催化剂在较低温度范围(100‑250℃)实现硫化氢选择性氧化脱硫，具有良好的硫收率(190℃硫收率即可高于98％)及较高的硫选择性(100‑190℃其硫选择性高于99％)。
制备硫化氢选择性碳化钼催化剂氧化脱硫催化剂收率催化剂合成二次热处理次热处理碳化二钼氧化脱硫氮掺杂氮化碳石墨相

[发明专利]负载型碳化钯催化剂及其制备方法和应用-CN202211605175.6在审
发明人：于吉红;白日升 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： B01J29/035 文献下载
摘要：本发明属于催化技术领域，具体涉及负载型碳化钯催化剂及其制备方法和应用。本发明提供了负载型碳化钯催化剂，包括分子筛，以及限域于所述分子筛孔道中的碳化钯。在本发明中，所述碳化钯中钯为氧化态、具有较高的活性，同时与氢气具有较高的结合性能，展现出良好的选择性催化加氢性能。在本发明中，相较于烯烃官能团，所述碳化钯对炔烃官能团的结合能力更强，不倾向于将烯类物质催化还原，提高了催化剂的炔烃选择性加氢到烯烃的选择性。
负载碳化催化剂及其制备方法应用

[发明专利]用于纸的选择性碳化的设备和方法-CN201480018872.9有效
发明人：文卡特施·赛莎雅多雷斯瓦米钱德拉塞卡兰 -专利权人：托卡诺控股有限公司
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： B41J2/47 文献下载
摘要：本发明涉及用于选择性碳化纸对象的表面的至少一部分的设备，包括：用于接收纸对象的接收装置、至少一个激光器和用于控制激光器的控制装置，该激光器用于将所述纸对象的表面的一个或多个部分选择性加热至一定水平，其中所述表面的加热部分至少部分碳化且因此改变颜色本发明还涉及用于选择性碳化纸对象的表面的至少一部分的方法，包括以下步骤：将对象接收在接收装置中，以及用控制装置控制加热装置以便将所述纸对象的表面的一个或多个部分选择性加热至一定水平，其中所述表面的所述加热部分至少部分碳化且因此改变颜色
选择性碳化选择性加热改变颜色控制装置激光器碳化加热控制加热装置控制激光器对象接收

[发明专利]大面积碳化硅器件及其制造方法-CN02825276.4有效
发明人：柳世衡;A·阿加瓦尔;C·卡佩尔;J·W·帕尔穆尔 -专利权人：克里公司
申请日： 2002-09-19 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：通过在碳化硅晶片的至少一部分上以预定的图形形成多个相同类型的碳化硅器件制造碳化硅器件。在碳化硅晶片的第一表面上碳化硅器件具有相应的第一接触。电测试多个碳化硅器件，以识别多个碳化硅器件中通过电测试的碳化硅器件。然后选择性的互连碳化硅器件中识别出的碳化硅器件的第一接触。还提供具有多个选择性连接的相同类型的碳化硅器件的器件。
大面积碳化硅器件及其制造方法

[发明专利]高分散钯/碳化钼催化剂及其在木质素衍生物选择性加氢脱氧制备烷基酚类中的应用-CN202110729451.9在审
发明人：汤禹;郭浩全;杨月;林虹巧 -专利权人：福州大学
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： B01J27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种高分散钯/碳化钼催化剂及其制备方法与其在木质素衍生物选择性加氢脱氧制备烷基酚类化合物中的应用，其是以钯盐和钼盐为原料，经混合、烘干、煅烧和程序升温碳化制备出所述高分散钯/碳化钼催化剂。该制备方法过程简单易实现，操作简便、安全，工艺参数易于控制，得到的钯/碳化钼催化剂中的活性金属钯以高分散的阳离子状态锚定在碳化钼表面与孔道内，使其可在温和条件下对木质素衍生物进行选择性加氢脱氧，并实现高活性、高选择性的丙基苯酚等烷基酚类物质的制备，且副产物少，有利于实行大规模生产。
分散碳化催化剂及其木质素衍生物选择性加氢脱氧制备烷基中的应用

