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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]有机半导体膜及其制造方法和接触印刷用印模-CN201180023666.3无效
发明人：串田尚;内藤裕义 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2011-04-27 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：第1个本发明的有机半导体膜（10），相对的两个表面侧（11、12）的电荷迁移率之比｛（电荷迁移率大的表面侧的电荷迁移率）/（电荷迁移率小的表面侧的电荷迁移率）｝的值为1以上且小于10，而且将在硅晶片上通过旋涂制作的相同厚度及材料的有机半导体膜的峰高度作为基准时第2个本发明的有机半导体膜（10），相对的两个表面侧（11、12）的电荷迁移率之比｛（电荷迁移率大的表面侧的电荷迁移率）/（电荷迁移率小的表面侧的电荷迁移率）｝的值为2以上。
有机半导体及其制造方法接触印刷用印

[发明专利]一种基于超高迁移率场效应晶体管的低功耗CMOS电路-CN202211294670.X在审
发明人：刘欢;玉虓;丑录录;于飞;韩根全;刘艳 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超高迁移率场效应晶体管的低功耗CMOS电路，所述低功耗CMOS电路由超高空穴迁移率场效应晶体管和超高电子迁移率场效应晶体管串联组成；所述超高空穴迁移率场效应晶体管的衬底采用n型高迁移率沟道材料；所述超高电子迁移率场效应晶体管的衬底采用p型高迁移率沟道材料。超高迁移率场效应晶体管由其迁移率调制实现，所述迁移率调制是基于可移动带正电氧空位受电场调控形成的偶极子作用，本发明基于超高电子和空位迁移率的场效应晶体管，极大提升器件性能，减小操作电压，实现低功耗的CMOS
一种基于超高迁移率场效应晶体管功耗 cmos 电路

[发明专利]利用离子迁移率谱识别物质的方法-CN201110175660.X有效
发明人：马军;张伟;颜毅坚;徐翔;刘立秋;张亦扬 -专利权人：武汉矽感科技有限公司
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G01N27/64 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用离子迁移率谱识别物质的方法，包括加热被检测物，样品分子与已知物质A由载气带入迁移管，生成产物离子后到达Faraday探测器，电信号依次经放大器和A/D采样器后到达数据处理单元，计算样品分子和已知物质A的离子迁移率，获得样品分子相对的离子迁移率；将样品分子相对的离子迁移率与数据库中保存的数据进行对比判别，并显示识别结果。本发明所述方法，通过获得相对的离子迁移率和建立相对的离子迁移率迁移率谱数据库，使得离子迁移率成为相对于已知物质A的离子迁移率的相对值，该相对值就不再受检测环境和设备的制约，克服了背景技术中所述技术缺陷，令离子迁移率谱数据库具有了通用性。
利用离子迁移率识别物质方法

[发明专利]半导体器件、制造方法以及晶体管电路-CN201410363381.X在审
发明人：竹前义博;细田勉;佐藤俊哉 -专利权人：创世舫电子日本株式会社
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种晶体管电路包括：第一高电子迁移率晶体管；以及第二高电子迁移率晶体管，具有负阈值电压，其中第二高电子迁移率晶体管的源极耦接至第一高电子迁移率晶体管的栅极，以及第二高电子迁移率晶体管的栅极耦接至第一高电子迁移率晶体管的源极本发明可以提高高电子迁移率晶体管的耐受电压。
半导体器件制造方法以及晶体管电路

[发明专利]半导体器件、制造方法以及晶体管电路-CN201210031265.9有效
发明人：竹前义博;细田勉;佐藤俊哉 -专利权人：富士通半导体股份有限公司
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种晶体管电路包括：第一高电子迁移率晶体管；以及第二高电子迁移率晶体管，具有负阈值电压，其中第二高电子迁移率晶体管的源极耦接至第一高电子迁移率晶体管的栅极，以及第二高电子迁移率晶体管的栅极耦接至第一高电子迁移率晶体管的源极本发明可以提高高电子迁移率晶体管的耐受电压。
半导体器件制造方法以及晶体管电路

