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[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法-CN201810175402.3有效
发明人：倪昶 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，光学邻近修正方法包括：提供初始光刻掩膜图形；获取初始光刻掩膜图形中的待补偿图形，所述待补偿图形包括交替排列的第一待补偿图形和第二图形，相邻第一待补偿图形和第二图形之间的距离小于第一阈值，第一待补偿图形的宽度和第二图形的宽度均小于第二阈值，第一待补偿图形和第二图形之外的初始光刻掩膜图形为本征图形；将第一待补偿图形修正为第一图形，第一图形包括第一待补偿区和补偿图形区，所述补偿图形区沿第一待补偿区的长度方向与第一待补偿区的端部邻接；对所述本征图形、第一图形和第二图形进行OPC修正，获得修正图形。所述光学邻近修正方法提高了修正图形的分辨率。
光学邻近修正方法掩膜版制作方法

[发明专利]快速补偿芯片内图形线宽均匀性的方法-CN201910643690.5有效
发明人：王建涛;杨正凯 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速补偿芯片内图形线宽均匀性的方法，在掩膜版的切割道放置补偿图形并获取补偿图形的位置坐标信息；在掩膜版内选取位于芯片有效区域内且与补偿图形具有相同线宽和间距的结构图形并获取结构图形的位置坐标信息；将补偿图形和结构图形的位置坐标信息反馈至掩膜版生产单元；制作掩膜版并量测补偿图形和结构图形的线宽；以掩膜版的特征尺寸为横坐标、补偿图形的线宽和结构图形的线宽为纵坐标绘制散点图，拟合出两条一次曲线；对补偿图形进行修正并利用修正后的补偿图形对芯片内图形进行补偿本发明直接利用掩膜版制作过程中的量测结果进行快速预补偿，不需要采集刻蚀之后补偿图形的特征尺寸，提高了补偿效率，节省了试跑时间。
快速补偿芯片图形均匀方法

[发明专利]一种毫米波雷达PCB的制作方法-CN201711208857.2在审
发明人：郭长峰;张学平;陈冲;周平剑;崔荣;缪桦 -专利权人：深南电路股份有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：该方法包括：采用常规工艺制作多层板，并进行钻孔，沉铜和电镀处理；根据预先设计的补偿方案在多层板表面制作外层图形，所述外层图形包括补偿后的SMT图形，所述补偿后的SMT图形包括：SMT本体图形、环绕并衔接于SMT本体图形周边的常规补偿图形、以及位于SMT本体图形拐角处的额外补偿图形，所述额外补偿图形为圆形补偿图形；制作完外层图形后进行蚀刻，在所述多层板表面形成相应的外层线路。本发明实施例方法，采用特别的补偿方案来设计制作外层图形，可以实现外层SMT图形的拐角处EA值≤10um的要求。
一种毫米波雷达 pcb 制作方法

[发明专利]用于图形转移的线路板及图形转移工艺-CN202010823672.8有效
发明人：叶国俊 -专利权人：鹤山市中富兴业电路有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于图形转移的线路板及其图形转移工艺，线路板包括用于在线路板上形成实际图形的目标设计图形区域和用于覆盖显影干膜的图形转移补偿区域，图形转移补偿区域包括侧蚀宽度补偿区域和角位补偿区域，通过在目标设计图形区域的外部设置侧蚀宽度补偿区域和角位补偿区域，侧蚀宽度补偿区域包围在目标设计图形区域的外围，避免线路板上的图形在蚀刻后边线会往内收，角位补偿区域额外对目标设计图形区域的角位进行包围，避免线路板上的图形在蚀刻时角位受到两侧蚀刻液攻击而变成圆角，从而改良线路板上的图形蚀刻问题，线路板上蚀刻后的图形更接近目标设计图形。
用于图形转移线路板工艺

[发明专利]图像处理设备-CN200410100684.9无效
发明人：米田丰 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2004-12-08 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H04N5/232 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像处理设备，包括：使用图像拾取装置获取对象的图形的成像单元；存储所获取的图形的图形存储单元；检测施加到成像单元的振动量并输出所检测的振动量的振动检测单元；根据振动量计算用于消除振动对成像单元的影响所需的补偿量的补偿量计算单元；计算在预定的位置之间的补偿量的改变量的改变量计算单元；确定改变量是否超过可用于存储在图形存储单元中的图形的补偿的极限的补偿极限确定单元；在输出经调节的补偿量之前根据是否超过补偿极限调节补偿量的补偿量调节单元；以及基于通过补偿量调节单元输出的调节的补偿量校正存储在图形存储单元中的图形的图形校正单元。
图像处理设备

