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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]结构的不对称性监视-CN201880020363.8有效
发明人： A·J·登博夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种方法，包括：获得针对在测量辐射的第一波长处测量的衬底的蚀刻轮廓确定的光学特性的第一值，获得针对在测量辐射的第二波长处测量的衬底的蚀刻轮廓确定的光学特性的第二值，并获得表示第一值和第二值之间的差异的导出值；以及基于第一值和第二值或基于导出值，确定在蚀刻中的倾斜的发生以形成蚀刻轮廓。
结构对称性监视

[发明专利]高耐蚀刻性旋涂式碳硬掩膜组合物以及利用该组合物的图案化方法-CN201780063653.6有效
发明人：金起洪;李秀珍;李昇炫;李昇勋 -专利权人：荣昌化学制品株式会社
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明为了提供有用于半导体光刻工艺的具有高耐蚀刻性的硬掩膜组合物，提供包含二苯并咔唑(dibenzo carbazole)聚合物的旋涂式硬掩膜组合物以及通过旋涂将该组合物进行涂敷于被蚀刻层上部的工艺以及烘烤工艺形成硬掩膜层的图案化方法，本发明的硬掩膜具有能够承受多重蚀刻(mutil etch)过程的高耐蚀刻性、优秀的溶解度特性以及机械特性的效果。
蚀刻性旋涂式碳硬掩膜组合以及利用图案方法

[发明专利]蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法-CN202010175959.4在审
发明人：李明翰;案缟源;李龙儁;池祥源;朴锺模;金世训 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻组合物及利用其的金属膜的蚀刻方法，详细地，提供一种提高单一金属膜或多重金属膜的蚀刻特性的蚀刻组合物、利用其的金属膜的蚀刻方法以及包括利用本发明的蚀刻组合物而进行的工序的半导体元件的制造方法
蚀刻组合利用方法

[发明专利]蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法-CN202010176699.2在审
发明人：李明翰;案缟源;李龙儁;池祥源;朴锺模;金世训 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻组合物及利用其的金属膜的蚀刻方法，详细地，提供一种提高单一金属膜或多重金属膜的蚀刻特性的蚀刻组合物、利用其的金属膜的蚀刻方法以及包括利用本发明的蚀刻组合物而进行的工序的半导体元件的制造方法
蚀刻组合利用方法

[发明专利]铜/钼膜或铜/钼合金膜的蚀刻液组合物-CN201410012683.2在审
发明人：金世训;李恩庆;李宝妍;申孝燮 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜/钼或铜/钼合金膜的蚀刻液组合物，本发明的铜/钼或铜/钼合金膜的蚀刻液组合物，包括同时具有醇基和胺基的化合物的蚀刻稳定剂。本发明的蚀刻液组合物在反复进行蚀刻工程，蚀刻液内金属离子的含量较高时，可维持蚀刻锥角、蚀刻偏差及蚀刻直线度等蚀刻特性，应用在TFT-LCD显示器，OLED电极制造等上。
合金蚀刻组合

[发明专利]铜/钼膜或铜/钼合金膜的蚀刻液组合物-CN201710479974.6有效
发明人：金世训;李恩庆;李宝妍;申孝燮 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜/钼或铜/钼合金膜的蚀刻液组合物，本发明的铜/钼或铜/钼合金膜的蚀刻液组合物，包括同时具有醇基和胺基的化合物的蚀刻稳定剂。本发明的蚀刻液组合物在反复进行蚀刻工程，蚀刻液内金属离子的含量较高时，可维持蚀刻锥角、蚀刻偏差及蚀刻直线度等蚀刻特性，应用在TFT‑LCD显示器，OLED电极制造等上。
合金蚀刻组合

[发明专利]设置有气体墙的蚀刻基板-CN200710175205.3有效
发明人：崔莹石;刘圣烈 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2007-09-27 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种设置有气体墙的蚀刻基板，蚀刻基板设有中部区域和周边区域，蚀刻基板的周边区域设置至少一个通过喷射气体形成气体墙以控制干蚀刻装置内蚀刻气体与蚀刻基板接触密度的喷射装置。本发明蚀刻Al时开启喷射装置形成气体墙、蚀刻其他材料时关闭喷射装置，使得同一个蚀刻基板既可以用来蚀刻Al也可以用来蚀刻其他材料，实现了一种蚀刻基板可以蚀刻多种不同特性的材料。
设置气体蚀刻

[发明专利]金属膜蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法-CN201910212233.0在审
发明人：朴相承;金益儁;金希泰;李宝研;金世训 -专利权人：易案爱富科技有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明涉及金属膜蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。根据本发明的金属膜蚀刻组合物包含过氧化氢、有机酸、二元醇系高分子和水，pH范围为3.0至4.4，相对于硅膜、透明导电膜等下部膜，具有对铜、钼等金属膜的高选择比或无限选择比，在相对高的pH范围内双氧水稳定性也优异，即使蚀刻重复进行而再使用多次，也能够持续维持初期优异的特性。此外，不仅在蚀刻时能够实现线性优异的带状轮廓，而且具有CD损失(CD loss)减少和抑制残渣产生的特性优异的效果。此外，由于组合物具有高稳定性，从而具有在使用前或使用后也能够持续地维持初期优异的特性的得到提高的保存稳定性，具有蚀刻时不产生析出物且能够抑制发热的效果。
金属膜蚀刻组合利用方法