[发明专利]碳化硅的等离子体刻蚀-CN02809053.5有效
发明人：李思义 -专利权人：兰姆研究公司
申请日： 2002-03-21 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种以对上方和/或下方介电材料层的选择性等离子体刻蚀碳化硅的方法。介电材料可包含二氧化硅，氧氮化硅，氮化硅或各种低k介电材料包括有机低k材料。为了实现对这些介电材料的所需选择性，选择等离子体刻蚀气体化学以实现所需的碳化硅刻蚀速率，同时介电材料在较慢的速率下被刻蚀。该工艺可用于选择性地刻蚀氢化碳化硅刻蚀光阑层或碳化硅基材。
碳化硅等离子体刻蚀

[发明专利]一种碳化硅反应器的制备及其在甲烷直接制烯烃工艺中的应用-CN201711239884.6有效
发明人：包信和;方光宗;潘秀莲;吕厚甫;谭大力 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： B01J8/02 文献下载
摘要：本发明型及一种碳化硅反应器，所述反应器的材质为金属元素晶格掺杂的碳化硅，利用该材质的良好的热导性能与化学反应惰性特性，基于该反应器在无氧条件下催化甲烷直接合成乙烯，实现了甲烷的零积碳和乙烯高选择性合成，甲烷的转化率为10～70％；乙烯选择性为40～75％；丙烯选择性为5～15％；芳烃选择性为0～40％；零积碳。该本发明具有催化剂寿命长(1000h)、催化剂高温(1700℃)下稳定性好、甲烷转化率和产物选择性高、零积碳、工业化难度小、过程重复性好、操作安全可靠等特点，具有广阔的工业应用前景。
一种碳化硅反应器制备及其甲烷直接烯烃工艺中的应用

[发明专利]一种碳化钼负载碳包覆铁催化剂的制备方法及其在苯环选择性羟基化反应中的应用-CN202110686657.8有效
发明人：张金水;侯乙东;余德熙;阳灿;卢尔君 -专利权人：福州大学
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： B01J27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化钼负载碳包覆铁催化剂的制备方法及其在苯环选择性羟基化反应中的应用，其是将氯化铁与二聚氰胺按一定比例混合后加入碳化钼，经退火处理制得所述碳化钼负载碳包覆铁催化剂。本发明通过在碳化钼基底上原位负载碳包覆铁纳米颗粒（Fe@C/Mo2C），既可以利用碳化钼对苯环选择性吸附的特点，活化苯环碳氢键，使苯环较侧链基团更容易被氧化，提高了产物中苯酚或其衍生物的产率及选择性；又可以利用碳化钼的富电子特性，促进Fe(II)/Fe(III)在芬顿反应中的循环，提高羟基自由基产生效率，从而提高反应效率，具有一定的工业化应用前景。
一种碳化负载碳包覆铁催化剂制备方法及其苯环选择性羟基反应中的应用

[发明专利]催化剂-碳化硅反应器及其在甲烷直接制烯烃反应中的应用-CN201711241244.9有效
发明人：包信和;方光宗;潘秀莲;吕厚甫;谭大力 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种催化剂‑碳化硅反应器的制备及其在无氧条件下催化甲烷直接合成乙烯的方法，基于新型制备的碳化硅材质，利用该材质的良好的热导性能与化学反应惰性特性，基于该催化剂‑反应器，视反应条件，该过程实现了甲烷的零积碳和乙烯高选择性合成本发明的甲烷的转化率为10～70％；烯烃选择性为40～95％；丙烯选择性为5～15％；芳烃选择性为0～40％；零积碳。该本发明具有催化剂寿命长(1000h)、催化剂高温(1700℃)下稳定性好、甲烷转化率和产物选择性高、零积碳、工业化难度小、过程重复性好、操作安全可靠等特点，具有广阔的工业应用前景。
催化剂碳化硅反应器及其甲烷直接烯烃反应中的应用

