专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]铜图形制作方法及具有铜图形的PCB板-CN201110451621.8有效
  • 冷科;焦小山;廖辉;汤德军;付威 - 深南电路有限公司
  • 2011-12-29 - 2013-07-03 - H05K3/00
  • 一种铜图形制作方法,包括:准备步骤,下料并成型定位孔;单面控铣步骤,用控铣工艺在铜箔第一侧表面形成第一局部图形;单面蚀刻步骤,用蚀刻工艺在铜箔第一侧表面形成第二局部图形;层压步骤,在两片铜箔之间放置绝缘基材并层压获得覆铜板;钻通孔及电镀步骤,在覆铜板上钻通孔,再在通孔孔壁电镀铜层;外层蚀刻步骤,用蚀刻工艺蚀刻覆铜板外层的铜箔直至与第二局部图形的间隔槽贯通;外层控铣步骤,利用控铣工艺铣削加工覆铜板外层的铜箔直至与第一局部图形的间隔槽贯通,从而获得贯穿铜箔的完整线路图形。本发明通过结合双面蚀刻与控铣工艺,加工难度小,可用现有PCB设备加工出超铜线路图形。
  • 超厚铜图形制作方法具有pcb
  • [发明专利]一种新能源充电总线铜PCB制作方法-CN202211102856.0在审
  • 李清春;王佐;孙锐;陈涛;赵启祥 - 胜宏科技(惠州)股份有限公司
  • 2022-09-09 - 2022-12-16 - H05K3/46
  • 本发明涉及一种新能源充电总线铜PCB制作方法,所述PCB包括芯层基板和位于芯层基板上下两面的铜板,所述铜板与芯层基板之间设有PP树脂层,在各层板叠构压合前,先对所述铜板的一面进行第一次控蚀刻,叠构时,将所述铜板已经蚀刻的一面与所述PP树脂层接触,所述铜板未有蚀刻的一面位于所述PCB的最外层;在各层板叠构压合后,对压合板进行钻孔和电镀后,对铜板进行第二次控蚀刻,所述铜板在第二次控蚀刻处理后得到完整的线路图形,对铜板进行第二次控蚀刻处理后,依次进行防焊、文字和后工序处理,得到铜PCB。本发明新能源充电总线铜PCB制作方法具有压合不缺胶、无空洞,有效克服传统单面蚀刻对于铜板的超大毛边问题等优点。
  • 一种新能源充电总线超厚铜pcb制作方法
  • [发明专利]多层数空腔LTCC基板制造工艺-CN201410593885.0有效
  • 何中伟;周冬莲;俞瑛;杜松;濮嵩;徐姗姗 - 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
  • 2014-10-29 - 2015-01-14 - H05K3/46
  • 本发明公开了一种多层数空腔LTCC基板制造工艺,突破常规实体平板LTCC基板加工工艺,在填孔及网印后再激光划切出生瓷层中空腔窗口,避免大尺寸窗口生瓷片上填孔、网印工艺的不可操作性并减小已填印生瓷片在叠片前的收缩量及不均匀性;在共烧后砂轮旋切熟瓷板,保证加工出形状规则、尺寸精准、薄壁、空腔的LTCC基板;空腔的多层生瓷侧墙采用同网络多通孔互连,冗余保证互连合格率;通过叠片成套工装、优化叠压工艺方法,保证大空腔LTCC基板的叠片与层压工艺;采用砂轮划片机分别从基板的底面、顶面对切熟瓷体LTCC基板,解决刀片热切生瓷和砂轮旋切熟瓷的最大厚度都只能达到5mm的难题。
  • 多层数超深空腔ltcc制造工艺
  • [发明专利]用于结MOS器件的终端结构的制作方法-CN201110138083.7无效
  • 永福;龚大卫;陈雪萌;陆昉;缪润妍 - 上海先进半导体制造股份有限公司
  • 2011-05-26 - 2011-10-12 - H01L21/336
  • 本发明提供一种用于结MOS器件的终端结构的制作方法,包括:提供硅衬底,其上分别形成有结结构和终端结构的槽,终端结构的槽彼此之间排列紧密;在槽内淀积多晶硅层,其掺杂类型与硅衬底相反;将多晶硅层中的掺杂杂质扩散到硅衬底中,在槽周围形成杂质扩散区;将多晶硅层和终端结构区域的槽之间的硅衬底热氧化为氧化层填满槽,在终端结构区域内形成氧化层;在制作MOS器件的多晶硅栅极时,于终端结构的氧化层上同步形成多晶硅场板。本发明在终端结构区域由栅极多晶硅形成场板与氧化层相结合,有效利用了氧化层的分压作用,降低器件的表面电场。本发明结合槽RESURF和场板的作用,分压效果明显,很大程度节省终端面积。
  • 用于深槽超结mos器件终端结构制作方法
  • [发明专利]锥形薄壁件成型工艺-CN200910250930.1无效
  • 谷成渝;周志明 - 重庆长安工业(集团)有限责任公司
  • 2009-12-21 - 2010-06-16 - B21D51/10
  • 本发明提出一种锥形薄壁件成型工艺,其包括落料冲盂,变薄拉,切口,连续三次拉锥,无氧退火,继续拉锥,最终获得产品规定的形状和尺寸等工艺步骤。其特点是通过拉锥采取大端锥孔先成型、小端圆柱孔径逐步缩小并结合中间无氧退火处理,解决了锥形薄壁件成型难问题;采取拉锥前工件筒壁变薄拉,后续工序利用拉锥时工件底部圆角部局部变薄特点,将小端圆柱孔径逐步缩小,使工件壁变化均匀,有效解决锥形薄壁件拉锥过程中由于工件底部长圆角处局部变薄造成整个锥形件壁不均匀的问题。本发明可在机械冲床完成锥形薄壁件成型加工,生产效率远比普通液压机高(冲床生产节拍:每分钟25次以上,普通液压机生产节拍:每分钟2次~3次),适应于大批量生产。
  • 锥形薄壁成型工艺
  • [发明专利]一种超大直径单壳体-CN202010782402.7在审
  • 赵起宽 - 赵起宽
  • 2020-08-03 - 2022-02-18 - B63G8/00
  • 本发明一种超大直径单壳体是以海军核潜艇为例,制造、超大直径的单壳体的核潜艇,其特征在于建立超大直径的水冷结晶器模具,将无磁钢材质加入金属钛形成无杂质的纯净钛合金钢成品,且以此为自耗电极由电力系统形成回路,使自耗电极在控制器的作用下,在结晶器模具内熔铸完成超大直径园形潜艇分段体,且在于船台建立滚动装置做电渣自动焊接,同时将分段体内部小半园助肋体加强内应力而进行焊接,使潜潜航更加安全。
  • 一种超大直径壳体

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