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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于氧化铟膜或含银金属膜的蚀刻剂组合物和其制备方法-CN202211493083.3在审
发明人：金炯式;朴种熙;金世训;李宝姩;金良姈;丁锡一;金益儁;朴相承;卢沅澔;郑民敬 -专利权人：三星显示有限公司;易安爱富科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：公开了蚀刻剂组合物，所述蚀刻剂组合物提供氧化铟膜或含银金属膜的选择性蚀刻。蚀刻剂组合物包括硝酸、有机酸、硫化合物和锡化合物。有机酸不包括硫和锡的元素。硫化合物不包括锡的元素。蚀刻剂组合物可使下金属膜的损坏最小化并且在蚀刻速率、偏差、残渣、沉淀和蚀刻均匀性方面可展示出卓越的蚀刻特性。
用于氧化金属膜蚀刻组合制备方法

[发明专利]用于形成金属线的蚀刻组合物-CN201080033845.0有效
发明人：林玟基;梁承宰;李喻珍;朴英哲;权五柄 -专利权人：东友FINE-CHEM股份有限公司
申请日： 2010-07-22 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供了用于形成金属线的蚀刻组合物。由于蚀刻组合物能湿蚀刻由选自钛、钛合金、铝和铝合金组成的组中的至少一种制成的单层膜或多层膜，因此能简化蚀刻流程并提高生产率。进一步的，蚀刻组合物具有高蚀刻速率、不会损坏底层膜和设备以及可以在图形和非图形之间进行均匀蚀刻的优异蚀刻特性；并且由于不需要昂贵的设备并能蚀刻大面积的缓冲层因此也很经济。
用于形成金属线蚀刻组合

[发明专利]蚀刻液组合物及其制备方法-CN202111571193.2在审
发明人：李宝姩;朴相承;金益俊;丁锡一;郑民敬;金良姈;金世训 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本发明涉及用于蚀刻银(Ag)或含银膜的蚀刻液组合物及其制备方法。根据本发明的蚀刻液组合物，在银或含银的金属膜的蚀刻工序中，可通过在不损坏底层膜的情况下改善残渣并防止析出物的产生，可以使形成精细布线时的偏差缺陷最小化，从而改善蚀刻特性。
蚀刻组合及其制备方法

[发明专利]透明导电金属氧化物膜的形态设计-CN201010600745.3无效
发明人：林于庭;徐文凯;黄士哲 -专利权人：杜邦太阳能有限公司
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：所述设计涉及适合于蚀刻膜的包括蚀刻剂和一成分的蚀刻膏。蚀刻工艺包括通过涂膏法将本发明的蚀刻膏涂覆到透明导电金属氧化物膜上以蚀刻所述膜。通过所述蚀刻膏与所述涂膏法的组合获得具有稳定散射特性的透明导电金属氧化物膜，且可将其用于制造a-Si太阳能电池。
透明导电金属氧化物形态设计

[发明专利]蚀刻组合物-CN201910574759.3在审
发明人：吴柏衡;李懿;高桥秀树;荻原绘里奈;廖本男;陈韵慈;吕志鹏 -专利权人：关东鑫林科技股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明公开了蚀刻组合物。具体地，本发明涉及一种用于选择性蚀刻氮化钛硬光罩的蚀刻组合物，包括碱性化合物、螯合剂、腐蚀抑制剂以及溶剂。本发明的蚀刻组合物具有优异的蚀刻选择性，能快速清除氮化钛(TiN)及干式蚀刻残留物，不会损及low‑k层及金属导体层，且重复使用蚀刻组合物仍保有一定的氧化能力、蚀刻选择性及pH值等特性，适合用于再循环式过程中
蚀刻组合