[发明专利]一种特性阻抗的设计方法-CN201710759775.0有效
发明人：张先鹏;蒋善刚;周睿 -专利权人：奥士康精密电路(惠州)有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种特性阻抗的设计方法，包括以下步骤：S1、线路板制作，工序包括开料、内层、压合、钻孔、沉铜、板面电镀、图形转移、酸性蚀刻，线路板制作时在单元外设置相应的模拟特性阻抗线；S2、切片；S3测量模拟特性阻抗线到铜皮不同距离的线宽，并进行记录；S4、测量模拟特性阻抗线到铜皮不同距离的实际特性阻抗值；S5、制成表格与预定特性阻抗值进行对比；S6、预定特性阻抗值为X，实际特性阻抗值范围为X～X+10%X+3，其中最佳的实际特性阻抗值为本发明通过DOE实验得出阻抗模块特性阻抗线距铜皮的最佳距离，管控电镀镀铜厚度、镀铜板面均匀性，并严格控制好蚀刻药水参数及蚀刻压力、温度。
一种特性阻抗设计方法

[发明专利]磁记录介质的制造方法及其制造装置-CN200480001565.6无效
发明人：服部一博;高井充;大川秀一 -专利权人： TDK股份有限公司
申请日： 2004-07-28 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： G11B5/84 文献下载
摘要：提供一种能高效率制造可以阻止分割记录要素的加工形状偏差、磁特性劣化并具有良好磁特性的磁记录介质的制造方法。用离子束蚀刻作为连续记录层(20)的干蚀刻的技术。并且在连续记录层(20)的干蚀刻前除去抗蚀剂层(26)。用金刚石类碳作为被覆连续记录层的第一掩模层的材料。
记录介质制造方法及其装置

[发明专利]用于纳米银导电膜的蚀刻液及图案化纳米银导电膜的制备方法-CN201710708988.0有效
发明人：翟峰;孟祥浩;顾杨;潘克菲;姜锴 -专利权人：苏州诺菲纳米科技有限公司
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于纳米银导电膜的蚀刻液，包括：蚀刻剂1‑30份、溶剂70‑90份、添加剂0‑10份，所述蚀刻剂为常温下对银不具备直接氧化性且能与银离子络合的蚀刻剂；因此蚀刻液只是将蚀刻区的导电网络切断，并非大面积蚀刻掉，降低蚀刻痕的同时使得刻蚀区域的纳米银导电膜的导电作用消失，蚀刻区与非蚀刻区的形貌差异较小，从而光学特性基本一致。
用于纳米导电蚀刻图案制备方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201110081813.4有效
发明人：李超伟;黄怡;韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供一个经过应力记忆处理的CMOS器件，在器件上形成一层底部抗反射涂层（BARC），蚀刻部分BARC以暴露出NMOS栅顶部的氮化硅应力层；然后蚀刻部分暴露出来的NMOS栅上的氮化硅应力层，再完全蚀刻残余的BARC；最后完全蚀刻NMOS上残余的氮化硅应力层。根据本发明，使得干法蚀刻去除NMOS上的氮化硅应力层的同时，减少对PMOS上介电层的蚀刻，保留器件背部的氮化硅薄膜，进一步地改善器件的特性，尤其是栅氧化层的完整性（击穿特性）。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]蚀刻组合物-CN201810079461.0在审
发明人：李宝研;朴钟模;李熙雄;安镐源;金世训 -专利权人：易案爱富科技有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻组合物，更具体地，提供用于蚀刻用作TFT‑LCD显示器的电极等的过渡金属膜的蚀刻组合物，根据本发明的蚀刻组合物通过显著提高处理件数，即使在蚀刻液内的金属离子含量高的情况下，也在蚀刻偏差、锥角、尾长等方面具有卓越的蚀刻特性，因此可以有效地用于TFT‑LCD显示器、OLED电极制造等方面。
蚀刻组合物蚀刻过渡金属膜金属离子蚀刻特性蚀刻液有效地电极尾长锥角制造

[发明专利]金属膜蚀刻组合物-CN201910212532.4在审
发明人：朴相承;金益儁;金希泰;李宝研;金世训 -专利权人：易案爱富科技有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及金属膜蚀刻组合物。根据本发明的金属膜蚀刻组合物包含过氧化氢、有机酸、二元醇系高分子和水，pH范围为3.0至4.4，相对于硅膜、透明导电膜等下部膜，具有对铜、钼等金属膜的高选择比或无限选择比，在相对高的pH范围内双氧水稳定性也优异，即使蚀刻重复进行而再使用多次，也能够持续维持初期优异的特性。此外，不仅在蚀刻时能够实现线性优异的带状轮廓，而且具有CD损失(CD loss)减少和抑制残渣产生的特性优异的效果。此外，由于组合物具有高稳定性，从而具有在使用前或使用后也能够持续地维持初期优异的特性的得到提高的保存稳定性，具有蚀刻时不产生析出物且能够抑制发热的效果。
金属膜蚀刻组合

[发明专利]蚀刻液组合物-CN202210149713.9在审
发明人：殷熙天;李宝姩;朴相承;金益俊;丁锡一;郑民敬;金良姈;金世训 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本发明涉及用于蚀刻银或含银膜的蚀刻液组合物及其制备方法。根据本发明的蚀刻液组合物，在银或含银金属膜的蚀刻工艺中，在不损伤下部膜的情况下改善残渣，防止产生沉淀物，当形成微细布线时，可以通过使偏差缺陷最小化来改善蚀刻特性。
蚀刻组合

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