[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法-CN201810117822.6有效
发明人：杜杳隽 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，光学邻近修正方法包括：提供目标刻蚀图形，所述目标刻蚀图形包括多个子目标刻蚀图形；提供偏移补偿模型；将子目标刻蚀图形的各边分割为若干分割边；根据所述偏移补偿模型，对各分割边进行补偿修正，得到补偿图形；获取补偿图形对应的掩膜层图形；对掩膜层图形进行OPC修正，得到修正图。
光学邻近修正方法掩膜版制作方法

[发明专利]高精度封装基板的蚀刻补偿方法-CN201510400705.7有效
发明人：宋阳 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明是一种适用于高精度封装基板的蚀刻补偿方法，它根据基板的版图设计把所有设计图形元素按照图形类型进行分类；根据相邻图形的设计逻辑把所有导线打断成多段；然后先根据图形类型和间距，对设计为同一层的每种图形进行最佳补偿值的计算；再根据最小间距进行修正，确定修正后补偿值；以修正后补偿值对每种图形进行补偿：球形阵列焊盘和绑定焊盘对称补偿，导线两边分别补偿，表面贴装焊盘四边分别补偿；最后对进行动态补偿的层次的每种图形，进行最小间距的分析检查，确定补偿结果。本发明采用分区动态蚀刻补偿的设计方案，提高了封装基板上整板的图形精度、信号传输精度，降低了加工成本，同时也提高了封装基板的图形精度及后续封装的可靠性。
高精度封装蚀刻补偿方法

[发明专利]套刻补偿的方法及其系统-CN201911201781.X有效
发明人：吴怡旻;杨晓松;刘喜亮 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种套刻补偿的方法及其系统，所述方法包括：提供衬底，衬底包括多个标准图形；提供测试光罩，测试光罩包括多个图形，图形中包括测试图形；提供基底，对测试光罩中的测试图形进行曝光，在基底上形成多个实际图形，实际图形与标准图形相对应；获得实际图形与相对应的标准图形之间的套刻偏移量；提供场域间模型，根据套刻偏移量对场域间模型进行拟合，获得场域间补偿模型和初始残值；提供光场级模型，根据初始残值对光场级模型进行拟合，获得光场级补偿模型和最终残值；利用所述光场级补偿模型获得机台补偿值。本发明通过光场级补偿模型获得机台补偿值，将机台补偿值将机台局限性误差考虑进套刻补偿方法中，降低了机台性能局限性导致的套刻误差。
补偿方法及其系统

[发明专利]一种激光直写图形的补偿方法和激光曝光机-CN202011290862.4在审
发明人：赵涛;陈国军;吴景舟;马迪 -专利权人：江苏迪盛智能科技有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光直写图形的补偿方法包括，第一步：将激光直写图形显影得到的图形尺寸与原始图形尺寸相比较分别确定第一方向和第二方向的补偿值；第二步：根据第一方向的补偿值，将原始图形在第一方向上的外侧轮廓进行第一次补偿得到第一补偿图形；将所述第一补偿图形栅格化，得到第一栅格图形；第三步：根据第二方向的补偿值，将所述第一栅格图形的外侧轮廓在第二方向上进行第二次补偿，获得第二栅格图形；第四步：将第二栅格图形上载到DMD数字微镜器件上，投射到基底上进行曝光本发明还提供了一种采用本发明的补偿方法的激光曝光机。基于DMD数字微镜器件像素级调整，节约人工和成本，过程简洁，易于操作。
一种激光图形补偿方法曝光

[发明专利]一种液晶显示器件布线补偿方法-CN200710062209.0无效
发明人：李映红;王晓燕;王东升;史悦华;唐玉秋 -专利权人：河北冀雅电子有限公司
申请日： 2007-06-26 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：一种液晶显示器件布线补偿方法，属液晶技术领域，用于解决静电感应造成的阴影问题。其技术方案是：在所述两导电膜上刻有补偿图形，补偿图形按如下原则选择：若可视区域内既无段电极引线、也无公共电极引线，则在其空白处填充一样的图形；若其中一张玻璃基板上设有引线，而另一张玻璃基板上是空白，则在此空白处填充与光刻引线走向、形状一致的不接电的补偿图形；若引线宽度较大，则将补偿图形中间刻蚀成与相邻区域引线相似的图形。本发明由于补偿图形的光刻引线与构成原有显示图形点阵的光刻引线的走向一致，因此不会将原图形的光刻引线由静电感应出来，避免了产生图形影像的现象。
一种液晶显示器件布线补偿方法