[发明专利]一种高稳定性的超柔透明显示屏及生产工艺-CN202210765122.4在审
发明人：曹海波;戎亮;齐培升;曹海洋 -专利权人：上海太古达视光电科技有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高稳定性的超柔透明显示屏及生产工艺，包括基板层和导电层，所述导电层位于基板层的表面设置，且导电层的顶部设置有若干个灯珠，所述导电层包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层底部与基板层相连接，第一导电层表面设置有ITO蚀刻线层，所述ITO蚀刻线层包括若干条第一ITO蚀刻线和第二ITO蚀刻线。本发明通过设有双层导电层，经过第一导电层的ITO镀膜层材料，使产品具备了很好的附着力、致密性、不易断裂的特性，并且采用阴刻法，蚀刻出相应的区域采用导电材料铺覆，从而增加该产品的导电特性，从而使该产品整体具备很好的附着力、致密性、不易断裂的特性，并且具备超强的柔韧性、稳定性。
一种稳定性透明显示屏生产工艺

[发明专利]用于形成金属线的蚀刻组合物-CN201080033704.9有效
发明人：林玟基;李昔准;张尚勋;朴英哲 -专利权人：东友FINE-CHEM股份有限公司
申请日： 2010-07-21 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于形成金属线的蚀刻组合物，能批量湿蚀刻由选自Ti、Ti合金、Al和Al合金组成的组中的至少一种制成的单层膜或多层膜，并能蚀刻很多层从而极大地增加了蚀刻工艺的生产率，且能提高蚀刻速率并防止损坏底层膜和设备，以及能均匀蚀刻图形/非图形从而展示了较好的蚀刻特性；此外由于无需昂贵的设备以及便于形成大面积的栅极和源极/漏极，因此也很经济。
用于形成金属线蚀刻组合

[发明专利]一种蚀刻TFT铜钼合层的过硫酸铵体系蚀刻液-CN202010898060.5在审
发明人：詹洪;邹玲;张诗杨;郭文勇;罗晓锋;陆飚 -专利权人：武汉迪赛新材料有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明属于金属材料的化学法蚀刻技术领域，具体公开了一种蚀刻TFT铜钼合层的过硫酸铵体系蚀刻液。该蚀刻液由以下重量百分含量的原料组成：5%~30%的过硫酸铵、0.01%~1%稳定剂、0.1%~10%调节剂、0.05%~0.5%缓蚀剂A、0.05%~0.5%缓蚀剂B和余量的超纯水。本发明的蚀刻TFT铜钼合层的过硫酸铵体系蚀刻液蚀刻特性好，蚀刻斜面直线度好，无钼残、无底切，具有非常大的工业价值。
一种蚀刻 tft 铜钼合层硫酸铵体系

[发明专利]一种蚀刻液以及制备蚀刻液的方法-CN202310189679.2在审
发明人：张丁山;王钦;黄丽静;虞城成 -专利权人：深圳市信维通信股份有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明实施例涉及蚀刻液技术领域，公开了一种蚀刻液以及制备蚀刻液的方法。所述蚀刻液是由盐酸、过氧化氢和纯净水组成，其中，按质量百分比，所述盐酸占5％‑30％,所述过氧化氢占5％‑30％，所述纯净水占10％‑90％。通过上述方式，本发明实施例的蚀刻液具有无色透明的特性，在蚀刻完成并且无害处理之后，排放蚀刻液仍然呈现无色，不会造成有色污染；另外，蚀刻液能够蚀刻出敏感栅丝栅宽度小于20μm的应变片，并且图形完整、清晰准确
一种蚀刻以及制备方法

[发明专利]蚀刻用组合物和使用该蚀刻用组合物制造半导体器件的方法-CN201780055665.4在审
发明人：朴宰完;林廷训;李珍旭 -专利权人：秀博瑞殷株式公社
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻用组合物，以及包括使用所述蚀刻用组合物的蚀刻工艺的制造半导体器件的方法，所述蚀刻用组合物包含第一无机酸、第一添加剂和溶剂。所述蚀刻用组合物可以使氧化物膜的蚀刻速率最小化同时选择性地去除氮化物膜，并且没有不利地影响器件特性的诸如产生粒子的问题，并且是高选择性的。
蚀刻半导体器件第一添加剂组合物制造氮化物膜高选择性蚀刻工艺氧化物膜影响器件无机酸最小化溶剂去除粒子制造