[发明专利]墨套件、储墨容器、喷墨印刷方法和喷墨印刷设备-CN201680061896.1有效
发明人：羽桥尚史 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2016-10-05 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C09D11/40 文献下载
摘要：提供的是包括至少两种墨的墨套件，所述至少两种墨均包括着色材料、有机溶剂和水，其中墨的每种中的有机溶剂的比例为30质量％以上，其中包括在墨中的着色材料的相对迁移率中的最大相对迁移率和最小相对迁移率之间的相对迁移率差(最大相对迁移率‑最小相对迁移率)为0.1以上，其中相对迁移率通过其中利用包括在墨中的有机溶剂作为显影溶剂显影着色材料的薄层色谱而获得。
套件容器喷墨印刷方法设备

[发明专利]用于离子分离的系统和方法-CN201610722867.7有效
发明人： M·V·尤佳洛夫 -专利权人：萨默费尼根有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01J49/10 文献下载
摘要：一种用于分析样本的系统包含：源，其经配置以从所述样本的构成组分产生离子；迁移率分离装置；多个离子通道；以及质量分析器，其经配置以确定所述离子的质荷比。所述迁移率装置经配置以基于在气体中的迁移率而分离从所述源接收的离子。所述迁移率分离装置提供第一方向上的气流和沿着第二方向的电场梯度，以使得离子在所述第一方向上移动且根据其迁移率在所述第二方向上漂移，且基于所述离子的相应迁移率来分拣所述离子。所述离子通道邻近于所述迁移率分离装置而布置以使得来自所述迁移率分离装置的离子根据所述离子的相应迁移率而被引导到不同通道。
用于离子分离系统方法

[发明专利]薄膜晶体管及其阵列、待测物体的检测方法-CN201811342219.4有效
发明人：李广耀;黄磊;王海涛;汪军;王庆贺;李伟;王东方;闫梁臣 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种薄膜晶体管及其阵列、待测物体的检测方法，所述薄膜晶体管用于检测结合有金属离子的待测物体的参数，其中：所述薄膜晶体管的有源层的载流子迁移率为第一迁移率，所述有源层与所述金属离子包含的金属元素结合后的载流子迁移率为第二迁移率，所述第二迁移率不同于所述第一迁移率。
薄膜晶体管及其阵列物体检测方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201210293349.X在审
发明人：马小龙;殷华湘;付作振 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种高迁移率材料层制造方法，包括：在衬底中和/或上形成多种前驱物；脉冲激光处理，使得多种前驱物相互反应形成高迁移率材料层。此外还提供了一种半导体器件制造方法，包括：在绝缘衬底上形成缓冲层；采用上述高迁移率材料层制造方法，在缓冲层上形成第一高迁移率材料层；采用上述高迁移率材料层制造方法，在第一高迁移率材料层上形成第二高迁移率材料层；在第一和第二高迁移率材料层中形成沟槽隔离并定义有源区。依照本发明的半导体器件制造方法，通过调整激光处理的脉冲个数和能量密度，在绝缘衬底上分多次形成了多层高迁移率材料以用作器件沟道区，有效提高了器件载流子迁移率并进一步提高了器件驱动能力。
半导体器件制造方法

[发明专利]薄膜晶体管-CN202080041820.9在审
发明人：金正倍;任东吉;崔寿永 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本文的多个实施方式包括薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管包括具有不同迁移率的层的沟道层堆叠物。由于高迁移率沟道层和/或多个高迁移率沟道层中的载流子密度更高，本文公开的TFT通过低迁移率和高迁移率沟道层传输更高的总电流，这样增加了TFT的响应速度。沟道层堆叠物包括具有不同迁移率的多个层。具有不同迁移率的层给予TFT各种益处。高迁移率层增加了TFT的响应速度。
薄膜晶体管