[发明专利]光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质-CN202210114485.1在审
发明人：刘文东 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，修正方法包括：提供原始版图层，原始版图层包括平行排布的设计图形，沿设计图形的排布方向，相邻设计图形相对的边作为禁止边，相邻设计图形相背离的边作为非禁止边，且相邻设计图形之间的间隔具有最小设计规则值；在相邻设计图形相背离的非禁止边一侧添加与非禁止边相邻接的第一补偿图形；添加第一补偿图形之后，在设计图形的禁止边一侧添加与禁止边相邻接的第二补偿图形，相邻接的设计图形、第一补偿图形和第二补偿图形构成修正后图形，且沿设计图形的排布方向，相邻修正后图形之间的间隔大于最小设计规则值。降低了相邻修正后图形之间的间隔小于最小设计规则值的概率。
光学邻近修正方法系统掩膜版设备存储介质

[发明专利]硅(110)衬底各向异性腐蚀中直角结构补偿图形生成方法-CN200910029826.X有效
发明人：李伟华;张涵 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-03-18 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：硅(110)衬底各向异性腐蚀中直角结构补偿图形生成方法，其特征是，对于硅(110)衬底上制作的含有直角形式凸角，且该直角由<110>晶向和<100>晶向为直边构成的目标器件结构，其直角补偿图形生成的过程由两个步骤实现：首先建立直角补偿图形的拓扑结构，然后根据直角补偿图形生成方法产生具体的直角补偿图形。所有直角补偿图形的外轮廓均起始于表示<100>晶向的直线b1(或b2)，并且具体图形可以由下列方法之一生成：本发明具有理论原理清晰，具体补偿生成方便、灵活的优点。
110 衬底各向异性腐蚀直角结构补偿图形生成方法

[实用新型]图形补偿装置、图形补偿系统、曝光机及彩膜工艺设备-CN201821651234.2有效
发明人：汪杰 -专利权人：东旭（昆山）显示材料有限公司;东旭集团有限公司;东旭科技集团有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种图形补偿装置、图形补偿系统、曝光机及彩膜工艺设备，属于光学成像领域。该图形补偿装置包括：第一光线变换模块，用于改变平行入射至第一光线变换模块的光线的方向；第二光线变换模块，用于改变第一光线变换模块的出射光线的方向；以及第三光线变换模块，用于将入射至第三光线变换模块的光线平行射出，其中，第三光线变换模块的出射光线形成的图形相对于第一光线变换模块的入射光线形成的图形放大或缩小，以实现图形补偿。藉此，实现了调整平行入射的光线，实现图形补偿，扩大了图形补偿装置的应用范围。
光线变换补偿装置入射补偿系统出射光线工艺设备曝光机彩膜平行本实用新型光线平行光学成像入射光线图形放大射出应用

[发明专利]用于LDI曝光设备的gds图形补偿方法-CN202310331702.7在审
发明人：王建勋;刘维龙 -专利权人：广东思沃激光科技有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于LDI曝光设备的gds图形补偿方法，其包括：S1、检测第i个条带图形和第i+1个条带图形沿x方向的拼接处是否存在重叠，及沿y方向的拼接处是否存在错位；S2、若第i个条带图形和第i+1个条带图形沿x方向的拼接处存在重叠，则对第i个条带图形和第i+1个条带图形沿x方向的拼接处进行重叠补偿；S3、若第i个条带图形和第i+1个条带图形沿y方向的拼接处存在错位，则对第i个条带图形和第i+1个条带图形沿y方向的拼接处进行错位补偿；本发明采用软件补偿的方式代替传统对DMD单元安装位置的调整，有效简化重叠、错位的补偿工序，并能够大大提高重叠、错位的补偿精度，从而大大提升曝光精度。
用于 ldi 曝光设备 gds 图形补偿方法

[发明专利]图形失真的补偿方法及光刻曝光的方法-CN202011225142.X在审
发明人：田范焕;梁时元;贺晓彬;刘金彪;杨涛;李亭亭 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种图形失真的补偿方法及光刻曝光的方法，图形失真为掩模上安装保护膜而引起，包括以下步骤：测量安装保护膜的掩模产生的第一图形特征；测量未安装保护膜的掩模产生的第二图形特征；基于第一图形特征、第二图形特征之间的差异建立图形失真模型；根据图形失真模型计算补偿量。本申请实施例可以自动对各种情况导致的误差进行补偿，并可以预测多种情况下的保护膜导致的图形失真，提高了图形失真补偿的准确性以及效率。
图形失真补偿方法光刻曝光

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