[发明专利]金属元素晶格掺杂碳化硅反应器及其在乙烷脱氢制乙烯中的应用-CN201711239621.5有效
发明人：包信和;方光宗;潘秀莲;吕厚甫;谭大力 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： B01J19/02 文献下载
摘要：本发明涉及金属元素晶格掺杂碳化硅反应器及在无氧条件下催化乙烷脱氢制乙烯的方法，所述反应器基于新型制备的碳化硅材质，利用该材质的良好的热导性能与化学反应惰性特性，基于该反应器，视反应条件，该过程实现了乙烯的高收率合成本发明的乙烷的转化率为70～100％；乙烯选择性为80～99.99％；丙烯选择性为0～5％；芳烃选择性为0～5％。该本发明具有催化剂寿命长(1000h)、催化剂高温(1700℃)下稳定性好、乙烷转化率和产物选择性高、能耗低、过程重复性好、操作安全可靠等特点，具有广阔的工业应用前景。
金属元素晶格掺杂碳化硅反应器及其乙烷脱氢乙烯中的应用

[发明专利]乙烷脱氢制乙烯用催化剂-碳化硅反应器的制备-CN201711241833.7有效
发明人：包信和;方光宗;潘秀莲;吕厚甫;谭大力 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： B01J19/02 文献下载
摘要：本发明涉及乙烷脱氢制乙烯用催化剂‑碳化硅反应器的制备及在无氧条件下催化乙烷脱氢制乙烯的方法，所述反应器基于新型制备的碳化硅材质，利用该材质的良好的热导性能与化学反应惰性特性，基于该催化剂‑反应器，视反应条件本发明的乙烷的转化率为70～100％；乙烯选择性为80～99.99％；丙烯选择性为0～5％；芳烃选择性为0～5％。该本发明具有催化剂寿命长(1000h)、催化剂高温(1700℃)下稳定性好、乙烷转化率和产物选择性高、能耗低、过程重复性好、操作安全可靠等特点，具有广阔的工业应用前景。
乙烷脱氢乙烯催化剂碳化硅反应器制备

[发明专利]选择性钝化和选择性沉积-CN201910938338.4在审
发明人： J·W·梅斯;M·吉文斯;S·豪卡;V·帕鲁丘里;I·拉伊梅克斯;S·邓;A·伊利贝里;E·托伊斯;D·朗格里 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的发明名称为选择性钝化和选择性沉积。提供了用于选择性沉积的方法。材料相对于不同材料组成的第二表面被选择性沉积在衬底的第一表面上。将抑制剂(如聚酰亚胺层)相对于第二表面由气相反应物选择性地形成在第一表面上。将目标层相对于第一表面由气相反应物选择性地沉积在第二表面上。第一表面可以是金属的，而第二表面是介电的。因此，可利用本文所述技术将材料(如介电过渡金属氧化物和氮化物)相对于电介质表面选择性地沉积在金属表面上。
选择性钝化沉积

[发明专利]选择性钝化和选择性沉积-CN202210891880.0在审
发明人： J.W.梅斯;M.E.吉文斯;S.P.霍卡;V.帕鲁丘里;I.J.拉伊杰马克斯;邓少任;A.伊利贝里;E.E.托伊斯;D.朗格里;C.德泽拉;M.图米恩 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：提供了选择性沉积的方法。材料相对于不同材料成分的第二表面选择性地沉积在基板的第一表面上。相对于第二表面，在第一表面上由气相反应物选择性地形成抑制剂，例如聚酰亚胺层。相对于第一表面，感兴趣的层从气相反应物选择性地沉积在第二表面上。第一表面可以是金属的，而第二表面是介电的。因此，诸如介电过渡金属氧化物和氮化物的材料可以使用这里描述的技术相对于介电表面选择性地沉积在金属表面上。
选择性钝化沉积

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