[发明专利]具有串联离子迁移率分析器的质谱仪-CN201810507320.4有效
发明人：托马斯·贝茨;梅尔文·安德鲁·帕克;马克·里奇韦 -专利权人：布鲁克道尔顿有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01J49/10 文献下载
摘要：该质谱仪包括串联布置的两个离子迁移率分析器和离子门，其中，所述两个离子迁移率分析器中的至少一个是俘获离子迁移率谱仪，所述离子门位于所述两个离子迁移率分析器之间，其中，当在第一离子迁移率分析器中根据离子迁移率在时间上分离离子时，通过调节离子门的传输，在两个离子迁移率分析器之间选择性地传输离子。
具有串联离子迁移率分析器质谱仪

[发明专利]预测半导体载流子迁移率的方法-CN202211080234.2在审
发明人：熊稳;魏兴战;史浩飞 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明为一种预测半导体载流子迁移率的方法，通过对目标晶体建模并计算载流子迁移率，建模对目标晶体进行结构扭曲并计算修正值，利用该修正值对载流子迁移率计算结果进行修正。本发明通过对晶体结构进行扭曲，计算修正值，并基于修正值得到目标晶体载流子迁移率，解决了计算预测载流子的迁移率，比实验上测得的载流子迁移率偏高的问题，达到了计算预测的结果更加精确、贴近实际情况的效果。
预测半导体载流子迁移率方法

[发明专利]一种像素电路的补偿方法、装置、显示设备-CN201910548785.9有效
发明人：曹春;孟松;何敏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： G09G3/3258 文献下载
摘要：本发明公开一种像素电路的补偿方法、装置、显示设备，涉及显示技术领域，解决目前对驱动晶体管的阈值电压和电子迁移率进行补偿的方法，容易导致出现显示面板显示亮度上的跳变以及显示面板显示亮度不稳定的问题。该像素电路的补偿方法包括：在显示面板处于预设显示状态时，感测像素电路中驱动晶体管对应的预设迁移率补偿值；根据预设迁移率补偿值，将驱动晶体管对应的初始迁移率补偿值调节为目标迁移率补偿值，目标迁移率补偿值与预设迁移率补偿值之间的差值小于阈值；基于目标迁移率补偿值，在显示面板处于非显示状态时，按照预设的补偿方式对驱动晶体管的迁移率进行补偿。
一种像素电路补偿方法装置显示设备

[发明专利]有机电致发光元件-CN200780028996.5无效
发明人：岩隈俊裕;荒金崇士;新井宏昌;长岛英明 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2007-07-26 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种有机电致发光元件(1)，其中，具有：阴极(10)和阳极(20)、以及设在所述阴极(10)和阳极(20)之间的至少含有发光层(32)和电子传输层(34)的有机层(30)，构成所述电子传输层(34)的电子迁移率最慢的电子传输材料的电子迁移率在0.4～0.5MV/cm的电场强度下为2.0×10^-5cm²/Vs以上，构成所述发光层(32)的主体材料的电子迁移率/空穴迁移率(ΔEM)、与构成所述电子传输层(34)的电子迁移率最慢的电子传输材料的电子迁移率/空穴迁移率(ΔET)满足以下关系，ΔET＞1；0.3≤ΔEM≤10；ΔET＞ΔEM。
有机电致发光元件

[发明专利]一种蓝光发光器件、其制作方法及显示装置-CN202110695964.2在审
发明人：孙玉倩;张东旭 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种蓝光发光器件、其制作方法及显示装置，蓝光发光器件包括层叠设置的空穴传输层、电子阻挡层和发光层，电子阻挡层包括第一材料和第二材料，第一材料的迁移率为第一迁移率，第二材料的迁移率为第二迁移率；空穴传输层的迁移率大于第一材料的迁移率，且空穴传输层的迁移率大于第二材料的迁移率；其中，空穴传输层的材料结构通式为一种发光器件制作方法显示装置

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