[发明专利]光掩模坯料及光掩模的制造方法-CN201310182144.9有效
发明人：深谷创一;中川秀夫;笹本纮平 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明在确保由铬系材料构成的膜的化学特性等各种特性的同时减轻对该铬系材料膜进行蚀刻时对光致抗蚀剂的负荷。在透明衬底(1)上形成有遮光膜(2)，在该遮光膜(2)上设置有硬掩模膜(3)。由含有锡的铬系材料构成的膜能够显著提高氯类干蚀刻时的蚀刻速度。并且，与由将铬的一部分置换成轻元素的铬系材料构成的膜相比，对氟类干蚀刻具有同等以上的蚀刻耐性。因此，对用于加工硬掩模膜的光致抗蚀剂的蚀刻负荷得到减轻，即使在使抗蚀剂膜减薄的情况下也能够进行高精度的图案转印。
光掩模坯料制造方法

[发明专利]高厚度旋涂式碳硬掩膜组合物及利用其的图案化方法-CN202080026081.6在审
发明人：李秀珍;金起洪;李昇勋;李昇炫 -专利权人：荣昌化学制品株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：为了提供在半导体光刻工艺中有用的具有高厚度的硬掩膜组合物，本发明提供一种旋涂式硬掩膜组合物及对其组合物通过旋涂涂覆在被蚀刻层上部进行涂覆的工艺及进行烘烤工艺而形成硬掩膜层的图案化方法。根据本发明的硬掩膜，由优异的溶解度特性而具有表现出高厚度、能够承受多重蚀刻过程的高耐蚀刻性及优异的机械特性的效果。
厚度旋涂式碳硬掩膜组合利用图案方法

[发明专利]一种铝合金装饰件的蚀刻、喷漆复合工艺-CN200910247573.3无效
发明人：胡玑灯 -专利权人：上海瑞尔实业有限公司
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： C23G1/22 文献下载
摘要：本发明涉及铝合金装饰件的加工工艺，一种铝合金装饰件的蚀刻、喷漆复合工艺。通过蚀刻工艺以后和喷漆前对铝合金装饰件表面进行表面腐蚀处理，通过加入2-4g/L NaOH调高脱脂液碱性至pH＝12-13，在去除表面油脂、垃圾同时去除铝表面不均匀氧化皮层。本发明方法加工后的产品能在保持蚀刻外观金属性和强对比度的同时弱化金属色调生冷的外观特性而提高产品的审美特性。
一种铝合金装饰蚀刻喷漆复合工艺

[发明专利]用于叠层膜的组合式湿蚀刻方法及系统-CN200310116505.6有效
发明人：上杉忠宣;木村茂 -专利权人： NEC液晶技术株式会社
申请日： 2003-11-14 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：一种用于叠层膜的组合式湿蚀刻方法，它能够以协同方式执行蚀刻过程，同时控制叠层膜中各层膜的侧蚀刻以使得侧边形状均匀。在该湿蚀刻方法中，对顺序淀积于衬底上的包含薄膜特性各不相同的第一和第二膜的叠层膜组合执行两种或多种类型的蚀刻方法。这两种或多种类型的蚀刻方法至少包括：第一湿蚀刻方法，其中对第一膜的侧蚀刻比对第二膜的侧蚀刻更容易进行；和第二湿蚀刻方法，其中对第二膜的侧蚀刻比对第一膜的侧蚀刻更容易进行。
用于叠层膜组合式蚀刻方法系统

[发明专利]一种钛或钛合金的蚀刻液及蚀刻方法-CN202211457632.1在审
发明人：郑东成;林桂楠 -专利权人：苏州运宏电子有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C23F1/26 文献下载
摘要：本申请提供一种钛或钛合金的蚀刻液及蚀刻方法，该蚀刻液包括以质量百分比计，含有0.5wt％‑5wt％的无机酸、5wt％‑15wt％的有机酸，0.1wt％‑2wt％的无机盐和0.1wt％‑5wt％的缓蚀剂，本发明实施例的蚀刻液通过成分设计并配合优化蚀刻参数，可以降低蚀刻液对钛或钛合金表面的蚀刻速率，进而在较低的均匀的蚀刻速率下，可以避免侧蚀，提高钛或钛合金的表面特性。
一种钛合金蚀刻方法

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